处理装置和准直器制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理装置和准直器
本专利技术的实施方式涉及处理装置和准直器。
技术介绍
在例如半导体晶片上形成金属膜的溅射装置具有用于使待形成为膜的金属粒子的方向对齐的准直器。准直器具有形成大量通孔的壁，允许在与待处理的物体大致垂直的方向上飞行的粒子(诸如半导体晶片)穿过，并且将倾斜地飞行的粒子阻挡。现有技术文献专利文献专利文献1：特开平7-316806号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的问题产生倾斜飞行的粒子可能会降低粒子的利用效率。解决问题的手段根据一个实施方式的处理装置具有物体配置部、发生源配置部和准直器。所述物体配置部配置有物体。所述发生源配置部配置在从所述物体配置部离开的位置，并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源。所述准直器配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间，具有多个壁，并设置有多个通孔，该多个通孔由所述多个壁形成，并在从所述发生源配置部朝向所述物体配置部的第一方向上延伸。所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面。所述第一内表面具有：第一部分，由能够释放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在第一方向上与所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物体配置部，...
【技术保护点】
一种处理装置，具备：物体配置部，配置有物体；发生源配置部，配置在从所述物体配置部离开的位置，并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源；和准直器，配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间，具有多个壁，并设置有多个通孔，该多个通孔由所述多个壁形成，并在从所述发生源配置部朝向所述物体配置部的第一方向上延伸，其中，所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面，所述第一内表面具有：第一部分，由能够释放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在所述第一方向上与所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物体配置部，并且，由与所述第一材料不同的第二材料制成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.14 JP 2016-0502171.一种处理装置，具备：物体配置部，配置有物体；发生源配置部，配置在从所述物体配置部离开的位置，并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源；和准直器，配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间，具有多个壁，并设置有多个通孔，该多个通孔由所述多个壁形成，并在从所述发生源配置部朝向所述物体配置部的第一方向上延伸，其中，所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面，所述第一内表面具有：第一部分，由能够释放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在所述第一方向上与所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物体配置部，并且，由与所述第一材料不同的第二材料制成。2.如权利要求1所述的处理装置，其中，还具有：电源，向所述第一部分施加正负极性与从所述粒子发生源释放的所述粒子所具有的电荷不同的电压，所述第二材料具有绝缘性。3.如权利要求2所述的处理装置，其中，所述第一内表面具有：第三部分，在所述第一方向上与所述第二部分并列，比所述第二部分更靠近所述物体配置部，并且，由与所述第一材料不同的导电性的第三材料制成。4.如权利要求3所述的处理装置，其中，所述第二部分形成下述的突出部和凹部中的至少一方：突出部，在所述第一内表面所面向的第二方向上从所述第一部分突出；和凹部，在所述第二方向上从所述第一部分凹陷。5.如权利要求1所述的处理装置，其中，在所述第一方向上，所述多个壁中的一个壁的所述第一部分的长度比所述多个壁中的另一个壁的所述第一部分的长度更长。6.如权利要求1所述的处理装置，其中：所述多个壁具有位于所述第一内表面的相反侧的第二内表面，所述第二内表面具有所述第二部分。7.如权利要求1所述的处理装置，其中，所述多个壁具有：面向所述发生源配置部的在所述第一方向上的端部；和第四部分，形成所述端部，由与所述第一材料不同的绝缘性的第四材料制成。8.如权利要求1所述的处理装置，其中，所述准直器具有：第一构件，具有所述第一部分，由所述第一材料制成；和第二构件，在所述第一方向上与所述第一构...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤视红磨，寺田贵洋，德田祥典，竹内将胜，青山德博，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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