半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法技术
【技术实现步骤摘要】
半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法
本专利技术涉及一种半导体器件反熔丝结构，特别是涉及一种可有效减小反熔丝面积的半导体器件反熔丝结构及其写入和读取方法。
技术介绍
当半导体器件中的至少一个单位单元在制造工序中出现缺陷或故障时，不能将半导体器件用作存储器件。具有至少一个故障单位单元的存储器件则被归类为有缺陷的产品，并导致生产效率降低。因此，已开发出用冗余单元来替换有缺陷的单元以修复存储器件中的有缺陷的单元的技术。例如，一种类型的存储器电路包括存储器单元的动态随机存取存储器(DRAM)阵列，存储器单元以行和列排布，行和列的每一者可定址以用于存储信息位。如果在制造出存储器件之后的试验操作中检测出有缺陷的单元，则在存储器件的内部电路中执行写入操作，将有缺陷的单元更换为冗余单元。目前，主要是通过在存储器中设计熔丝结构和反熔丝结构来实现冗余单元的选择。通过熔丝结构来修复半导体器件的方法是在晶片级执行写入修复工序，而不能应用于已封装的半导体器件，且随着半导体集成度的逐渐提高，熔丝结构受限于激光束的光斑尺寸，所以现有修复方式更多的选择反熔丝结构。反熔丝结构的修复方式为，在未写...
【技术保护点】
一种半导体器件反熔丝结构，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区，所述有源区包含间隔的第一沟槽及第二沟槽，反熔丝单元形成于所述有源区，其中，所述反熔丝单元包括：第一熔丝隔离层，形成于所述第一沟槽的底部及侧壁；第一导电层，填充于所述第一沟槽内，且所述第一导电层的顶面低于所述第一沟槽的顶缘；第一绝缘层，形成于所述第一沟槽内并覆盖于所述第一导电层的顶面；第二熔丝隔离层，形成于所述第二沟槽的底部及侧壁；第二导电层，填充于所述第二沟槽内，且所述第二导电层的顶面低于所述第二沟槽的顶缘；第二绝缘层，形成于所述第二沟槽内并覆盖于所述第二导电层的顶面；以及第三导电层，凸设于所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件反熔丝结构，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底包含有源区，所述有源区包含间隔的第一沟槽及第二沟槽，反熔丝单元形成于所述有源区，其中，所述反熔丝单元包括：第一熔丝隔离层，形成于所述第一沟槽的底部及侧壁；第一导电层，填充于所述第一沟槽内，且所述第一导电层的顶面低于所述第一沟槽的顶缘；第一绝缘层，形成于所述第一沟槽内并覆盖于所述第一导电层的顶面；第二熔丝隔离层，形成于所述第二沟槽的底部及侧壁；第二导电层，填充于所述第二沟槽内，且所述第二导电层的顶面低于所述第二沟槽的顶缘；第二绝缘层，形成于所述第二沟槽内并覆盖于所述第二导电层的顶面；以及第三导电层，凸设于所述第一沟槽和第二沟槽之间的所述有源区上。2.根据权利要求1所述的半导体器件反熔丝结构，其特征在于：当所述第一熔丝隔离层被熔断，第一导通路径由所述第三导电层到所述第一导电层；当所述第二熔丝隔离层被熔断，第二导通路径由所述第三导电层到所述第二导电层。3.根据权利要求2所述的半导体器件反熔丝结构，其特征在于：当所述第一熔丝隔离层、所述第二熔丝隔离层被熔断，第三导通路径还包括由所述第一导电层到所述第二导电层。4.根据权利要求1所述的半导体器件反熔丝结构，其特征在于：所述半导体衬底的所述有源区包含N型掺杂衬底及P型掺杂衬底所组成群组中的一种。5.根据权利要求1所述的半导体器件反熔丝结构，其特征在于：所述第三导电层与所述第一沟槽之间以及所述第三导电层与所述第二沟槽之间具有间距D。6.根据权利要求1所述的半导体器件反熔丝结构，其特征在于：所述第一导电层和所述第二导电层的材料包含由钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、硅氮化钛(SiTiN)、金属氮化物、金属硅化物以及掺杂多晶硅所构成群组中的至少一种。7.根据权利要求1所述的半导体器件反熔丝结构，其特征在于：所述第三导电层的材料包含由钨(W)、钛(Ti)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、硅氮化钛(SiTiN)、金属氮化物、金属硅化物以及掺杂多晶硅所构成的群组中的至少一种。8.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：睿力集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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