熔丝结构及其制造方法技术

一种熔丝结构可以包括阳极图案、阴极图案和连接构件。阳极图案可以形成在半导体衬底上。阴极图案可以形成在阳极图案上。连接构件可以电连接在阳极图案和阴极图案之间。连接构件可以具有不同的宽度。

Fuse structure and its manufacturing method

A fuse structure can include an anode pattern, a cathode pattern, and a connecting member. The anode pattern can be formed on the semiconductor substrate. The cathode pattern can be formed on the anodic pattern. The connecting member can be electrically connected between the anode pattern and the cathode pattern. The connecting component can have different widths.

【技术实现步骤摘要】
熔丝结构及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年9月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0119543的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
总体而言，各种实施例涉及一种半导体器件及其制造方法，更具体而言，涉及一种三维熔丝结构及其制造方法。
技术介绍
熔丝可以广泛用于诸如逻辑器件、存储器件等的半导体
例如，在存储器件中，熔丝可以用作代替故障单元的元件。另外，熔丝可以用作晶片上的识别介质。根据编程类型，熔丝可以分为激光熔丝和电熔丝。可以使用激光器来选择性地编程激光熔丝，即切断。可以使用电流或电压来选择性地编程电熔丝。电熔丝可以不需要昂贵的设备，因为电熔丝可以通过施加电流-电压来编程。电熔丝可以被配置为：根据通过将电压施加到诸如硅化物/多晶硅层的导电层而产生的电迁移或断裂，通过电压来存储信息。当为了断裂而可能施加电压时，可以从熔丝产生热量。该热量可以在熔丝中用作潜热。潜热可能对相邻的熔丝具有影响，以产生不期望的断裂。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种改进的熔丝结构，其包括阳极图案、阴极图案和连接构件。在一个实施例中，阳极图案可以形成在半导体衬底上。阴极图案可以形成在阳极图案上。连接构件可以电连接在阳极图案和阴极图案之间。连接构件可以具有不同的宽度。根据示例性实施例，可以提供一种制造熔丝结构的方法。在制造熔丝结构的方法中，可以在半导体衬底上形成阳极图案。可以在阳极图案上形成多个绝缘层。通孔可以形成为穿过绝缘层。通孔可以具有正常直径区和扩大直径区。通孔可以填充有导电层以形成具有连接构件的阴极图案。可以在与扩大直径区相对应的连接构件中形成空隙。根据示例性实施例，可以提供一种制造熔丝结构的方法。在制造熔丝结构的方法中，可以在半导体衬底上形成阳极图案。可以在阳极图案上形成多个绝缘层。通孔可以形成为穿过绝缘层。通孔可以具有正常直径区和减小直径区。通孔可以填充有导电层以形成具有连接构件的阴极图案。与减小直径区相对应的连接构件可以用作断裂目标。附图说明将参照附图来描述示例性实施例。图1至图26示出了非限制性示例和实施例。图1至图5是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图；图6至图10是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图；图11至图14是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图；图15至图18是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图；图19至图22是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图；以及图23至图26是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图。具体实施方式将在下文中参考附图更全面地描述各种示例性实施例，在附图中示出了一些实施例。然而，本专利技术可以采用许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。在附图中，为了清楚起见，层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大。将理解的是，当一个元件或层被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一个元件或层时，它可以直接在另一个元件或层上、连接至或耦接至另一个元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反地，当一个元件被称为“直接在另一个元件或层上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一个元件或层时，不存在中间元件或层。相同的附图标记始终表示相同的元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。将理解的是，在本文中诸如第一、第二和第三的术语可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，并且这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。在本文中，可以使用诸如“下方”、“下面”、“之下”、“上方”、“之上”等的空间相关术语来描述如附图中所示的元件或特征之间的关系。将理解的是，在本文中提供的空间相关术语是示例性的，并且可以具有与本文所描绘的取向不同的取向。例如，在给定图中所示的器件翻转的情况下，描述为在其它元件或者特征“下面”或“下方”的元件随后将被放置在其它元件或特征“之上”或“上面”。因此，示例性术语“下面”可以指示“上面”或“下面”。本文中使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，并非限制本专利技术。如本文所使用的，单数形式“一”，“一个”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。进一步理解的是，术语“包括/包含”和/或“包括有/包含有”在本说明书中使用时，说明存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组。在本文中参照截面示图描述了示例性实施例。可预期形状、制造技术和/或公差的变化。因此，实施例不应被解释为限于本文所示的区域的特定形状。例如，即使示出为矩形，注入区也可以是圆形或弯曲的。另外，注入浓度可以根据位置而不同。除非另有限定，鉴于本公开，在本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员的通常理解相同的含义。还将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中限定的那些术语应被解释为具有与相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义。在下文中，将参照附图来详细描述示例性实施例。图1至图5是示出了制造根据示例性实施例的熔丝结构的方法的截面图和立体图。参见图1，底层105可以形成在半导体衬底100的上表面上。底层105可以包括多个半导体电路层(未示出)和绝缘层(未示出)。作为熔丝结构的一部分的阳极图案110可以形成在底层105的上表面上。阳极图案110可以通过沉积金属层并且通过图案化金属层来形成。一个示例性实施例中，阳极图案110可以表示第一电极。第一绝缘层115、第二绝缘层120和第三绝缘层125可以顺序地形成在具有阳极图案110的底层105上。例如，第二绝缘层120可以相对于第一刻蚀剂具有与第一绝缘层115和第三绝缘层125大体上相同的刻蚀选择性。第二绝缘层120可以包括相对于第二刻蚀剂具有比第一绝缘层115和第三绝缘层125中的材料的刻蚀选择性更快的刻蚀选择性的材料。第一绝缘层至第三绝缘层115、120和125可以相对于第一刻蚀剂和第二刻蚀剂具有相同的刻蚀选择性或不同的刻蚀选择性。第二绝缘层120可以具有比第一绝缘层115和第三绝缘层125的厚度更薄的厚度。在一个实施例中，第一绝缘层115和第三绝缘层125可以是或包括氧化硅，而第二绝缘层120可以是或包括氮化硅。参见图2，可以使用相对于第一绝缘层至第三绝缘层115、120和125具有相同刻蚀选择性的第一刻蚀剂，来各向异性地刻蚀第一绝缘层至第三绝缘层115、120和125，以形成初步孔H1，所述初步孔垂直地穿过第一绝缘层至第三绝缘层115、120和125并且暴露出阳极图案110的上表面的一部分。参见图3，可以使用相对于第二绝缘层120具有比第一绝缘层115和第三绝缘层125更快的刻蚀选择性的第二刻蚀剂来刻蚀第二绝缘层120，以形成通孔H11。形成在第二绝缘层120中的通孔H11的一部分的直径可以大于第一绝缘层115和第三绝缘层125中的通孔H11的直径，从而形成十字形通孔H11。可以通过形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种熔丝结构，其包括：阳极图案，其形成在半导体衬底上；阴极图案，其形成在阳极图案上；以及连接构件，其从阳极图案延伸至阴极图案，用于将阳极图案与阴极图案连接，其中，连接构件具有宽度不同的至少两个区域，以及由于所述至少两个区域的宽度差异而形成在所述至少两个区域之中的一个区域中的空隙。

【技术特征摘要】
2016.09.19 KR 10-2016-01195431.一种熔丝结构，其包括：阳极图案，其形成在半导体衬底上；阴极图案，其形成在阳极图案上；以及连接构件，其从阳极图案延伸至阴极图案，用于将阳极图案与阴极图案连接，其中，连接构件具有宽度不同的至少两个区域，以及由于所述至少两个区域的宽度差异而形成在所述至少两个区域之中的一个区域中的空隙。2.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，连接构件包括具有第一宽度的第一区域和具有比第一宽度更大的第二宽度的第二区域，并且空隙形成在第二区域中。3.根据权利要求2所述的熔丝结构，其中，第二区域定位于连接构件的中心部分处。4.根据权利要求2所述的熔丝结构，其中，第二区域定位于与阳极图案相邻的连接构件的下部。5.根据权利要求2所述的熔丝结构，其中，第二区域定位于与阴极图案相邻的连接构件的上部。6.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，连接构件包括具有第一宽度的第一区域和具有比第一宽度更小的第二宽度的第二区域。7.根据权利要求6所述的熔丝结构，其中，第二区域和第二区域的外围区域用作断裂目标。8.根据权利要求1所述的熔丝结构，其中，熔丝结构具有大体上的I形状，具有阳极图案、阴极图案和连接构件，阳极图案和阴极图案是大体上彼此...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴东妍，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR