阵列基板制造技术

一种阵列基板，包括元件阵列、接合垫以及至少一支撑结构。接合垫位于接合区中，且与元件阵列电性连接。支撑结构与接合垫之间的水平距离介于5微米与1000微米之间。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本专利技术是有关于一种阵列基板，且特别是有关于一种具有支撑结构的阵列基板。
技术介绍
随着科技的进展，可挠式电子产品在市面上的出现率逐渐增加，且各种有关的技术也层出不穷。举例来说，可挠式电子产品的相关技术可以使用在显示器、传感器、穿戴式装置等等各种电子设备。由此可知，可挠式电子产品具有庞大的市场商机。目前，通常先在刚性的载板上形成软性基板以及电子元件之后，再将软性基板以及电子元件从刚性的载板上面移下来以形成可挠式电子产品。然而，电子元件中不同的构件时常需要在不同的环境(例如温度)下形成。由于不同的构件具有不一样的热膨胀系数，因此，在同样的温度下，不同的构件之间往往会有应力残留。当软性基板以及电子元件从刚性的载板上面移下来以后，这些应力容易造成可挠式电子产品变形，使得电子元件无法对准预期的位置。尤其是在可挠式电子产品与其他元件接合的接合区，变形以后容易使其他元件无法正确的与可挠式电子产品接合，导致产品不能正常运作。因此，目前亟需一种可以解决前述问题的方法。
技术实现思路
本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板，可以降低阵列基板的接合区变形的问题。本专利技术的至少一实施例提供一种阵列基板，包括元件阵列、接合垫以及至少一支撑结构。接合垫位于接合区中，且与元件阵列电性连接。支撑结构与接合垫之间的水平距离介于5微米与1000微米之间。本专利技术的目的之一为减轻阵列基板的接合区在制造过程中产生的变形，使接合垫不会偏离预期的位置。本专利技术的目的之一为大幅提升产品的良率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图2A是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图2B是沿着图2A的线AA’的剖面示意图。图3A是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图3B是沿着图3A的线AA’的剖面示意图。图4A是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图4B是沿着图4A的线AA’的剖面示意图。图5是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图6是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图7是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。图8是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图9是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图10是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图11是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图12是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图13是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图14是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图15是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图16是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图17A～图17C是依照本专利技术的一实施例的一种支撑结构与信号线的制造流程的剖面示意图。图18A～图18C是依照本专利技术的一实施例的一种支撑结构、辅助支撑结构与信号线的制造流程的剖面示意图。图19是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图20是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图21是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图22是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图23是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图24是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图25是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。图26是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的剖面示意图。其中，附图标记：1、1A、1B、1C、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22：阵列基板100：基底105、110、120、130、140：绝缘层150：保护层210、230、244：信号线210a、224B、300Aa、300Ba：第一层210b、224A、300Ab、300Bb：第二层210c、300Ac、300Bc：第三层220：传导结构224：导电层226：接合垫242、250：电极300、300A、400：支撑结构300B：辅助支撑结构310、410、310A：第一部分320、420、310B：第二部分330、430：第三部分312A：主体部312B：指叉部410A：外层410B：内层510；栅极520：通道层530：源极540：漏极A1、A2、T1、T2：厚度CR：接合区DA：元件阵列DR：阵列区H：沟渠H1、H2：水平距离K1、K2：厚度L：显示介质LD：发光元件M1、M1’：导电材料层M1a、M1a’：第一导电层M1b、M1b’：第二导电层O1、O1’、O2、O3、O4：开口OM1、OM1’、OM2、OM3、OM4：光刻胶P、P0、P1、P2、P3、P4：垂直距离ST：支撑垫TFT：主动元件W1：宽度具体实施方式图1是依照本专利技术的一实施例的一种阵列基板的上视示意图。请参考图1，阵列基板1包括基底100、元件阵列DA、接合垫226以及支撑结构300。在一些实施例中，基底100可为软性基板，基底100的材料例如为聚乙烯对苯二甲酸酯(polyethyleneterephthalate,PET)、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate,PEN)、聚酯(polyester,PES)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)或金属软板(MetalFoil)或其他可挠性材质，但本专利技术不以此为限。在一些实施例中，基底100的材料可为具可挠性的玻璃、石英、或是不透光/反射材料(例如：导电材料、金属、晶圆、陶瓷或其他可适用的材料)或是其他可适用的材料。基底100具有接合区CR以及阵列区DR。在一实施例中，基底100包括接合垫226，接合垫226位于接合区CR中，元件阵列DA位于阵列区DR中。在一些实施例中，元件阵列DA可以为画素阵列或触控感测阵列或其他电子元件阵列。导电层224与接合垫226电性连接，且从接合区CR朝元件阵列DA延伸，并与元件阵列DA电性连接。在一些实施例中，导电层224可以包括多层结构或单层结构。支撑结构300位于接合区CR中，且靠近接合垫226而设置，支撑结构300与接合垫226之间的水平距离例如是介于5微米与1000微米之间，5微米与500微米之间，5微米与250微米之间，5微米与150微米之间，或5微米与50微米之间。在本实施例中，接合区CR中包括多个支撑结构300，每个支撑结构300对应于一个接合垫226设置。在本实施例中，每个接合垫226位于对应的支撑结构300的开口OP中。在本实施例中，接合垫226为矩形，且每个支撑结构300对应于每个接合垫226的至少三个侧边而设置。在本实施例中，每个支撑结构300例如包括多个朝向元件阵列DA的开口OP，且接合垫226位于开口OP中。在本实施例中，支撑结构300的上表面大致上呈现U字形，然而本专利技术不以此为限。在其他实施例中，支撑结构300的上表面包括三角形、矩形、五边形、圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：一元件阵列；一接合垫，位于一接合区中，且与该元件阵列电性连接；以及至少一支撑结构，与该接合垫之间的一第一水平距离介于5微米与1000微米之间。

【技术特征摘要】
2017.09.11 TW 1061310791.一种阵列基板，其特征在于，包括：一元件阵列；一接合垫，位于一接合区中，且与该元件阵列电性连接；以及至少一支撑结构，与该接合垫之间的一第一水平距离介于5微米与1000微米之间。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，更包括：一第一基底；一第一绝缘层，位于该第一基底上；以及一第二绝缘层，位于该第一绝缘层上，其中该支撑结构至少部分嵌入该第二绝缘层，且该支撑结构与该第一绝缘层的上表面之间具有一第一垂直距离，该支撑结构包括不同材料的一第一部分与一第二部分。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，该支撑结构的该第一部分的材料包括金属氧化物。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，该支撑结构的该第二部分位于该第一部分内，且该第二部分不与该第一绝缘层接触，该第二部分包括空隙。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，更包括：一第三绝缘层，位于该第二绝缘层上，该支撑结构更嵌入该第三绝缘层内，该接合垫包括：一第一导电层，从该接合区朝该元件阵列延伸，其中不位于该接合区内的部分该第一导电层与该第一绝缘层的上表面具有一第二垂直距离，该第二垂直距离介于0微米与1微米之间。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，该第二部分位于该第一绝缘层与该第一部分之间，且该支撑结构的该第二部分的材料包括金属。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，该支撑结构更包括一第三部分，位于该第二部分与该第一部分之间，该第三部分的材料包括绝缘材料。8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，更包括：一第三绝缘层，位于该第二绝缘层上，该支撑结构更嵌入该第三绝缘层内，该接合垫包括：一第一导电层，从该接合区朝该元件阵列延伸，不位于该接合区内的部分该第一导电层与该第一绝缘层的上表面具有一第二垂直距离，该第二垂直距离介于0微米与1微米之间。9.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，该第二部分位于该第一部分内，且该第二部分不与该第一绝缘层接触，该第二部分的材料包括绝缘材料，该绝缘材料包括氮化硅、氧化硅或聚甲基丙烯酸甲酯...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶家宏，王品凡，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71