独立3D堆叠制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】独立3D堆叠
技术介绍
相关专利申请的交叉引用本申请要求2015年8月21日提交的美国临时申请No.62/208,544的优先权，在此以引用方式并入本文。
本文所述的实施方案涉及半导体封装。更具体而言，实施方案涉及包括3D堆叠管芯的封装。
技术介绍
对便携式和移动电子设备诸如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、便携式播放器、游戏设备、和其他移动设备的当前市场需求要求将更多性能和特征集成到越来越小的空间中。此外，在半导体管芯封装的形状因数(例如，厚度)和占有面积(例如，面积)减小的同时，输入/输出(I/O)焊盘的数量正在增大。各种多管芯封装方案，诸如封装中系统(SiP)和堆叠封装(PoP)已经变得更普及，以满足对更高管芯/部件密度器件的需求。在SiP中，将若干不同管芯包封在封装之内作为单个模块。于是，SiP可以执行电子系统的全部或大部分功能。诸如晶片上芯片(CoW)的3D堆叠实施包括向支撑晶片上安装管芯，接着对堆叠管芯SiP进行分离。诸如晶片到晶片(W2W)的3D堆叠实施包括向底部晶片上安装顶部晶片，接着对堆叠管芯SiP进行分离。两种常规3D堆叠实施都要求封装水...
【技术保护点】
一种封装，包括：再分配层(RDL)；位于所述RDL上的第一封装级的前侧，所述第一封装级包括：第一级管芯，所述第一级管芯封装于所述RDL上的间隙填充氧化物层中；以及多个过氧化物通孔(TOV)，所述多个过氧化物通孔通过所述间隙填充氧化物层延伸；其中所述TOV和所述第一级管芯具有大约20微米或更小的高度；以及第二封装级，所述的第二封装级包括混合键合到所述第一封装级的后侧的第二级管芯，所述混合键合包括直接键合的氧化物‑氧化物表面和直接键合的金属‑金属表面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.21 US 62/208,544;2015.11.06 US 14/935,3101.一种封装，包括：再分配层(RDL)；位于所述RDL上的第一封装级的前侧，所述第一封装级包括：第一级管芯，所述第一级管芯封装于所述RDL上的间隙填充氧化物层中；以及多个过氧化物通孔(TOV)，所述多个过氧化物通孔通过所述间隙填充氧化物层延伸；其中所述TOV和所述第一级管芯具有大约20微米或更小的高度；以及第二封装级，所述的第二封装级包括混合键合到所述第一封装级的后侧的第二级管芯，所述混合键合包括直接键合的氧化物-氧化物表面和直接键合的金属-金属表面。2.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一封装级包括位于所述第一级管芯的后侧和所述间隙填充氧化物层上的第一封装级RDL，并且所述多个TOV提供所述RDL和所述第一封装级RDL之间的电连接。3.根据权利要求2所述的封装，其中所述第二级管芯被混合键合到所述第一封装级RDL的平坦化后表面。4.根据权利要求3所述的封装，其中所述第一封装级RDL包括氧化物介质层和金属再分配线，并且所述第二级管芯被混合键合到所述氧化物介质层和所述金属再分配线。5.根据权利要求2所述的封装，其中所述第一级管芯包括多个过硅通孔(TSV)，并且所述第一封装级RDL形成于所述多个TSV上并与之电接触。6.根据权利要求1所述的封装，其中所述RDL形成于所述第一级管芯的前侧和所述多个TOV上并与它们电接触。7.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二级管芯被封装于所述第一封装级上的模制化合物中。8.根据权利要求1所述的封装，还包括：第二排TOV；其中所述多个TOV包括第一排TOV，并且所述第一排TOV和第二排TOV与所述第一级管芯的第一对横向相对侧在横向上相邻；第二-第一级管芯和第三-第一级管芯，所述第二-第一级管芯和第三-第一级管芯与所述第一级管芯的第二对横向相对侧在横向上相邻；其中所述RDL形成于所述第一级管芯的前侧、所述第二-第一级管芯的前侧、所述第三-第一级管芯的前侧、所述第一排TOV和所述第二排TOV上并与之电接触。9.根据权利要求8所述的封装，还包括所述第一级管芯之内的多个TSV，其中每个TSV具有大约10μm或更小的最大宽度。10.一种封装，包括：再分配层(RDL)；位于所述RDL后侧上的第一封装级的前侧，所述第一封装级包括：第一级管芯，所述第一级管芯封装于所述RDL所述后侧上的间隙填充氧化物层中；第一排过氧化物通孔(TOV)，所述第一排过氧化物通孔从所述RDL的所述后侧突出；第二排过氧化物通孔(TOV)，所述第二排过氧化物通孔从所述RDL的所述后侧突出；其中所述第一级管...
【专利技术属性】
技术研发人员：KY·赖，翟军，胡坤忠，
申请(专利权)人：苹果公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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