半导体集成电路的制造方法技术

一种半导体器件的制造方法包括提供衬底，该衬底包括从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。在第一鳍元件和第二鳍元件上方形成第一层，其中第一层包括缝隙。对衬底实施激光退火工艺以去除第一层中的缝隙。基于第一层的高度来调整在激光退火工艺期间施加到第一层的能量。本发明专利技术实施例涉及半导体集成电路的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体集成电路的制造方法
本专利技术实施例涉及半导体集成电路的制造方法。
技术介绍
电子产业已经经历了对更小和更快的电子器件的不断增长的需求，更小和更快的电子器件能够支持更多的日益复杂和精致的功能。因此，半导体产业中持续的趋势是，制造低成本、高性能、低功耗的集成电路(IC)。因此到目前为止，已经通过按比例缩小半导体IC尺寸(如，最小部件尺寸)在很大程度上实现了这些目标，并且从而改进了生产效率并降低了相关成本。然而，这种按比例缩小还产生了半导体制造工艺的增加的复杂程度。因此，实现半导体IC和器件的持续进步需要半导体制造工艺和技术中的类似的进步。最近，已经引入多栅极器件以通过增加栅极-沟道连接、减小断态电流和降低短沟道效应(SCE)致力于改进栅极控制。已经引入的一种这样的多栅极器件是鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET的名字来源于鳍状结构(鳍元件)，鳍状结构从衬底(其上形成该鳍状结构)延伸，并且鳍状结构用于形成FET沟道。FinFET三维结构允许它们在保持栅极控制和缓解SCE的同时积极地按比例缩小。然而，制造FinFET器件的传统方法仍然可能具有特定缺点。例如，在形成FinFE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体集成电路的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括从所述衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件；在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件上方形成第一层，其中，所述第一层包括设置在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件之间的缝隙；以及实施激光退火工艺以去除所述第一层中的所述缝隙，其中，实施所述激光退火工艺包括在所述激光退火工艺期间基于所述第一层的高度来调整施加到所述第一层的能量。

【技术特征摘要】
2016.09.30 US 15/282,9811.一种制造半导体集成电路的方法，包括：提供衬底，所述衬底包括从所述衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件；在所述第一鳍元件和所述第二鳍元件上...

【专利技术属性】
技术研发人员：余德伟，罗加聘，姚亮吉，张文，杨育佳，方子韦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71