温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体器件的制造方法包括提供衬底，该衬底包括从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。在第一鳍元件和第二鳍元件上方形成第一层，其中第一层包括缝隙。对衬底实施激光退火工艺以去除第一层中的缝隙。基于第一层的高度来调整在激光退火工艺期间施加到第一层...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。