一种半导体器件及其制造方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供具有NFET区和PFET区的半导体衬底，在其上形成有栅极结构；在半导体衬底上形成掩膜层，覆盖栅极结构；图案化掩膜层，以在PFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；在露出的PFET区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，并在嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；在半导体衬底上依次形成侧墙材料层和牺牲材料层；回蚀刻牺牲材料层和侧墙材料层，直至去除位于栅极结构顶部的侧墙材料层；依次去除牺牲材料层和掩膜侧墙。根据本发明专利技术，在去除掩膜层的过程中，帽层受到侧墙材料层的保护，避免后续形成的金属硅化物嵌入到锗硅层里形成非稳定态的金属锗硅化物,防止金属硅化物沿沟道发生侵蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。
技术介绍
在先进半导体器件的制造工艺中，嵌入式锗硅工艺可以明显增强PFET的性能。为了获得更大的工艺窗口和更好的电学性能，通常是先在栅极的两侧形成侧壁结构，然后形成嵌入式锗硅。在现有的嵌入式锗硅工艺中，通常在PFET的源/漏区形成∑状凹槽以用于在其中选择性外延生长嵌入式锗硅，∑状凹槽可以有效缩短器件沟道的长度，满足器件尺寸按比例缩小的要求。通常采用先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺形成∑状凹槽，在形成∑状凹槽之前，需要先形成起遮蔽作用的掩膜层，形成∑状凹槽之后，采用选择性外延生长工艺在∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层，并在嵌入式锗硅层的顶部形成帽层(cappinglayer)。形成帽层之后，采用磷酸作为腐蚀液的湿法蚀刻工艺去除所述掩膜层，在此过程中，腐蚀液也会消耗部分帽层，导致帽层厚度的减薄。后续在帽层上形成的金属硅化物会嵌入到锗硅层里形成非稳定态的金属锗硅化物,金属锗硅化物易沿沟道发生侵蚀,进而导致器件良率的下降。因此，需要提出一种方法，以解决上述问题。专利
技术实现思路
针对现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供具有NFET区和PFET区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成掩膜层，覆盖所述栅极结构；图案化所述掩膜层，以在所述PFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；在露出的PFET区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，并在所述嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；在所述半导体衬底上依次形成侧墙材料层和牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层和所述侧墙材料层，直至去除位于所述栅极结构顶部的侧墙材料层；依次去除所述牺牲材料层和所述掩膜侧墙。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供具有NFET区和PFET区的半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述半导体衬底上形成掩膜层，覆盖所述栅极结构；图案化所述掩膜层，以在所述PFET区的栅极结构的外侧形成掩膜侧墙；在露出的PFET区的栅极结构两侧的半导体衬底中形成嵌入式锗硅层，并在所述嵌入式锗硅层的顶部形成帽层；在所述半导体衬底上依次形成侧墙材料层和牺牲材料层；回蚀刻所述牺牲材料层和所述侧墙材料层，直至去除位于所述栅极结构顶部的侧墙材料层；依次去除所述牺牲材料层和所述掩膜侧墙。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层包括自下而上层叠的缓冲层和应力材料层，所述侧墙材料层包括氧化物层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用毯覆式蚀刻工艺实施所述回蚀刻。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用灰化工艺或湿法剥离...

【专利技术属性】
技术研发人员：何凤英，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31