用于半导体制造的改进的介电膜制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于半导体制造的方法。该方法包括接收具有第一表面的器件，通过该表面暴露第一金属或第一金属的氧化物。该方法还包括在第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得介电膜在靠近第一表面的介电膜的第一部分中具有比在介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，该介电膜的第二部分比第一部分进一步远离第一表面。该方法还包括在介电膜上方形成导电部件。介电膜将导电部件与第一金属或第一金属的氧化物电绝缘。本发明专利技术实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。

【技术实现步骤摘要】
用于半导体制造的改进的介电膜
本专利技术实施例涉及用于半导体制造的改进的介电膜。
技术介绍
介电膜是半导体制造中的必要元件。例如，集成电路(IC)中使用层间介电(ILD)膜，从而用于嵌入IC的各个金属通孔和金属引线。又例如，在诸如FSI(前照式)图像传感器和BSI(背照式)图像传感器的CMOS图像传感器中的深沟槽隔离部件中使用介电膜。又例如，介电膜用作3D(三维)IC封装中的硅通孔(TSV)中的衬垫层。介电膜的一个主要功能是电绝缘不同的金属部件。例如，当制造具有高k金属栅极晶体管的IC时，典型的做法是在金属栅极上方沉积氧化硅膜(介电膜)，并在氧化硅膜上方形成金属通孔和金属引线。假设氧化硅膜将金属栅极与金属通孔和金属引线绝缘。然而，有时会出现一个问题：在沉积氧化硅膜期间，金属栅极可能与特定的化学品反应，导致一些金属化合物混入最终沉积的氧化硅膜中。这些金属化合物可导致金属栅极和后续制造的金属通孔之间的电路短路。因此，期望一种用于半导体制造的改进的介电膜及其制造方法。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例，提供了一种用于半导体制造的方法，包括：接收具有第一表面的器件，通过所述第一表面暴露第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体制造的方法，包括：接收具有第一表面的器件，通过所述第一表面暴露第一金属或所述第一金属的氧化物；在所述第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得所述介电膜在靠近所述第一表面的所述介电膜的第一部分中具有比在所述介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，所述介电膜的第二部分比所述第一部分更远离所述第一表面；以及在所述介电膜上方形成导电部件。

【技术特征摘要】
2016.09.30 US 15/282,2581.一种用于半导体制造的方法，包括：接收具有第一表面的器件，通过所述第一表面暴露第一金属或所述第一金属的氧化物；在所述第一表面上方沉积具有Si、N、C和O的介电膜，从而使得所述介电膜在靠近所述第一表面的所述介电膜的第一部分中具有比在所述介电膜的第二部分中更高的N和C浓度，所述介电膜的第二部分比所述第一部分更远离所述第一表面；以及在所述介电膜上方形成导电部件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用氧和有机化合物作为前体的低温化学汽相沉积(LTCVD)工艺来沉积所述介电膜，所述有机化合物具有硅和氮。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机化合物是BTBAS(双(叔丁基氨基)硅烷)。4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机化合物是BDEAS(双(二乙基氨基)硅烷)。5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机化合物是TIPAS(三(异丙基氨基)硅烷)的一种。6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述有机化合物是BDEAES(双...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴正一，朱立轩，温庆文，洪家骏，张振涼，李锦思，刘乡，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71