基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理方法及基板处理装置。降低干燥处理中进行疏水化处理时疏水剂的使用量。本发明专利技术的基板处理方法用于干燥表面形成有规定图案的基板。此外，本发明专利技术的基板处理方法包括：清洗工序，将清洗液存储在密闭的腔室内的处理槽并将所述基板浸渍于所述清洗液中清洗；减压工序，对所述腔室内进行减压；提升工序，将所述基板从所述处理槽的所述清洗液中提升出来；排液工序，从处理槽中排出清洗液；疏水化工序，将腔室内的气氛置换为疏水剂并对所述基板的表面进行疏水化处理。

Substrate treatment method and substrate treatment device

The invention provides a substrate processing method and a substrate processing device. The use of hydrophobic agent in the drying process is reduced. The base plate processing method of the present invention is used for forming a substrate with a prescribed pattern on a dry surface. In addition, the processing method of the invention comprises a substrate, a cleaning process, cleaning liquid will be stored in a sealed tank processing chamber and the substrate is immersed in the cleaning liquid in the cleaning process; decompression decompression, of the cavity; improve the process, improve the cleaning liquid from the substrate the processing tank; liquid discharge process, washing liquid from the tank; hydrophobic chemical sequence, the atmosphere of the chamber for the replacement of hydrophobic agent and surface of the substrate hydrophobize.

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法以及基板处理装置
本专利技术涉及一种对半导体晶片等基板实施规定处理的基板处理方法以及基板处理装置。
技术介绍
半导体装置的制造工序，包括：通过将半导体晶片等基板浸渍于处理槽，对该基板实施蚀刻处理、清洗处理的工序，以及实施从基板表面去除处理液的干燥处理的工序。这种工序通过具有多个处理槽的基板处理装置来执行。在干燥处理中，形成于基板表面的图案有时会发生塌陷。图案塌陷的原因，推测为：由于基板上形成的图案中不均匀地残留有清洗液，导致表面张力的不均衡，发生图案的塌陷。现有技术中，已经提出了通过氮气供给来置换腔室内气体的同时，用排气泵进行气体的排出，从而缩短置换气体所需时间的技术(例如，专利文献1)。此外，提出了通过降低纯水的表面张力，防止细微图案塌陷的基板处理装置以及基板处理方法(例如，专利文献2)。此外，还提出了：为了缩短干燥时间，进行疏水化工序之后蒸发附着在基板的疏水剂，从而使基板干燥的技术(例如，专利文献3)。此外，还提出了：将由有机溶剂置换了表面的基板浸渍于存储在处理槽的防水剂中，进行防水处理的技术(例如，专利文献4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-21420号公报专利文献2：日本特开2011-71172号公报专利文献3：日本特开2013-157625号公报专利文献4：日本特开2016-72446号公报
技术实现思路
现有技术中，已经提出了通过在基板表面实施疏水化处理，降低干燥基板表面的过程中产生的表面张力，抑制图案的塌陷的技术。然而，在处理多个基板的批量处理中，当通过在疏水剂中浸渍而实施疏水化处理时，存在着疏水剂的消耗量大的问题。在此，本专利技术的目的在于，降低基板的干燥处理中进行疏水化处理时的疏水剂使用量。为了解决上述课题，本专利技术具有以下构成。一种基板处理方法，用于干燥表面形成有规定图案的基板，包括：清洗工序，将清洗液存储在密闭腔室内的处理槽，将所述基板浸渍于所述清洗液而进行清洗；减压工序，对所述腔室内进行减压；提升工序，将所述基板从所述处理槽的所述清洗液提升；排液工序，从处理槽排出清洗液；以及疏水化工序，将腔室内的气氛置换为疏水剂，对所述基板的表面进行疏水化处理。通过对腔室内进行减压，使得疏水剂的气化变得容易。并且，通过在疏水化工序中使基板暴露于疏水剂气氛中，可以在基板表面实施疏水化处理。通过采用疏水剂气氛实施疏水化处理，例如，与将基板浸渍于疏水剂液体中的情况相比，能够大幅度降低疏水剂的使用量。即，能够减少基板的干燥处理中进行疏水化处理时的疏水剂使用量。此外，还可以包括第一有机溶剂气氛形成工序，在清洗工序之后，且在减压工序之前，将腔室内的气氛置换为有机溶剂。如果将基板表面的水分直接置换为疏水剂，则疏水剂可能会失活或可能产生杂质。通过将基板表面的水分先置换为有机溶剂，然后再置换为疏水剂，能够解决这些问题。此外，还可以包括第二有机溶剂气氛形成工序，在疏水化工序之后，将腔室内的气氛置换为有机溶剂。当使疏水剂从基板表面干燥时，可能会产生杂质，或可能引起表面形成的图案的塌陷。通过将基板表面的疏水剂再次置换为有机溶剂之后使其干燥，能够解决这些问题。此外，第二有机溶剂气氛形成工序，可在减压工序中开始的对腔室内进行减压的处理持续的状态下进行。当停止了腔室减压时，由于有机溶剂的分压上升，有机溶剂有时也在基板表面以外的腔室内结露、作为液滴而附着。其结果，不能将基板表面的疏水剂置换为有机溶剂，在干燥阶段可能会导致表面图案的塌陷。通过继续减压腔室，能够解决这些问题。此外，第二有机溶剂气氛形成工序，也可以停止减压工序中开始的对腔室内进行的减压后进行。由此，有机溶剂的蒸汽易于在基板表面结露，从而可以提高基板表面置换为有机溶剂的效率。此外，疏水化工序中，疏水剂的至少一部分能够以液体形式供给至处理槽。由于通过减压工序降低腔室内的压力，因此能够促进腔室内疏水剂的气化。此外，为了以蒸汽形式供给疏水剂，有时将疏水剂的温度上升至常温以上，但如果过度升温，则在将疏水剂置换为有机溶剂的处理过程中使基板表面发生干燥，可能会导致表面图案的塌陷。通过在腔室内使疏水剂气化，可以避免过高的温度供给疏水剂的现象。此外，还具有能够在腔室内存储液体的贮液部，在疏水化工序中，疏水剂的至少一部分能够以液体形式供给至贮液部。此外，疏水剂是将第一药剂和第二药剂混合而发挥作用，在疏水化工序中，可以将第一药剂供给至处理槽，将第二药剂供给至贮液部。例如，使用以疏水剂和活性剂发挥作用的药剂，作为第一药剂和第二药剂。此时，虽然在混合后规定时间后疏水化的效果提高，但之后其效果降低。因此，不优选预先混合两种药剂。由此，能够在适当的时刻在腔室内混合第一药剂和第二药剂。此外，具有遮蔽部件，用于分隔腔室的内部空间，并且，相对于遮蔽部件，贮液部可以设置于与在提升工序中将基板提升之后的基板相同的一侧。通过这种构成，能够有效地使存储于贮液部的药剂等在基板周围气化。此外，还可以提供基板处理装置，用于干燥表面形成有规定图案的基板。具体地，该基板处理装置可以具备：密闭的腔室；处理槽，设置于腔室内，并存储清洗液而对基板进行清洗；减压装置，对腔室内进行减压；升降装置，从处理槽的清洗液提升基板；排液装置，从处理槽排出清洗液；以及疏水装置，排液装置排液之后将腔室内的气氛置换为疏水剂。通过对腔室内进行减压的减压装置，腔室的减压以及疏水剂的气化变得容易。并且，疏水装置通过将基板暴露于疏水剂气氛中，能够对基板表面实施疏水化处理。通过采用疏水剂气氛来实施疏水化处理，例如，与在疏水剂的液体中浸渍基板的情况相比，能够大幅度降低疏水剂的使用量。即，可以降低基板的干燥处理中进行疏水化处理时的疏水剂使用量。需要说明的是，用于解决上述课题的手段可以适当地组合使用。根据本专利技术，能够在干燥处理之前将疏水剂从基板上去除，并降低干燥后的杂质残留。附图说明图1是从正面观看基板处理装置的内部剖视图。图2是实施例1的处理流程图。图3是实施例1的处理流程图。图4是用于说明实施例1的处理顺序的概要的图。图5是实施例2的处理流程图。图6是用于说明实施例2的处理顺序的概要的图。图7是变形例1的处理流程图。图8是用于说明变形例1的处理顺序的概要的图。其中，附图标记说明如下：1基板处理装置10腔室11腔室盖20处理槽20P开口部30保持机构40升降机构51～55喷嘴61～65阀66排液阀71非活性气体供给源72、73IPA供给源74疏水剂供给源75处理液供给源80控制部90排气泵W基板具体实施方式以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例。需要说明的是，以下所示的实施例是本专利技术的一个实施方式，并不限制本专利技术的技术范围。＜实施例1＞(构成)图1是从正面观看根据实施例1的基板处理装置1的内部剖视图。基板处理装置1构成对多个基板(例如，半导体基板)W执行蚀刻处理、清洗处理、干燥处理的批量式系统的一部分，主要相当于实施干燥处理的单元。此基板处理装置1是，对基于纯水的冲洗(清洗)处理结束的基板，供给作为有机溶剂的IPA(异丙醇)而进行干燥的装置。基板处理装置1具备：腔室10、处理槽20、保持机构30、升降机构(对应于根据本专利技术的“升降装置”)40、喷嘴51～55、用于开闭各喷嘴的阀61～65、用于向喷嘴51供给氮(N2)气等非活性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，用于干燥在表面形成有规定图案的基板，其中，包括：清洗工序，将清洗液存储在密闭的腔室内的处理槽，将所述基板浸渍于所述清洗液中清洗；减压工序，对所述腔室内进行减压；提升工序，将所述基板从所述处理槽的所述清洗液提升出来；排液工序，从所述处理槽排出所述清洗液；以及疏水化工序，将腔室内的气氛置换为疏水剂，对所述基板的表面进行疏水化处理。

【技术特征摘要】
2016.09.26 JP 2016-1866661.一种基板处理方法，用于干燥在表面形成有规定图案的基板，其中，包括：清洗工序，将清洗液存储在密闭的腔室内的处理槽，将所述基板浸渍于所述清洗液中清洗；减压工序，对所述腔室内进行减压；提升工序，将所述基板从所述处理槽的所述清洗液提升出来；排液工序，从所述处理槽排出所述清洗液；以及疏水化工序，将腔室内的气氛置换为疏水剂，对所述基板的表面进行疏水化处理。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括第一有机溶剂气氛形成工序，在所述清洗工序之后，且在所述减压工序之前，将所述腔室内的气氛置换为有机溶剂。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括第二有机溶剂气氛形成工序，在所述疏水化工序之后，将所述腔室内的气氛置换为有机溶剂。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，在持续进行在所述减压工序中已开始的对所述腔室内进行减压的处理的状态下，进行所述第二有机溶剂气氛形成工序。5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，停止在所述减压工序中已开始的对所述腔室内的减压，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口侑二，基村雅洋，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP