基板处理装置以及半导体器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供基板处理装置及半导体器件的制造方法，其目的为提高每个基板的处理均匀性。基板处理装置具有：处理基板的多个处理室；分别设于多个处理室且将基板加热至规定温度的加热部；与多个处理室连接的真空搬运室；设于真空搬运室且能够搬运多个基板的搬运机械臂；与真空搬运室连接的预真空锁室；设于预真空锁室内且支承在处理室处理后的基板的支承部；向预真空锁室供给非活性气体的非活性气体供给部；记录有冷却配方的存储装置；及控制部，在处理室中将基板加热处理至规定温度后使基板从处理室向预真空锁室搬运，并控制非活性气体供给部和存储装置，以从存储装置读出与基板温度对应的冷却配方并基于冷却配方向基板供给非活性气体来冷却基板。

The fabrication of substrate and the manufacturing method of semiconductor devices

The invention provides a substrate processing device and a manufacturing method of a semiconductor device, in order to improve the processing uniformity of each substrate. A substrate processing apparatus has a plurality of processing chamber are respectively arranged on the substrate; a plurality of processing chamber and the substrate is heated to the specified temperature of the heating part; the vacuum transport chamber is connected with a plurality of processing chamber; handling mechanical arm is arranged on the vacuum chamber and capable of handling conveying a plurality of substrate; vacuum is connected with vacuum transport chamber the lock is arranged on the vacuum chamber; pre lock support part and the supporting substrate in indoor chamber after treatment; non active gas supply to the pre vacuum lock chamber supplying non reactive gases; record storage device cooling formula; and control unit, the substrate in a processing chamber to a specified temperature after heat treatment to the substrate from the processing chamber to the vacuum lock chamber handling, and control the inactive gas supply unit and a storage device, cooling formula to read from the storage device and the substrate temperature and the corresponding cooling direction based on non substrate supply The active gas is used to cool the substrate.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置以及半导体器件的制造方法
本专利技术涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。
技术介绍
作为半导体器件的制造工序的一道工序，存在利用多个装置进行在基板上形成含有硅(Si)等规定元素的氧化膜的处理的工序(例如参照专利文献1)。专利文献1：日本特许第5947435号公报要求提高每个基板的处理均匀性。
技术实现思路
因此，本专利技术提供一种能够提高每个基板的处理均匀性的技术。根据一个方式，提供如下技术，基板处理装置具有：多个处理室，其对基板进行处理；加热部，其分别设置于多个处理室，将基板加热至规定温度；真空搬运室，其与多个处理室连接；搬运机械臂，其设置于真空搬运室，能够对多个基板进行搬运；预真空锁室，其与真空搬运室连接；支承部，其设置于预真空锁室内，对在处理室处理后的基板进行支承；非活性气体供给部，其向预真空锁室供给非活性气体；存储装置，其记录有冷却配方；以及控制部，在处理室中将基板加热处理至规定温度之后，使基板从处理室向预真空锁室搬运，以使得从存储装置读出与基板的温度对应的冷却配方并基于冷却配方向基板供给非活性气体而对基板进行冷却的方式对非活性气体供给部和存储装置进行控制。专利技术效果根据本专利技术的技术，能够提高每个基板的处理均匀性。附图说明图1是一个实施方式的基板处理系统的横截面的概要图。图2是一个实施方式的基板处理系统的纵截面的概要图。图3是一个实施方式的L/L室的剖视图的概要图。图4是一个实施方式的工艺模块的气体供给系统和气体排放系统的概要图。图5是一个实施方式的基板处理装置的概要结构图。图6是一个实施方式的控制器的概要结构图。图7是一个实施方式的L/L时序(sequence)的判断工序例。图8是一个实施方式的基板的交替(swap)搬运例。图9是一个实施方式的不进行基板的交替搬运的例子。图10是一个实施方式的针对基板温度的冷却工序的表的例子。图11是一个实施方式的针对基板温度的冷却工序的变形例。其中，附图标记说明如下：100处理装置200晶片(基板)201处理室202处理容器212基板载置台213加热器221第1排气口234喷洒头244第1电极260控制器具体实施方式以下对本专利技术的实施方式进行说明。<一个实施方式>(1)基板处理系统的结构利用图1、图2、图4对一个实施方式的基板处理系统的概要结构进行说明。图1是表示本实施方式的基板处理系统的结构例的横向剖视图。图2是表示本实施方式的基板处理系统的结构例的图1中的α-α’处的纵向剖视图。图4是图1中的β-β’处的纵向剖视图，且是对向工艺模块供给气体的气体供给系统和排气系统进行说明的说明图。在图1及图2中，应用了本专利技术的基板处理系统1000对晶片200进行处理，该基板处理系统1000构成为主要包括IO载台1100、大气搬运室1200、预真空锁(L/L)室1300、真空搬运室(转移模块：TM)1400、工艺模块(PM)110。接下来对各结构进行具体说明。在图1的说明中，就前后左右而言，将X1方向设为右，将X2方向设为左，将Y1方向设为前，将Y2方向设为后。(大气搬运室-IO载台)在基板处理系统1000的近前侧设置有IO载台(装载端口)1100。在IO载台1100上搭载有多个盒(pod)1001。盒1001被用作对硅(Si)基板等晶片200进行搬运的搬运器，在盒1001内分别以水平姿势对多个未处理的基板(晶片)200或处理完毕的晶片200进行储存。在盒1001设置有盖1120，该盖1120由盒开启器(PodOpener：PO)1210进行开闭。PO1210对载置于IO载台1100的盒1001的盖1120进行开闭，通过使基板进出口打开或关闭而能够使晶片200进出盒1001。利用未图示的工序内搬运装置(RGV)相对于IO载台1100供给及排出盒1001。IO载台1100与大气搬运室1200相邻。大气搬运室1200在与IO载台1100不同的面连结有后述的预真空锁室1300。在大气搬运室1200内设置有作为对晶片200进行移载的第1搬运机械臂的大气搬运机械臂1220。如图2所示，通过设置于大气搬运室1200的升降机1230使大气搬运机械臂1220升降，并且通过线性致动器1240使大气搬运机械臂1220在左右方向上往复移动。如图2所示，在大气搬运室1200的上部设置有供给清洁空气的清洁单元1250。另外，如图1所示，在大气搬运室1200的左侧设置有使得形成于晶片200的缺口或定向平面对位的装置(以下称为预对准器)1260。如图1及图2所示，在大气搬运室1200的框体1270的前侧设置有用于将晶片200相对于大气搬运室1200搬入搬出的基板搬入搬出口1280、PO1210。在隔着基板搬入搬出口1280与PO1210的相反侧、即框体1270的外侧设置有IO载台1100。在大气搬运室1200的框体1270的后侧设置有用于将晶片200相对于预真空锁室1300搬入搬出的基板搬入搬出口1290。利用闸阀1330使基板搬入搬出口1290打开、关闭，由此能够进行晶片200的搬入搬出。(预真空锁(L/L)室)接下来，利用图1、图2、图3对L/L室1300进行说明。图3的下侧的图是上侧的图的γ-γ′处的剖视图。预真空锁室1300与大气搬运室1200相邻。如后所述，在构成L/L室1300的框体1310所具有的面中的与大气搬运室1200不同的面配置有TM1400。框体1310内的压力根据大气搬运室1200的压力和TM1400的压力而变动，因此L/L室1300构成为能够耐受负压的构造。在框体1310中的与TM1400相邻的那侧设置有基板搬入搬出口1340。利用闸阀(GV)1350使基板搬入搬出口1340打开、关闭，由此能够使晶片200进出。而且，在L/L室1300内设置有供晶片200载置的支承部1311a、1311b、1311c、1311d。此外，构成为：支承部1311a、1311b为第1支承部，对未处理的晶片200进行支承，支承部1311c、1311d为第2支承部，对处理完毕的晶片200进行支承。另外，设置有：非活性气体供给部，其将作为冷却气体的非活性气体向L/L室1300内供给；以及排气部601、602，其对L/L室1300内的环境气体进行排放。非活性气体供给部具有气体供给管501a、502a、阀501b、502b以及MFC501c、502c，并能够对向L/L室1300内供给的冷却气体的流量进行调整。另外，在第2支承部1311c、1311d的下侧分别设置有与晶片200相对的冷却部801a、801b。冷却部801a、801b的与晶片200相对的面形成为至少比晶片200的直径大。另外，在冷却部801a、801b构成有制冷剂流路802a、802b，且构成为从冷却器803供给制冷剂。此处，制冷剂例如采用水(H2O)、全氟聚醚(PFPE)等。(真空搬运室)基板处理系统1000具备成为在负压下对晶片200进行搬运的搬运空间的、作为搬运室的TM1400。构成TM1400的框体1410在俯视时形成为五边形，在五边形的各条边连结有L/L室1300以及对晶片200进行处理的工艺模块(PM)110a～110d。在TM1400的大致中央部，以法兰盘1430作为基部地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其特征在于，具有：多个处理室，其对基板进行处理；加热部，其分别设置于所述多个处理室，将所述基板加热至规定温度；真空搬运室，其与所述多个处理室连接；搬运机械臂，其设置于所述真空搬运室，能够对多个所述基板进行搬运；预真空锁室，其与所述真空搬运室连接；支承部，其设置于所述预真空锁室内，对在所述处理室处理后的基板进行支承；非活性气体供给部，其向所述预真空锁室供给非活性气体；存储装置，其记录有与所述基板的温度对应的冷却配方；以及控制部，其在所述处理室中将所述基板加热处理至规定温度之后，使所述基板从所述处理室搬运到所述预真空锁室，从所述存储装置读出所述冷却配方，以使得基于所述冷却配方向所述基板供给所述非活性气体而对所述基板进行冷却的方式对所述非活性气体供给部进行控制。

【技术特征摘要】
2016.09.28 JP 2016-1896401.一种基板处理装置，其特征在于，具有：多个处理室，其对基板进行处理；加热部，其分别设置于所述多个处理室，将所述基板加热至规定温度；真空搬运室，其与所述多个处理室连接；搬运机械臂，其设置于所述真空搬运室，能够对多个所述基板进行搬运；预真空锁室，其与所述真空搬运室连接；支承部，其设置于所述预真空锁室内，对在所述处理室处理后的基板进行支承；非活性气体供给部，其向所述预真空锁室供给非活性气体；存储装置，其记录有与所述基板的温度对应的冷却配方；以及控制部，其在所述处理室中将所述基板加热处理至规定温度之后，使所述基板从所述处理室搬运到所述预真空锁室，从所述存储装置读出所述冷却配方，以使得基于所述冷却配方向所述基板供给所述非活性气体而对所述基板进行冷却的方式对所述非活性气体供给部进行控制。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述多个处理室和所述真空搬运室经由闸阀而连接，在所述真空搬运室内、且在所述闸阀的侧方具有对所述基板的温度进行测定的温度传感器，所述控制部从所述存储装置读出与利用所述温度传感器测定到的温度对应的所述冷却配方。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述搬运机械臂具有两个臂，所述控制部以在进行第1搬运和第2搬运的情况下使从所述存储装置读出的冷却配方的所述非活性气体的供给量不同来对所述基板进行冷却的方式，对所述搬运机械臂和所述非活性气体供给部进行控制，所述第1搬运是在利用所述两个臂中的一个臂从所述处理室将处理完毕的基板搬出、且利用另一个臂将未处理的基板搬入之后，将搬出的所述基板搬运至所述预真空锁室，所述第2搬运是在利用所述两个臂中的一个臂从所述处理室将处理完毕的基板搬出、且没有利用另一个臂将未处理的基板搬入而将所述处理完毕的基板搬运至所述预真空锁室。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述控制部以使在进行所述第2搬运的情况下的所述非活性气体的供给量多于在进行所述第1搬运的情况下的所述非活性气体的供给量的方式对所述非活性气体供给部进行设定，并对所述搬运机械臂和所述非活性气体供给部进行控制。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，具有冷却部，该冷却部设置于所述预真空锁室内的与所述基板相对的位置，向所述冷却部的内部供给有制冷剂，所述控制部以使得基于所述冷却配方来供给所述制冷剂的方式对所述冷却部进行控制。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，具有冷却部，该冷却部设置于所述预真空锁室内的与所述基板相对的位置，向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉野晃生，保井毅，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本,JP