【技术实现步骤摘要】
一种晶圆承载装置
本技术属于半导体加工领域,尤其涉及一种晶圆承载装置。
技术介绍
晶圆激光切割设备是一种用于玻璃钝化二极管、可控硅半导体晶圆的专用激光切割设备。晶圆切割是半导体晶圆制造工艺当中的一个不可或缺的工序。在晶圆生产中,需要将在一片晶圆同时制作几千个芯片,沿切割道,通过激光切割成单一的芯片。很多二极管、可控硅晶圆制造厂存在着晶圆背面无定位切割线,而需要从正面定位,背面对应切割的需求,此时需要将晶圆正面图形朝下,吸附在切割盘上,使用相机从底部向上,对晶圆进行定位后,从上向下发射激光进行背面切割,传统的晶圆底部摄像定位切割设备所采用的晶圆承载装置是上、中、下三层机构。上层为透明玻璃材质,玻璃上分布有通孔,通孔与中层腔体连通,四周支撑体与下层透明密封玻璃构成了一个封闭的真空气道体,进行吸片。此种结构的吸片腔体需要摄像机拍摄图像的光路通过底层玻璃,再经过中间真空气道体,最后透过上层玻璃后,进行拍摄。由于中间层保持负压,在实际使用过程中,将晶圆切割的粉尘吸入中间腔体,并由于重力的作用,灰尘沉降,覆盖于整个下层玻璃表面,将摄像机摄像光路遮挡,造成摄像机拍摄视野模糊,对相机定位造成了一定影响,需要定期拆卸腔体进行清理。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种晶圆承载装置,具有不影响相机光路,无需频繁拆卸清洗的优点,本技术通过如下方式解决上述技术问题:一种晶圆承载装置,包括透明的真空吸盘、位于真空吸盘下方的相机以及真空吸盘内的真空吸附结构,其特征在于:所述真空吸附结构包括设于真空吸盘表面上的至少一个吸附凹槽,所述吸附凹槽内均设有通孔,所述真空吸盘侧面设有与多个通孔 ...
【技术保护点】
一种晶圆承载装置,包括透明的真空吸盘(101)、位于真空吸盘(101)下方的相机以及真空吸盘(101)内的真空吸附结构,其特征在于:所述真空吸附结构包括设于真空吸盘(101)表面上的至少一个吸附凹槽(100),所述吸附凹槽(100)内均设有通孔(102),所述真空吸盘(101)侧面设有与多个通孔(102)相连通的真空气道(103)。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆承载装置,包括透明的真空吸盘(101)、位于真空吸盘(101)下方的相机以及真空吸盘(101)内的真空吸附结构,其特征在于:所述真空吸附结构包括设于真空吸盘(101)表面上的至少一个吸附凹槽(100),所述吸附凹槽(100)内均设有通孔(102),所述真空吸盘(101)侧面设有与多个通孔(102)相连通的真空气道(103)。2.按照权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于:所述吸附凹槽(100)为圆形且以同心方式排布。3.按照权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于:所述真空气道(103)为管状。4.按照权利要求3所述的晶圆承载装置,其特征在于:所述真空气道(103)为横置圆柱体状。5.按照权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁波,李轶,陈瀚,侯金松,徐伟涛,杭海燕,张文亮,谷卫东,
申请(专利权)人:上海微世半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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