阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括在基底上设置有间隔预定距离且并列设置的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括依次叠设置在所述基底上的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层以及第一源极/漏极，所述第一源极/漏极与所述第一有源层电性连接。所述第二薄膜晶体管包括依次层叠设置在所述基底上的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、蚀刻阻挡层以及第二源极/漏极。所述第一有源层与所述第二栅极均为多晶硅材料，所述第一栅极与所述第二有源层包含氧化物半导体材料。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及显示器中阵列基板的制作

技术介绍
显示屏已经越来越广泛地应用于人们的生产与生活的各个领域的电子装置内，例如手机、平板电脑或者台式电脑等消费性电子领域，电视等家电领域或者户外广告等公共设备领域。目前显示屏主要为液晶显示屏(LiquidCrystalDisplay,LCD)或者有机发光显示屏(OrganicLightEmittingDiode，OLED)。为了提高显示器的显示效果，无论是应用于户外的大型显示屏幕或者应用于消费性电子的小型显示屏幕，越来越多的人开始将注意力投向显示装置的窄边框设计，窄边框显示装置可以有效降低拼接屏中非显示区域的面积，有效提高屏占比，显著提高整体的显示效果。由此，窄边框成为目前显示器领域中亟待解决的问题。
技术实现思路
为解决窄边框的问题，本专利技术提供一种具有较小尺寸的阵列基板。进一步，提供前述阵列基板的制作方法。本发一实施例提供的阵列基板，在基底上设置有间隔预定距离且并列设置的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管包括依次叠设置在所述基底上的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，在基底上设置有间隔预定距离且并列设置的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，其中：所述第一薄膜晶体管包括依次叠设在所述基底上的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层以及第一源极/漏极，所述第一源极/漏极与所述第一有源层电性连接；所述第二薄膜晶体管包括依次层叠设置在所述基底上的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、蚀刻阻挡层以及第二源极/漏极；所述第一有源层与所述第二栅极均为多晶硅材料，所述第一栅极与所述第二有源层包含氧化物半导体材料。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，在基底上设置有间隔预定距离且并列设置的第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管，其中：所述第一薄膜晶体管包括依次叠设在所述基底上的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、层间绝缘层以及第一源极/漏极，所述第一源极/漏极与所述第一有源层电性连接；所述第二薄膜晶体管包括依次层叠设置在所述基底上的第二栅极、第二栅极绝缘层、第二有源层、蚀刻阻挡层以及第二源极/漏极；所述第一有源层与所述第二栅极均为多晶硅材料，所述第一栅极与所述第二有源层包含氧化物半导体材料。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极与所述第二有源层均包含相邻设置的第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层相比所述第二氧化物半导体层靠近所述基底，所述第一氧化物半导体层的材质为铟镓锌氧化物，所述第二氧化物半导体层的材质为氧化铟锡。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述基底表面还设置有缓冲层，所述第一有源层与所述第二栅极均设置于所述缓冲层远离所述基底的表面。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层与所述第二栅极位于同一层结构且在同一制程中制作完成，所述第一有源层的多晶硅材料中包含有沟道掺杂物，所述第二栅极的多晶硅材料中包含有导电掺杂物。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述层间绝缘层与所述第二栅极绝缘层均为氧化硅材料，且所述层间绝缘层与所述第二栅极绝缘层位于同一层结构且在同一制程中制作完成。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅极绝缘层与第二栅极绝缘层同层设置并相互连接从而构成一层覆盖所述第一有源层和第二栅极的绝缘层。7.根据权利要求1-6任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所第二薄膜晶体管与进行图像显示的像素电极直接连接，用于驱动像素电极进行图像显示。8.一种阵列基板制作方法，其特征在于，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：平山秀雄，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42