一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，通过在阵列基板的显示区域设置包括非晶硅材料的第一薄膜晶体管，在边框区域设置与信号线电连接的显示检测开关电路，显示检测开关电路包括具有多晶硅材料的第二薄膜晶体管，由于第二薄膜晶体管采用多晶硅，从而提高了第二薄膜晶体管的电子迁移率，进一步提高了显示检测开关电路的驱动能力，使得显示检测开关电路在检测显示区域的显示画面时，避免出现由于显示检测开关电路的驱动能力不足而导致的显示不良现象，降低显示检测时的误判率。

An array substrate and a method for making, a display panel and a display device

The invention discloses an array substrate and its manufacturing method, display panel and display device, the display area is provided in the first thin film transistor comprises amorphous silicon array substrate, in the border region setting and signal lines are electrically connected with the display detection switch circuit, display test switch circuit includes a second thin film transistor with polysilicon materials. The second thin film transistor with polysilicon, thereby enhancing the electron mobility of the thin film transistor second, further display test switch circuit to improve the driving capability, making the display detection switch circuit in the detection region of the display screen, the display circuit to avoid detection switch driving ability caused by insufficient display bad phenomenon, reduce the display the detection error rate.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrix/OrganicLight-EmittingDiode，AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。目前，针对薄膜晶体管采用非晶硅材料制作有源层的显示面板中，边框区域包括用于检测显示画面的显示检测开关电路，显示检测开关电路由薄膜晶体管组成，为了实现显示面板的窄边框化的目的，显示检测开关电路需要不断压缩。而在对薄膜晶体管进行压缩后，当对显示面板的画面进行检测时，显示面板会出现宏观的显示不均。然而，上述显示不均现象的出现并不能代表显示面板中的器件真正的存在不良，因此，无法分辨检测出的显示不均等不良现象是由于显示检测开关电路薄膜晶体管的性能造成的还是由于显示面板中的器件存在真正的不良造成的，从而导致显示画面检测的正确率下降，造成误判。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括：显示区域和围绕所述显示区域的边框区域；多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管位于所述显示区域，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料包括非晶硅；显示检测开关电路，多条信号线，所述显示检测开关电路位于所述边框区域，所述显示检测开关电路包括多个第二薄膜晶体管，各所述第二薄膜晶体管的控制端分别与同一控制电压信号源电连接，各所述第二薄膜晶体管的第一极分别与不同的所述信号线电连接，各所述第二薄膜晶体管的第二极分别与检测电压信号源电连接；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料包括多晶硅。再一方面，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括本专利技术实施例提供的上述任一种的阵列基板。又一方面，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种的显示面板。又一方面，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法，该方法包括：在衬底基板上形成第一金属层；对所述第一金属层进行图案化以形成所述第二薄膜晶体管的控制端；在所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧形成非晶硅半导体层；在所述显示区域内，对所述非晶硅半导体层进行图案化以形成所述第一有源层；在所述边框区域内，对所述非晶硅半导体层进行图案化和晶化以形成所述第二有源层；在所述非晶硅半导体层远离所述衬底基板的一侧形成所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极；在所述衬底基板上形成所述信号线。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置中，通过在阵列基板的显示区域设置包括非晶硅材料的第一薄膜晶体管，在边框区域设置与信号线电连接的显示检测开关电路，其中，显示检测开关电路包括具有多晶硅材料的第二薄膜晶体管，由于第二薄膜晶体管采用多晶硅，从而提高了第二薄膜晶体管的电子迁移率，进一步提高了显示检测开关电路的驱动能力，使得显示检测开关电路在检测显示区域的显示画面时，避免出现由于显示检测开关电路的驱动能力不足而导致的显示不良现象。因此，本专利技术实施例提供的阵列基板，由于多晶硅材料的第二薄膜晶体管的存在，使得通过显示检测开关电路检测显示画面时，有足够的驱动能力，从而可以提高显示画面检测的正确率，降低画面检测的误判率。附图说明图1为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图3A-图3D分别为本专利技术实施例提供的第二有源层的结构示意图；图4A-图4C分别为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的第二种阵列基板的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的第三种阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的第四种阵列基板的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的第五种阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的第六种阵列基板的结构示意图；图10为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图；图11A-图11F分别为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法在执行每个步骤之后的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的一种形成多晶硅的示意图；图13为本专利技术实施例提供的一种透镜掩膜版的结构示意图；图14为图13沿CD切割后的透镜掩膜版的结构示意图；图15为本专利技术实施例提供的一种透镜组的结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的一种显示面板的结构示意图；图17为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本专利技术更全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。本专利技术中所描述的表达位置与方向的词，均是以附图为例进行的说明，但根据需要也可以做出改变，所做改变均包含在本专利技术保护范围内。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系，某些部位的层厚采用了夸示的绘图方式以便于理解，附图中的层厚并不代表实际层厚的比例关系。需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施方式的限制。如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。应理解，当元件诸如层、膜、区域或者衬底被称为位于另一个元件“上”时，其可以直接位于另一个元件上，或者可以插设有一个或多个中间元件。一般地，参见图1，阵列基板包括显示区域A和围绕显示区域A的边框区域B，边框区域B包括用于给阵列基板提供驱动信号以及显示信号的集成电路元件(IC)01，其中，IC设置在显示面板的一侧，例如，阵列基板的下边框。另外，在制作完成包括上述阵列基板的显示面板之后，需要对显示面板进行画面检测，因此在阵列基板的边框区域B还可以包括显示检测开关电路02，如图1，设置在显示区域和IC之间，其中，显示检测开关电路02也可以设置在边框区域的任一位置，不仅限于设置在显示区域和IC之间；随着全屏化设计，显示面板的窄边框设计越来越受欢迎，因此，设置在边框区域的显示检测开关电路所可以占用的面积越来越小，这就要求显示检测开关电路中的薄膜晶体管的尺寸不断被压缩，而在尺寸被压缩后，薄膜晶体管的驱动能力会降低，而同时由于非晶硅材料的迁移率本身就较低，进而会造成显示检测开关电路中薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：显示区域和围绕所述显示区域的边框区域；多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管位于所述显示区域，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料包括非晶硅；显示检测开关电路，多条信号线，所述显示检测开关电路位于所述边框区域，所述显示检测开关电路包括多个第二薄膜晶体管，各所述第二薄膜晶体管的控制端分别与同一控制电压信号源电连接，各所述第二薄膜晶体管的第一极分别与不同的所述信号线电连接，各所述第二薄膜晶体管的第二极分别与检测电压信号源电连接；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料包括多晶硅。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：显示区域和围绕所述显示区域的边框区域；多个第一薄膜晶体管，所述多个第一薄膜晶体管位于所述显示区域，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层，所述第一有源层的材料包括非晶硅；显示检测开关电路，多条信号线，所述显示检测开关电路位于所述边框区域，所述显示检测开关电路包括多个第二薄膜晶体管，各所述第二薄膜晶体管的控制端分别与同一控制电压信号源电连接，各所述第二薄膜晶体管的第一极分别与不同的所述信号线电连接，各所述第二薄膜晶体管的第二极分别与检测电压信号源电连接；所述第二薄膜晶体管包括第二有源层，所述第二有源层的材料包括多晶硅。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的外边缘形状包括矩形、圆角矩形、圆形或者椭圆形中的一种或者多种。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的电子迁移率与所述第一有源层的电子迁移率之比大于或者等于10。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一有源层的电子迁移率大于或等于0.2平方厘米/(伏·秒)且小于或等于1.5平方厘米/(伏·秒)，所述第二有源层的电子迁移率大于或等于10平方厘米/(伏·秒)且小于或等于100平方厘米/(伏·秒)。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的面积小于所述第一有源层的面积。6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度。7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二有源层的厚度小于8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的控制端位于所述第二有源层远离所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极的一侧，所述第二薄膜晶体管的第一极和第二极同层设置。9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个第一子像素列、多个第二子像素列和多个第三子像素列，所述多条信号线包括多条数据线，所述第一子像素列包括至少一条第一子像素数据线，所述第二子像素列包括至少一条第二子像素数据线，所述第三子像素列包括至少一条第三子像素数据线；所述多个第二薄膜晶体管包括多个第一子第二薄膜晶体管、多个第二子第二薄膜晶体管以及多个第三子第二薄膜晶体管，各所述第一子像素数据线分别与不同的所述第一子第二薄膜晶体管的第一极电连接，各所述第二子像素数据线分别与不同的所述第二子第二薄膜晶体管的第一极电连接，各所述第三子像素数据线分别与不同的所述第三子第二薄膜晶体管的第一极电连接；所述检测电压信号源包括第一子像素检测电压信号源、第二子像素检测电压信号源以及第三子像素检测电压信号源，各所述第一子第二薄膜晶体管的第二极分别与同...

【专利技术属性】
技术研发人员：金慧俊，
申请(专利权)人：上海中航光电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31