半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，包括均设置在基体基底上的第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；以及多个绝缘层。单个第一贯穿部分暴露第一控制电极和设置在第一控制电极的两侧处的第一半导体图案。

Semiconductor devices and their manufacturing methods

A semiconductor device and a manufacturing method are disclosed. The semiconductor device includes a base substrate; a first transistor includes a first semiconductor pattern, are provided on the base substrate, a first control electrode, a first input output electrode and the first electrode; a second transistor includes second semiconductor pattern, second electrodes, second electrodes and the control input second output; and a plurality of insulating layer. A single first penetration section exposes a first control electrode and a first semiconductor pattern set at both sides of the first control electrode.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法该专利申请要求于2016年9月19日提交的第10-2016-0119431号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开在此涉及一种半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法，更具体地，涉及一种具有改善的可靠性的半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。
技术介绍
半导体装置包括至少一个薄膜晶体管。薄膜晶体管包括具有半导体材料的半导体图案。显示装置(即，半导体装置的一个实施例)可以包括多个像素和控制多个像素的驱动电路。驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管。构造驱动电路的薄膜晶体管将用于控制像素的电信号提供至相应的像素。每个像素可以包括像素驱动电路和连接到像素驱动电路的显示元件。像素驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管和电容器。作为像素驱动电路的组件的薄膜晶体管和电容器响应于从驱动电路提供的电信号来控制显示元件。
技术实现思路
本公开提供了一种具有具备在工艺期间改善的可靠性的结构的半导体装置以及一种制造该半导体装置的方法。专利技术构思的实施例提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，设置在基体基底上并包括第一半导体图案、第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；多个绝缘层；以及第一贯穿部分，穿透所述多个绝缘层中的至少一个，其中，所述第一输入电极和所述第一输出电极中的每个通过单个所述第一贯穿部分连接至所述第一半导体图案。

【技术特征摘要】
2016.09.19 KR 10-2016-01194311.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基体基底；第一晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第一半导体图案、第一控制电极、第一输入电极和第一输出电极；第二晶体管，设置在所述基体基底上，并且包括第二半导体图案、第二控制电极、第二输入电极和第二输出电极；多个绝缘层；以及第一贯穿部分，穿透所述多个绝缘层中的至少一个，其中，所述第一输入电极和所述第一输出电极中的每个通过单个所述第一贯穿部分连接至所述第一半导体图案。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体图案包括第一区以及第二区和第三区，所述第一区与所述第一控制电极叠置，所述第二区和所述第三区彼此分隔开并且所述第一区设置在所述第二区与所述第三区之间；并且所述第一贯穿部分暴露所述第二区和所述第三区。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一贯穿部分穿透第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层设置在所述第一控制电极与所述第一半导体图案之间，并且所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上，其中，所述第一输入电极和所述第一输出电极设置在所述第二绝缘层上以通过所述第一贯穿部分接触所述第一半导体图案，其中，所述第一绝缘层包括：第一绝缘图案，与所述第一区和所述第一控制电极叠置；以及第二绝缘图案，暴露所述第二区和所述第三区并且在平面图中所述第一绝缘图案位于所述第二区与所述第三区之间。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述第一贯穿部分暴露所述第一绝缘图案的侧表面和所述第一控制电极的侧表面。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述第一绝缘图案的侧表面在剖视图中与所述第一控制电极的侧表面对齐。6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：上电极，设置在所述第二控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宰范，孙暻锡，林志勋，金亿洙，林俊亨，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR