一种数字高阶补偿带隙基准源制造技术
A digital high order compensated bandgap reference
【技术实现步骤摘要】
一种数字高阶补偿带隙基准源
本专利技术属于模拟集成电路领域，涉及带隙基准源的高阶补偿。
技术介绍
在模拟集成电路领域里，基准源是一个非常重要的模块，被广泛应用在功率转换器，数据转换器等系统中，其作用是为系统提供一个不随温度和电源电压变化的偏置。由于在众多的半导体工艺器件参数中，三极管的器件特性参数具有最好的重复性，随工艺的影响很小。因此，虽然当今在学术界和工业界有很多的全MOS的基准源被提出，带隙基准目前还是被应用得最广泛的基准源架构。随着便携式设备的发展，对基准源的精度也提出了越来越高的要求，其中低温漂基准源的设计是提高基准源精度的一个很重要的方面。如图1所示，对于电流模的带隙基准源，其基准输出电压的表达式为：其中VT是热电压，它与温度成线性正相关；N是双极型晶体管Q7和双极型晶体管Q6发射极面积的比值。VBE1是三极管的基极-发射极电压，与温度之间的关系可以表示为：其中η是工艺因子，通常为3.5左右；α是三极管集电极电流温度的指数因子；VG是硅的带隙电压，通常为1.25V左右；TR是参考温度。因此，从表达式可以看出，带隙基准的负温度系数CTAT电压中含有高阶项...
【技术保护点】
一种数字高阶补偿带隙基准源，其特征在于，包括启动电路、带隙核心电路、温度点检测电路和数字高阶补偿电路，所述带隙核心电路包括第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一双极型晶体管(Q1)和第二双极型晶体管(Q2)，第二PMOS管(MP2)的栅极连接所述启动电路的输出端，其漏极连接第一双极型晶体管(Q1)和第二双极型晶体管(Q2)的基极并通过第一电阻(R1)后接地；第三PMOS管(MP3)的栅漏短接并连接第一双极型晶体管(Q1)的集电极和第四...
【技术特征摘要】
1.一种数字高阶补偿带隙基准源，其特征在于，包括启动电路、带隙核心电路、温度点检测电路和数字高阶补偿电路，所述带隙核心电路包括第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一双极型晶体管(Q1)和第二双极型晶体管(Q2)，第二PMOS管(MP2)的栅极连接所述启动电路的输出端，其漏极连接第一双极型晶体管(Q1)和第二双极型晶体管(Q2)的基极并通过第一电阻(R1)后接地；第三PMOS管(MP3)的栅漏短接并连接第一双极型晶体管(Q1)的集电极和第四PMOS管(MP4)的栅极，第四PMOS管(MP4)的漏极连接第二双极型晶体管(Q2)的集电极、第二PMOS管(MP2)和第五PMOS管(MP5)的栅极；第三电阻(R3)的一端连接第二双极型晶体管(Q2)的发射极，另一端连接第一双极型晶体管(Q1)的发射极并通过第二电阻(R2)后接地；第一双极型晶体管(Q1)的基极连接第二双极型晶体管(Q2)的基极和第二PMOS管(MP2)的漏极并通过第一电阻(R1)后接地；第五PMOS管(MP5)的漏极作为所述数字高阶补偿带隙基准源的输出端并通过第四电阻(R4)后接地；第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)和第五PMOS管(MP5)的源极接电源电压；所述温度点检测电路包括第六PMOS管(MP6)、第三双极型晶体管(Q3)、第四双极型晶体管(Q4)、第五双极型晶体管(Q5)、第一反相器(INV1)和第四反相器(INV4)，第六PMOS管(MP6)的栅极连接所述带隙核心电路中第三PMOS管(MP3)的栅极，其源极接电源电压，其漏极连接第三双极型晶体管(Q3)...
【专利技术属性】
技术研发人员：周泽坤，余洪名，石跃，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51
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