声表面波元件制造技术

SAW元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于压电基板的上表面上的IDT电极。包含IDT电极的谐振器(5)的谐振频率以及反谐振频率收敛于频率最低的体波杂散的频率与频率次低的体波杂散的频率之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】声表面波元件
本公开涉及声表面波(SAW：SurfaceAcousticWave)元件。
技术介绍
已知具有压电基板和设置在压电基板的主面上的IDT(InterDigitalTransducer，叉指换能器)电极的SAW元件(例如专利文献1)。这样的SAW元件例如利用于双工器的接收滤波器或者发送滤波器。在专利文献1中，并不是将压电基板以单体形式用于SAW元件，而是对SAW元件使用了将压电基板和热膨胀系数比该压电基板小的支承基板贴合后得到的贴合基板。通过利用这样的贴合基板，例如SAW元件的电特性的温度变化就可得到补偿。此外，在专利文献1中，公开了若使用贴合基板则会产生杂散(spurious)且该杂散的要因是体波。并且，在专利文献1中，提出了用于将成为杂散的要因的体波彼此抵消的电极结构。期望提出各种对起因于体波的杂散进行抑制的方法。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2014-229916号公报
技术实现思路
本公开的一方式涉及的声表面波元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及包含位于所述压电基板的上表面上的第1IDT电极的第1谐振器。所述第1谐振器的谐振频率以及反谐振频率收敛于由所述第1谐振器产生的多个体波杂散的频率之中最低频率与次低频率之间。本公开的一方式涉及的声表面波元件包含：压电基板；支承基板；以及滤波器。支承基板贴合于该压电基板的下表面。滤波器包含第1IDT电极。所述第1IDT电极位于所述压电基板的上表面上。所述滤波器的通频带收敛于由所述第1IDT电极产生的多个体波杂散的频率之中最低频率与次低频率之间。本公开的一方式涉及的声表面波元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于所述压电基板的上表面上的第1IDT电极。在将所述第1IDT电极的电极指的间距设为p，将所述压电基板的厚度设为ts时，所述压电基板的归一化厚度ts/2p是1以上且3以下。附图说明图1是表示本公开的实施方式涉及的SAW元件的构成的俯视图。图2是图1的II-II线处的剖视图。图3是表示比较例的杂散的例子的图。图4(a)是表示压电基板的厚度给杂散的频率带来的影响的图，图4(b)是表示压电基板的厚度给杂散的频率间隔带来的影响的图。图5是用于说明图1的SAW元件中的压电基板的厚度的设定方法的图。图6是用于说明图1的SAW元件中的压电基板的厚度的设定方法的另一图。图7(a)以及图7(b)是表示比较例以及实施例的阻抗特性的图。图8(a)以及图8(b)是表示比较例以及实施例的相位特性的图。图9(a)以及图9(b)是用于说明电极厚度的变化的影响的图。图10(a)以及图10(b)是表示本公开的实施方式涉及的SAW滤波器的例子的示意图。图11(a)是表示本公开的一方式涉及的SAW元件的示意性的俯视图，图11(b)是表示与图11(a)不同的方式涉及的SAW元件的示意性的俯视图。图12(a)以及图12(b)是表示图11(a)以及图11(b)的方式的体波的频率特性的图。图13(a)是表示本公开的一方式涉及的SAW元件的示意性的俯视图，图13(b)是表示与图13(a)不同的方式涉及的SAW元件的示意性的俯视图。具体实施方式以下，参照附图，说明本公开的实施方式涉及的SAW元件。另外，以下的说明中使用的图是示意性的，附图上的尺寸比率等未必与实际一致。对于SAW元件来说，虽然可以将任意方向设为上方或者下方，但是以下为了便于说明，定义由D1轴、D2轴以及D3轴构成的直角坐标系，并且将D3轴方向的正侧设为上方，使用上表面、下表面等用语。(SAW元件的构成的概要)图1是表示本公开的实施方式涉及的SAW元件1的构成的俯视图。图2是图1的II-II线处的剖视图。其中，在图2中，后述的电极指的数目绘制得比图1少。SAW元件1例如具有贴合基板3和构成在贴合基板3的上表面的谐振器5。SAW元件1除此以外由SiO2等构成，也可以具有覆盖谐振器5的保护层等。贴合基板3例如具有压电基板7和贴合于压电基板7的下表面的支承基板9(图2)。另外，图1中示出了压电基板7的X轴、Y轴以及Z轴的一例。压电基板7例如由具有压电性的单晶基板构成。单晶基板例如由钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)或者水晶(SiO2)构成。切角可以设为合适的切角。例如，若是钽酸锂，则是42°±10°Y板或者0°±10°X板等。若是铌酸锂，则是128°±10°Y板或者64°±10°Y板等。另外，在以下，主要以压电基板7是由钽酸锂构成的38°以上且48°以下Y板的形式为例进行说明。只要没有特别说明，后述的仿真结果等就是由钽酸锂构成的38°以上且48°以下Y板的结果。若确定性地记载，则在该Y板中，主面与绕X轴从Y轴向Z轴以38°以上且48°以下的角度进行旋转后得到的Y′轴(未图示)正交。压电基板7的厚度ts(图2)例如是固定的。在本实施方式的SAW元件1中，使厚度ts比较薄。厚度ts的具体例将后述。支承基板9例如由热膨胀系数比压电基板7的材料小的材料形成。由此，能够补偿SAW元件1的电特性的温度变化。作为这样的材料，例如，能够列举出硅等半导体、蓝宝石等单晶以及氧化铝质烧结体等陶瓷。另外，支承基板9可以通过将由彼此不同的材料构成的多个层层叠来构成。支承基板9的厚度例如是固定的。此外，支承基板9的大小可以根据SAW元件1所要求的规格等适当设定。其中，使支承基板9的厚度厚于压电基板7的厚度，以便能够适当进行温度补偿，或者增强压电基板7的强度。作为一例，支承基板9的厚度是100μm以上且300μm以下。支承基板9的平面形状以及各种尺寸例如与压电基板7相同。压电基板7以及支承基板9例如经由未图示的粘接层被相互贴合着。粘接层的材料可以是有机材料，也可以是无机材料。作为有机材料，例如可列举热固化性树脂等树脂。作为无机材料，例如可列举SiO2。此外，压电基板7以及支承基板9可以通过用等离子等对粘接面进行活性化处理后以无粘接层的形式进行的所谓直接接合来贴合。谐振器5例如由所谓的1端口SAW谐振器构成，具有IDT电极11和位于IDT电极11的两侧的一对反射器13。IDT电极11以及反射器13的厚度te(图2)例如是固定的。IDT电极11由形成在压电基板7的上表面上的导电图案(导电层)构成，如图1所示，具有一对梳齿电极15。一对梳齿电极15例如具有：相互对置的母线17(图1)；从母线17向母线17的对置方向延伸的多个电极指19；以及在多个电极指19之间从母线17突出的虚拟电极21。并且，一对梳齿电极15配置成多个电极指19相互啮合(交叉)。母线17例如形成为以大致固定的宽度在SAW的传播方向(D1轴方向，X轴方向)上以直线状延伸的长条状。一对梳齿电极15的母线17在与SAW的传播方向交叉的方向(D2轴方向)上对置。多个电极指19例如形成为以大致固定的宽度在与SAW的传播方向正交的方向(D2轴方向)上以直线状延伸的长条状，且在SAW的传播方向(D1轴方向)上以大致固定的间隔被排列。一对梳齿电极15的多个电极指19其间距p(例如电极指19的中心间距离)例如被设置成与希望发生谐振的频率下的SAW的波长λ的半波长相同。波长λ例如是1.5μm以上且6μm以下。在多个电极指19的一部分，可以使其间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种声表面波元件，具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及包含位于所述压电基板的上表面上的第1IDT电极的第1谐振器，所述第1谐振器的谐振频率以及反谐振频率收敛于所述第1谐振器产生的多个体波杂散的频率之中的最低频率与次低频率之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.31 JP 2015-1704301.一种声表面波元件，具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及包含位于所述压电基板的上表面上的第1IDT电极的第1谐振器，所述第1谐振器的谐振频率以及反谐振频率收敛于所述第1谐振器产生的多个体波杂散的频率之中的最低频率与次低频率之间。2.一种声表面波元件，具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及包含位于所述压电基板的上表面上的第1IDT电极的滤波器，所述滤波器的通频带收敛于所述第1IDT电极产生的多个体波杂散的频率之中的最低频率与次低频率之间。3.根据权利要求1或2所述的声表面波元件，其中，所述最低频率的体波杂散和所述次低频率的体波杂散的振动方向涉及的模式相互相同，次数涉及的模式相互不同。4.根据权利要求1或2所述的声表面波元件，其中，所述最低频率的体波杂散和所述次低频率的体波杂散的振动方向涉及的模式相互不同。5.根据权利要求1～4中任一项所述的声表面波元件，其中，在将所述第1IDT电极的电极指的间距设为p，将所述压电基板的厚度设为ts时，所述压电基板的归一化厚度ts/2p为1以上且3以下。6.一种声表面波元件，具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于所述压电基板的上表面的第1IDT电极，在将所述第1IDT电极的电极指的间距设为p，将所述压电基板的厚度设为ts时，所述压电基板的归一化厚度ts/2p为1以上且3以下。7.根据权利要求1～6中任一项所述的声表面波元件，其中，所述压电基板是钽酸锂的单晶基板。8.根据权利要求7所述的声表面波元件，其中，所述压电基板是切角为38°以上且48°以下的Y板。9.根据权利要求1～8中任一项所述的声表面波元件，其中，在将所述第1IDT电极的电极指的间距设为p，将所述电极指的厚度设为te时，电极指的归一化厚度te/2p为0.080以上。10.根据权利要求1所述的声表面波元件，其中，该声表面波元件还具有第2谐振器，该第2谐振器包含位于所述压电基板的上表面上的第2IDT电极，所述第2谐振器的谐振频率低于所述第1谐振器的谐振频率，所述第2IDT电极的占空比大于所述第1IDT电...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本大辅，奥道武宏，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP