配线基板及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种在形成光透过部时能够抑制基材中裂纹的产生、并且同时具有高的光透过率且可形成微细配线的配线基板及其制造方法。该配线基板包括：具有光透过性的基材；在基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在层叠体的一部分中的作为开口的光透过部，该配线基板的特征在于：限定光透过部的侧面的至少一部分由树脂层构成，在基材的表面附近，金属层的一部分被设置为与构成限定光透过部的侧面的至少一部分的树脂层邻接且包围该树脂层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配线基板及其制造方法
本专利技术涉及配线基板及其制造方法。
技术介绍
近年来，使用半导体芯片以及外部连接部件的半导体装置被用于电子仪器以及汽车等各种各样的领域中。另外，在电子设备变得高功能化、小型化及轻量化的过程中，需要半导体封装的小型化、更多的引脚数以及外部端子的微细间距化，对高密度配线基板的要求日益提高。以往的芯材料使用了以玻璃环氧树脂为代表的有机材料，但是在芯上形成的配线的微细化是有限度的。此外，例如在连接传感器装置时，需要使用具有保护传感器及高的光透过性这样的功能的芯材。在这种情况下，能够进行配线的微细化、并且以具有高透明性和高折射率的玻璃为基材的配线基板的开发受到了关注，并且被期待应用到光学装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-5488号公报在使用用于以往的半导体封装基板用途的非感光性的层间绝缘树脂的情况下，难以制造具有光透过部的配线基板，另外，在配线基板的基材是玻璃的情况下，在为了形成光透过部而采用激光将形成在玻璃上的树脂分解除去时，会有由于激光引起的热而使玻璃产生裂纹等问题。另外，在通过激光将玻璃上的树脂除去的情况下，若为了洗净芯上的树脂残留物而将玻璃浸渍于高锰酸钾溶液中，则由于玻璃的一部分溶解而起雾，因而会有折射率降低、光透过率降低的问题。此外，在专利文献1所公开的多层配线基板中，由于隔着绝缘层而设置配线层，因而配线的微细化是有限度的。另外，由于使用了聚酰亚胺作为绝缘层，因而在使用玻璃作为基材的情况下，聚酰亚胺和玻璃之间的密合性会有问题。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种能够在形成光透过部时抑制基材中裂纹的产生、并且同时具有高的光透过率且可形成微细配线的配线基板及其制造方法。用于解决课题的方案本专利技术为一种配线基板，包括：具有光透过性的基材；在基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在层叠体的一部分中的作为开口的光透过部，所述配线基板的特征在于：限定光透过部的侧面的至少一部分由树脂层构成，在基材表面附近，金属层的一部分被设置为与构成限定光透过部的侧面的至少一部分的树脂层邻接且包围该树脂层。另外，本专利技术为一种配线基板，包括：具有光透过性的基材；在基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在层叠体的一部分中的作为开口的光透过部，所述配线基板的特征在于：在基材表面附近，金属层的一部分被设置为包围光透过部。此外，本专利技术为一种具有光透过部的配线基板的制造方法，包括：以覆盖具有光透过性的基材上的光透过部形成区域及其周围的方式形成金属层的步骤；以覆盖所形成的金属层的方式形成树脂层的步骤；选择性地除去光透过部形成区域上的树脂层的一部分而形成开口部的步骤；以及除去从开口部露出的金属层的步骤。本专利技术的效果根据本专利技术的配线基板及其制造方法，可以实现在形成光透过部时抑制基材中裂纹的产生、并且同时具有高的光透过率且可形成微细配线的配线基板及其制造方法。附图简要说明[图1]图1为使用本实施方式的配线基板而制造的半导体装置的说明图。[图2]图2为本实施方式的配线基板的说明图。[图3]图3为根据本实施方式的另一配线基板的说明图。[图4]图4为从(a)到(o)来说明根据本实施方式的配线基板的制造步骤的图。[图5]图5为从(a)到(h)来说明根据本实施方式的另一配线基板的制造步骤的图。具体实施方式以下，参照附图，对本专利技术的优选实施方式进行详细说明。需要说明的是，在以下的说明中，将相同的符号用于相同要素或具有相同功能的要素，并省略重复的说明。另外，以下，在本说明书中，将以在基材的一侧形成2层树脂层的情况为例来进行说明。图1为使用本实施方式的配线基板而制造的半导体装置的说明图。如图1所示，半导体装置1包括：层叠体101、层叠体201、光透过部60、基材30、接合端子80、外部连接端子90、部件70以及密封树脂100。需要说明的是，将在后述说明层叠体101、层叠体102及光透过部60的详细情况。部件70(例如)是具有形成于半导体基板表面上的晶体管或二极管等的集成电路(IC或LSI)，并具有大致长方体的形状。半导体基板使用(例如)硅基板(Si基板)、氮化镓基板(GaN基板)或碳化硅基板(SiC基板)等以无机物为主成分的基板。在本实施方式中，使用硅基板作为半导体基板。使用硅基板形成的部件70的线膨胀系数(CTE：CoefficientofThermalExpansion)约为2至4ppm/K(例如3ppm/K)。本实施方式中的线膨胀系数是指(例如)在20℃以上260℃以下的温度范围内对应于温度上升而变化的长度。另外，部件70也可以是(例如)CMOS传感器或CCD传感器等固体成像元件。基材30由(例如)具有使光透过的性质(透明性)的材料构成。基材30的厚度为(例如)0.05mm以上1mm以下。基材30的主表面30a为(例如)大致矩形状、大致圆形状或者大致椭圆形状等。透过基材30的光的波长范围可以为(例如)100nm以上20000nm以下，也可以为300nm以上1100nm以下。基材30使用(例如)玻璃。在使用玻璃的情况下，玻璃中的成分种类、成分比率及其制造方法均没有限制。例如，作为玻璃，可以列举出无碱玻璃、碱性玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃、感光玻璃等，但也可以使用任意的玻璃。另外，作为制造方法，可以列举出浮法、下拉法、熔融法、上拉法、辊出法等，但也可以使用通过任意方法所制作的玻璃。玻璃的线膨胀系数优选为与上述部件70的线膨胀系数接近的值，例如为-1ppm/K以上10.0ppm/K以下、或者0.5ppm/K以上5.0ppm/K以下。基于JISB0601：2013的基材30的主表面30a的最大高度粗糙度Rz可以为(例如)0.01μm以上5μm以下，也可以为0.1μm以上3μm以下。通过使基材30的主表面30a的最大高度粗糙度Rz为0.01μm以上，可以抑制制备基材30的成本增加。通过使基材30的主表面30a的最大高度粗糙度Rz为5μm以下，能够抑制由主表面30a的凹凸所引起的导体层的断线及短路等，并且同时能够实现配线微细化所带来的高密度封装。接合端子80和外部连接端子90都设置在层叠体201上，接合端子80与部件70电连接。接合端子80和外部连接端子90通过(例如)Sn、Sn-Pb、Sn-Ag、Sn-Cu、Sn-Ag-Cu或Sn-Bi等的焊料而形成。在接合端子80和外部连接端子90由焊料构成的情况下，在形成接合端子80和外部连接端子90之前，可以对金属层在层叠体201的主表面201a露出的部分进行(例如)Ni镀覆、Au镀覆、Sn镀覆或预钎焊处理，也可以进行OSP(OrganicSolderabilityPreservative，有机可焊性保护层)等有机覆膜处理。图2及图3分别是本实施方式的配线基板的说明图。如图2及图3所示，根据本实施方式的配线基板11及根据本实施方式的另一配线基板12分别包括：基材30、层叠体101、层叠体201、光透过部60、接合端子80、外部连接端子90以及金属层500。层叠体101包括：籽晶层102、金属层103、金属层202的一部分、籽晶层106的一部分、通孔104的一部分、以及树脂层105。层叠体201包括：金属层202的一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配线基板，包括：具有光透过性的基材；在所述基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在所述层叠体的一部分中的作为开口的光透过部，所述配线基板的特征在于：限定所述光透过部的侧面的至少一部分由所述树脂层构成，在所述基材的表面附近，所述金属层的一部分被设置为与构成限定所述光透过部的所述侧面的至少一部分的树脂层邻接且包围该树脂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.10 JP 2015-1389851.一种配线基板，包括：具有光透过性的基材；在所述基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在所述层叠体的一部分中的作为开口的光透过部，所述配线基板的特征在于：限定所述光透过部的侧面的至少一部分由所述树脂层构成，在所述基材的表面附近，所述金属层的一部分被设置为与构成限定所述光透过部的所述侧面的至少一部分的树脂层邻接且包围该树脂层。2.一种配线基板，包括：具有光透过性的基材；在所述基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在所述层叠体的一部分中的作为开口的光透过...

【专利技术属性】
技术研发人员：土田彻勇起，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP