半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置制造方法及图纸

存在无法在二维扩展地配置的晶体管的整个区域中使电流密度均匀的缺点。在并列地配置有多个具有漏极、源极和栅极的晶体管(1)的晶体管层之上，并排设置有连接各晶体管(1)的漏极的作为输入侧布线层的金属布线层(10)以及连接各晶体管的源极的作为输出侧布线层的金属布线层(11)。还具备多个通孔(2、3)，该多个通孔(2、3)将作为输入侧布线层的金属布线层(10)与各晶体管的漏极连接，并且将作为输出侧布线层的金属布线层(11)与各晶体管的源极连接。而且，使多个通孔(2、3)的电阻值沿着输入侧布线层以及输出侧布线层的排列方向改变。由此，能够使二维扩展地配置的晶体管的电流密度均匀。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置
本专利技术涉及一种半导体装置、半导体集成电路以及负载驱动装置。
技术介绍
在车辆的电子控制中，广泛使用驱动负载的负载驱动装置。该负载驱动装置对开关元件进行ON/OFF控制，在被用作开关元件的晶体管中流过大电流。而且，晶体管被集成电路化，大量的晶体管密集排列，各个晶体管的漏极共同连接于漏极用焊盘，并且，各个晶体管的源极共同连接于源极用焊盘。另一方面，为了降低负载驱动装置的成本，要求缩小晶体管的尺寸。但是，由于晶体管的缩小，连接各个晶体管的金属布线层的电流密度会变高，金属布线层的电流密度高的部位恐怕会由于电迁移而劣化。因此，需要使晶体管上的电流密度均匀。存在以这样的电流密度的均匀化为目的的记载于专利文献1的技术。专利文献1所记载的半导体装置具有将各晶体管的漏极端子与第1导电体层连接的漏极用通孔。还具有将各晶体管的源极端子与第2导电体层连接的源极用通孔。而且，使该源极用通孔以及漏极用通孔的配置分布根据距源极用焊盘以及漏极用焊盘的距离而改变。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006－278677号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：晶体管层，其二维状地配置有具有输入部、输出部和控制部的多个晶体管；多个布线层，其用于将所述多个晶体管的所述输入部电连接到输入端子，将所述多个晶体管的所述输出部电连接到输出端子；以及多个层间连接导体，其分别将所述多个布线层以及所述晶体管层之间连接，所述多个布线层具有第1布线层，所述第1布线层沿着规定的排列方向排列有连接到所述输入端子的至少1个输入侧布线层以及连接到所述输出端子的至少1个输出侧布线层，所述多个层间连接导体的电阻值根据所述排列方向的位置而相互不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.21 JP 2015-1633191.一种半导体装置，其特征在于，具备：晶体管层，其二维状地配置有具有输入部、输出部和控制部的多个晶体管；多个布线层，其用于将所述多个晶体管的所述输入部电连接到输入端子，将所述多个晶体管的所述输出部电连接到输出端子；以及多个层间连接导体，其分别将所述多个布线层以及所述晶体管层之间连接，所述多个布线层具有第1布线层，所述第1布线层沿着规定的排列方向排列有连接到所述输入端子的至少1个输入侧布线层以及连接到所述输出端子的至少1个输出侧布线层，所述多个层间连接导体的电阻值根据所述排列方向的位置而相互不同。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述多个布线层具有所述第1布线层、以及设置于比所述第1布线层更靠所述晶体管层侧的位置的第2布线层，所述多个层间连接导体具有将所述第2布线层与所述多个晶体管的所述输入部以及所述输出部连接的多个第1层间连接导体，所述多个第1层间连接导体的电阻值根据所述排列方向的位置而相互不同。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述多个第1层间连接导体的电阻值至少根据所述第2布线层的布线长度而变化。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述多个层间连接导体具有所述多个第1层间连接导体、以及将所述第1布线层与所述第2布线层连接的第2层间连接导体，所述第2布线层的布线长...

【专利技术属性】
技术研发人员：池谷克己，大岛隆文，
申请(专利权)人：日立汽车系统株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP