有源元件及有源元件的制造方法技术

本发明专利技术提供能够抑制分隔壁相对于电极的位置偏移的有源元件及有源元件的制造方法。本发明专利技术的有源元件具有：基材2；第一电极5和第二电极6，在基材2的一主面上相邻地形成；有机半导体层9，在基材2的一主面上，以至少覆盖第一电极5与第二电极6之间的区域的方式而形成；以及分隔壁12，在基材2的一主面上，形成于比有机半导体层9更靠面方向外侧、且与形成有第一电极5和第二电极6的区域不同的区域，分隔壁12是导电材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有源元件及有源元件的制造方法
本专利技术涉及在半导体层使用有机半导体的有源元件。
技术介绍
近年来，随着有源元件的薄型化、柔性化、轻量化、大面积化等的需求增加，作为基材材料，使用了聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚酰亚胺(PI)等高分子膜。随之，开发出了各种将能够在该膜的耐热温度以下成膜的有机半导体用作半导体层的有源元件。在有机半导体的成膜使用印刷法的情况下，由于含有有机半导体的墨水的润湿铺展方式与有源元件的特性直接相关，因此所制造的各个元件可能产生特性的偏差。为了控制该墨水的润湿铺展，包围墨水的围堰(分隔壁)例如由通过含有氟成分而具有疏液性的绝缘体材料形成。这种围堰例如通过光刻法、印刷法形成(例如，参照专利文献1的段落0028、0033)。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2008/120351号
技术实现思路
专利技术要解决的问题由于聚四氟乙烯(PTFE)等含有氟成分的绝缘体材料相对于有机半导体墨水的润湿性低，因此适合作为分隔壁的材料。但是，需要在电极的形成工序之外进行分隔壁的形成工序，因此容易发生分隔壁相对于电极的位置偏移。特别是，在使用膜作为基材的情况下，由于随着反复进行成膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源元件，其特征在于，具有：基材；第一电极和第二电极，在该基材的一主面上相邻地形成；有机半导体层，在所述基材的一主面上，形成为至少覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的区域；以及分隔壁，在所述基材的一主面上形成于比所述有机半导体层更靠面方向外侧的位置、且形成于与形成有所述第一电极和所述第二电极的区域不同的区域，所述分隔壁是导电材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.02 JP 2015-1733311.一种有源元件，其特征在于，具有：基材；第一电极和第二电极，在该基材的一主面上相邻地形成；有机半导体层，在所述基材的一主面上，形成为至少覆盖所述第一电极与所述第二电极之间的区域；以及分隔壁，在所述基材的一主面上形成于比所述有机半导体层更靠面方向外侧的位置、且形成于与形成有所述第一电极和所述第二电极的区域不同的区域，所述分隔壁是导电材料。2.根据权利要求1所述的有源元件，其中，所述分隔壁形成有多个，在一所述分隔壁与另外的所述分隔壁之间形成有所述有机半导体层。3.根据权利要求2所述的有源元件，其中，所述第一电极的一条边与所述第二电极的一条边相对配置，一所述分隔壁与另外的所述分隔壁相对配置，所述第一电极的一条边和所述第二电极的一条边相对的方向与一所述分隔壁和另外的所述分隔壁相对的方向正交。4.根据权利要求1至3中任一项所述的有源元件，其中，所述分隔壁的所述导电材料是Cu。5.根据权利要求1至4中任一项所述的有源元件，其中，所述有源元件具有：绝缘层，形成在所述有机半导体层上；以及第三电极，形成在该绝缘层上，所述分隔壁的润湿性小于所述基材的润湿性。6.根据权利要求1至4中任一项所述的有源元件，其中，所述有源元件具有：第三电极，形成在所述基材的一主面上；以及绝缘层，形成在该第三电极上，所述第一电极、所述第二电极、所述有机半导体层形成在所述绝缘层上，并且，所述分隔壁的润湿性小于所述绝缘层的润湿性。7.根据权利要求1至4中任一项所述的有源元件，其中，所述有源元件具有形成在所述基材的另一主面上的第三电极，所述分隔壁的润湿性小于所述基材的润湿性。8.根据权利要求1至7中任一项所述的有源元件，其中，所述分隔壁的润湿性小于所述第一电极及所述第二电极的润...

【专利技术属性】
技术研发人员：滩秀明，
申请(专利权)人：NISSHA株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP