一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法技术

一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法，其特征是包括如下步骤：步骤1)在平整衬底(1)上交替沉积不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)；步骤2)切开平整衬底(1)、不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)，在断口选择性地对可腐蚀纳米薄膜层(3)进行腐蚀，使得其与不可腐蚀纳米薄膜层(2)之间形成落差。本发明专利技术方法可应用于高分辨率超长多种一维纳米图案的制备，且该方法制备分辨率高，工艺简单，能高效率，低成本地在多种功能材料表面制备一维纳米图案，能够很好的满足实际需求。

A method for the preparation of high resolution and ultra long one dimensional nanoscale pattern

【技术实现步骤摘要】
一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法
本专利技术属于纳米图案制备
，具体涉及一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法。
技术介绍
一维纳米图案作为表面纳米图案的一个分支，在光学元件，纳米电子器件等领域有着广泛的应用。光学元件中的光波导、一维纳米光栅、微流控生物芯片中的纳米微通道、纳米电子器件中的石墨烯纳米带等都是典型的一维纳米图案。这些应用通常需要一维纳米图案具有高分辨率和较大的长度。因此，高分辨率较大长度的一维纳米图案制备技术成为纳米科技研究领域的一个热点。目前，常见的衬底表面一维纳米图案制备方法主要有喷墨打印技术、机械刻划技术、化学自组装技术、嵌段聚合物相分离技术、干涉光刻技术、扫描探针直写技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术等。这些方法都存在一定的不足：喷墨打印技术和机械刻划技术可以在多种功能材料表面制备任意尺寸的图案且效率较高，但制备分辨率不高，很难得到线宽在100纳米以下的一维纳米图案。扫描探针直写技术、电子束光刻技术和聚焦离子束光刻技术这类直写可以自由的制备高分辨率的任意一维纳米图案，但这些技术通常工作效率很低，所用设备昂贵，制备周期很长。这些直写方法在制备线宽比较本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法，其特征是包括如下步骤：步骤1)在平整衬底(1)上交替沉积不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)；步骤2)切开平整衬底(1)、不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)，在断口选择性地对可腐蚀纳米薄膜层(3)进行腐蚀，使得其与不可腐蚀纳米薄膜层(2)之间形成落差；步骤3)将步骤2)中得到的不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)之间的落差组成的一维纳米凹刻图案转移到柔性衬底(4)表面得到柔性纳米压印模板(5)；步骤4)利用柔性纳米压印模板(5)在纳米压印胶(8)上压印出步骤3)所述的一维纳米凹刻图案对应一致的纳米压印胶的凹印结构(9)...

【技术特征摘要】
1.一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法，其特征是包括如下步骤：步骤1)在平整衬底(1)上交替沉积不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)；步骤2)切开平整衬底(1)、不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)，在断口选择性地对可腐蚀纳米薄膜层(3)进行腐蚀，使得其与不可腐蚀纳米薄膜层(2)之间形成落差；步骤3)将步骤2)中得到的不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)之间的落差组成的一维纳米凹刻图案转移到柔性衬底(4)表面得到柔性纳米压印模板(5)；步骤4)利用柔性纳米压印模板(5)在纳米压印胶(8)上压印出步骤3)所述的一维纳米凹刻图案对应一致的纳米压印胶的凹印结构(9)；步骤5)通过有选择地刻蚀步骤4)所述的纳米压印胶的凹印结构(9)的凹部，将步骤3)所述的一维纳米凹刻图案转移到功能材料衬底(6)表面的平整衬底顶层(7)上，制备出功能材料一维纳米图案；步骤6)利用刻蚀去掉多余的纳米压印胶的凹印结构(9)。2.根据权利要求1所述的一种高分辨率超长一维纳米图案制备方法，其特征在于：所述的不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)的沉积方式为化学气相沉积、外延生长、电子束蒸发沉积、原子层沉积、激光脉冲沉积或等离子溅射沉积；不可腐蚀纳米薄膜层(2)和可腐蚀纳米薄膜层(3)的材料为金属，半导体，金属氧化物，聚合物材料，其中可腐蚀纳米薄膜层(3)在一定腐蚀条件下会被腐蚀，而不可腐蚀纳米薄膜层(2)在该条件下不会被腐蚀；腐蚀条件是液相腐蚀剂的湿法腐蚀或者是等离子体的干法腐蚀，可腐蚀纳米薄膜层(3)的腐蚀深度在1-50000纳米之...

【专利技术属性】
技术研发人员：边捷，
申请(专利权)人：边捷，
类型：发明
国别省市：江苏,32