像素结构制造技术

本公开提供一种像素结构，包括基板、信号线、多个像素单元以及遮光图案层。信号线设置于基板上，且具有相对的第一侧与第二侧。相邻的两个像素单元分别设置于信号线的第一侧与第二侧。各个像素单元包括主动元件、共用电极、绝缘层以及像素电极。绝缘层位于共用电极上。像素电极位于绝缘层上，并与主动元件电性连接。像素电极包括边缘条状电极以及多个延伸电极。多个延伸电极分别从边缘条状电极朝向信号线延伸。遮光图案层位于相邻的两个像素单元之间，且遮光图案层与信号线彼此重叠。本发明专利技术提供的像素结构既可以改善像素结构混色的问题，又能够兼顾良好的穿透率。

Pixel structure

The present disclosure provides a pixel structure, including a substrate, a signal line, a plurality of pixel units, and a light shading pattern layer. The signal line is set on the substrate and has a relative first side and second sides. Two adjacent pixel units are respectively set on the first side and the second side of the signal line. Each pixel unit consists of an active element, a common electrode, an insulating layer, and a pixel electrode. The insulating layer is located on the common electrode. The pixel electrode is located on the insulating layer and electrically connected with the active element. The pixel electrode consists of an edge strip electrode and a plurality of extended electrodes. A plurality of extended electrodes are extended from the edge strip electrode to the signal line respectively. The shading pattern layer is located between two adjacent pixel units, and the shading pattern layer and the signal line overlap each other. The pixel structure provided by the invention can not only improve the problem of color mixing in the pixel structure, but also give consideration to the good penetration rate.

【技术实现步骤摘要】
像素结构
本专利技术涉及一种像素结构，且特别涉及一种有助于改善侧视时混色问题的像素结构。
技术介绍
具有空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示面板已逐渐成为市场主流。为了让液晶显示面板有更好的显示品质，目前市面上发展出了各种广视角的液晶显示面板，如共平面切换式(in-planeswitching；IPS)液晶显示面板、边际场切换式(fringefieldswitching；FFS)液晶显示面板与多域垂直配向式(multi-domainverticalalignment；MVA)液晶显示面板等。以边际场切换式液晶显示面板为例，其具有广视角(wideviewingangle)以及低色偏(colorshift)等优点特性。然而，在现有的边际场切换式液晶显示面板中，由于每一像素电极与邻近的像素电极之间具有边缘电场(fringefield)，使得光穿透率(transmittance)会随着视角改变而有所不同或发生漏光现象。意即，当使用者正视与侧视显示画面时，边际场切换式液晶显示面板所显示出的亮度会有所不同，或有显示画面有混色(colormixing)等问题。因此，如何改善边际场切换式液晶显示面板的混色问题，又能够兼顾良好的穿透率，使其具有更佳的显示品质，实为研发者所欲达的目标之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，其可以改善像素结构混色的问题，又能够兼顾良好的穿透率。本专利技术的像素结构，包括基板、第一信号线、第一像素单元、第二像素单元以及第一遮光图案层。第一信号线设置于基板上，且具有第一侧与第二侧。第一像素单元设置于第一信号线的第一侧。第一像素单元包括第一主动元件、第一共用电极、第一绝缘层以及第一像素电极。第一绝缘层位于第一共用电极上。第一像素电极位于第一绝缘层上，并与第一主动元件电性连接。第一像素电极包括第一边缘条状电极以及多个第一延伸电极，且第一延伸电极分别从第一边缘条状电极朝向第一信号线延伸。第二像素单元设置于第一信号线的第二侧。第二像素单元包括第二主动元件、第二共用电极、第二绝缘层以及第二像素电极。第二绝缘层位于第二共用电极上。第二像素电极位于第二绝缘层上，并与第二主动元件电性连接。第二像素电极包括第二边缘条状电极以及多个第二延伸电极，且第二延伸电极分别从第二边缘条状电极朝向第一信号线延伸。第一遮光图案层位于第一像素单元与第二像素单元之间，且第一遮光图案层与第一信号线彼此重叠。基于上述，本专利技术提出的一种像素结构中，第一像素单元具有第一边缘条状电极以及多个第一延伸电极，第二像素单元具有第二边缘条状电极以及多个第二延伸电极，第一遮光图案层位于第一像素单元与第二像素单元之间，其中第一延伸电极以及第二延伸电极形成不同方向的边缘电场，如此除了可以改善像素结构混色的问题，又能够兼顾良好的穿透率。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术一实施例的像素结构的俯视图。图2是图1中区域102的放大图。图3为本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图。图4为本专利技术一实施例的像素结构于图1中区域102所形成的边缘电场FF的俯视图。图5示出本专利技术的测试例2的像素结构的在视角约为60度时其光通量比值的关系图。图6示出本专利技术的测试例3的像素结构的在视角约为60度时其光通量比值的关系图。图7示出本专利技术的测试例3的像素结构的在正视角时穿透第二彩色滤光图案的光通量减少量的关系图。图8示出本专利技术的测试例4的像素结构的在视角约为60度时其光通量比值的关系图。图9示出本专利技术的测试例4的像素结构的在正视角时穿透第二彩色滤光图案的光通量减少量的关系图。图10示出本专利技术的测试例5的像素结构的在视角约为60度时其光通量比值的关系图。图11示出本专利技术的测试例5的像素结构的在正视角时穿透第二彩色滤光图案的光通量减少量的关系图。图12示出本专利技术的测试例6的像素结构的在视角约为60度时其光通量比值的关系图。图13为本专利技术另一实施例的像素结构的俯视图。附图标记说明：100、300：像素结构200：显示面板102：区域11：第一基板SL1：第一信号线SD1：第一侧SD2：第二侧SL2：第二信号线SL3：第三信号线CW1：第一接触窗CW2：第二接触窗PU1：第一像素单元SW1：第一主动元件G1：第一栅极S1：第一源极D1：第一漏极SM1：第一通道层CE1：第一共用电极130：第一绝缘层PE1：第一像素电极111：第一像素条状电极112：第一边缘条状电极113：第一延伸电极114：狭缝θ1：第一夹角EF1：第一电场PU2：第二像素单元SW2：第二主动元件G2：第二栅极S2：第二源极D2：第二漏极SM2：第二通道层CE2：第二共用电极140：第二绝缘层PE2：第二像素电极121：第二像素条状电极122：第二边缘条状电极123：第二延伸电极124：狭缝θ2：第二夹角EF2：第二电场FF：边缘电场132：栅极绝缘层150：平坦层160：第一遮光图案层12：第二基板12a：表面170：显示介质层CF1：第一彩色滤光图案CF2：第二彩色滤光图案BM：第二遮光图案层θ3：视角a：像素间距b：遮光宽度c：延伸长度d：延伸宽度e：电极间距f：重叠宽度R：光通量比值具体实施方式在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或”连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接(耦接)，而电性连接(耦接)可存在中间元件。本文使用的“约”、“大致上”、“近似”或、“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。图1为本专利技术一实施例的像素结构的俯视图。图2是图1中区域102的放大图。为求清楚表示与便于说明，图1以及图2省略示出部分的膜层。以下，将通过图1至图2来详细描述本专利技术的一实施例的像素结构的实施方式。像素结构100包括第一基板11(示出于图3)、第一信号线SL1、第二信号线SL2、第三信号线SL3、第一像素单元PU1、第二像素单元PU2以及第一遮光图案层160。第一信号线SL1与第二信号线SL2设置于第一基板11上。第一基板11的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是其他适宜的材质，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：一基板；一第一信号线，设置于该基板上，且具有一第一侧与一第二侧；一第一像素单元，设置于该第一信号线的该第一侧，其中该第一像素单元包括：一第一主动元件；一第一共用电极；一第一绝缘层，位于该第一共用电极上；以及一第一像素电极，位于该第一绝缘层上，并与该第一主动元件电性连接，其中该第一像素电极包括一第一边缘条状电极以及多个第一延伸电极，且所述第一延伸电极分别从该第一边缘条状电极朝向该第一信号线延伸；一第二像素单元，设置于该第一信号线的该第二侧，其中该第二像素单元包括：一第二主动元件；一第二共用电极；一第二绝缘层，位于该第二共用电极上；以及一第二像素电极，位于该第二绝缘层上，并与该第二主动元件电性连接，其中该第二像素电极包括一第二边缘条状电极以及多个第二延伸电极，且所述第二延伸电极分别从该第二边缘条状电极朝向该第一信号线延伸；以及一第一遮光图案层，位于该第一像素单元与该第二像素单元之间，且该第一遮光图案层与该第一信号线彼此重叠。

【技术特征摘要】
2017.09.25 TW 1061327591.一种像素结构，包括：一基板；一第一信号线，设置于该基板上，且具有一第一侧与一第二侧；一第一像素单元，设置于该第一信号线的该第一侧，其中该第一像素单元包括：一第一主动元件；一第一共用电极；一第一绝缘层，位于该第一共用电极上；以及一第一像素电极，位于该第一绝缘层上，并与该第一主动元件电性连接，其中该第一像素电极包括一第一边缘条状电极以及多个第一延伸电极，且所述第一延伸电极分别从该第一边缘条状电极朝向该第一信号线延伸；一第二像素单元，设置于该第一信号线的该第二侧，其中该第二像素单元包括：一第二主动元件；一第二共用电极；一第二绝缘层，位于该第二共用电极上；以及一第二像素电极，位于该第二绝缘层上，并与该第二主动元件电性连接，其中该第二像素电极包括一第二边缘条状电极以及多个第二延伸电极，且所述第二延伸电极分别从该第二边缘条状电极朝向该第一信号线延伸；以及一第一遮光图案层，位于该第一像素单元与该第二像素单元之间，且该第一遮光图案层与该第一信号线彼此重叠。2.如权利要求1所述的像素结构，其中：该第一像素电极还包括多个第一像素条状电极，该第一边缘条状电极设置于所述第一像素条状电极与该第一信号线之间；以及该第二像素电极还包括多个第二像素条状电极，该第二边缘条状电极设置于所述第二像素条状电极与该第一信号线之间。3.如权利要求1所述的像素结构，还包含一第二信号线与一第三信号线，其中：该第一主动元件，包括一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极，其中该第一源极与该第一信号线电性连接，该第一漏极与该第一像素电极电性连接，以及该第一栅极与该第三信号线电性连接；以及该第二主动元件，包括一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极，其中该第二源极与该第二信号线电性连接，该第二漏极与该第二像素电极电性连接，以及该第二栅极与该第三信号线电性连接。4.如权利要求1所述的像素结构，还包含一第二信号线与一第三信号线，其中：该第一主动元件，包括一第一栅极、一第一漏极以及一第一源极，其中该第一栅极与该第一信号线电性连接，该第一源极与该第三信号线电性连接，以及该第一漏极与该第一像素电极电性连接；以及该第二主动元件，包括一第二栅极、一第二漏极以及一第二源极，其中该第二栅极与该第二信号线电性连接，该第二源极与该第三信号线电性连接，以及该第二漏极与该第二像素电极电性连接。5.如权利要求1所述的像素结构，其中所述第一延伸电极与所述第二延伸电极彼此交错设置。6.如权利要求1所述的像素结构，其中该第一共用电极与该第二共用电极电性连接，且该第一遮光图案层位于该第一共用电极与该第二共用电极上方。7.如权利要求1所述的像素结构，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张展源，黄俊儒，叶昭纬，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71