高压半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供高压半导体装置，其包含基底，源极区及漏极区设置于基底内，且被隔离结构隔开，第一金属层设置于基底上，包含第一金属层主体部与源极区及漏极区各自电连接，以及多个第一金属阻挡块，设置在隔离结构的正上方，第二金属层在第一金属层上，包含第二金属层主体部与源极区及漏极区各自电连接，以及多个第二金属阻挡块设置在隔离结构的正上方，其中每一个第一金属阻挡块与对应的第二金属阻挡块之间具有重叠部分，以及导通孔设置于第一金属层与第二金属层间，其中导通孔设置于第一金属阻挡块与第二金属阻挡块间的重叠部分。本发明专利技术的高压半导体装置更能防止游离电子渗透至隔离结构上，而减低击穿电压下降和漏电的机率。

【技术实现步骤摘要】
高压半导体装置
本专利技术有关于半导体装置，且特别有关于高压半导体装置。
技术介绍
高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金属氧化物(verticallydiffusedmetaloxidesemiconductor，VDMOS)晶体管及水平扩散金属氧化物(LDMOS)晶体管，主要用于18V以上的元件应用领域。高压半导体装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。在传统的高压半导体装置中，隔离结构(例如为场氧化层)会直接曝露在保护层或模塑料下，形成上述材料的过程中可能产生裂缝，而使得游离电荷(mobilecharge)会渗透至场氧化层上，造成击穿电压下降且使得漏电的机率上升。因此，有必要寻求一种新的高压半导体装置结构以解决上述的问题。
技术实现思路
本专利技术的一些实施例关于高压半导体装置，其包含基底，源极区及漏极区各别设置于基底内，且被隔离结构隔开，第一金属层设置于基底上，包含：第一金属层主体部与源极区及漏极区各自电连接，以及多个第一金属阻挡本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一基底；一源极区及一漏极区，设置于该基底内，且被一隔离结构隔开；一第一金属层，设置于该基底上，包括：第一金属层主体部，与该源极区及该漏极区各自电连接；以及多个第一金属阻挡块，设置在该隔离结构的正上方；一第二金属层，设置于该第一金属层上，包括：第二金属层主体部，与该源极区及该漏极区各自电连接；以及多个第二金属阻挡块，设置在该隔离结构的正上方，其中每一个该第一金属阻挡块与对应的该第二金属阻挡块之间具有一第一重叠部分；以及一第一导通孔，设置于该些第一金属层与该些第二金属层间，其中该第一导通孔设置于该第一金属阻挡块与该第二金属阻挡块间的该第一重叠部分。

【技术特征摘要】
2016.09.05 TW 1051286041.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一基底；一源极区及一漏极区，设置于该基底内，且被一隔离结构隔开；一第一金属层，设置于该基底上，包括：第一金属层主体部，与该源极区及该漏极区各自电连接；以及多个第一金属阻挡块，设置在该隔离结构的正上方；一第二金属层，设置于该第一金属层上，包括：第二金属层主体部，与该源极区及该漏极区各自电连接；以及多个第二金属阻挡块，设置在该隔离结构的正上方，其中每一个该第一金属阻挡块与对应的该第二金属阻挡块之间具有一第一重叠部分；以及一第一导通孔，设置于该些第一金属层与该些第二金属层间，其中该第一导通孔设置于该第一金属阻挡块与该第二金属阻挡块间的该第一重叠部分。2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该第一导通孔设置在该隔离结构的正上方。3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，每一个该第一金属阻挡块的长度相同，每一个该第二金属阻挡块的长度相同。4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，该些第一金属阻挡块具有一第一长度及一不...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏布，陈柏安，维克，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71