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本发明提供高压半导体装置，其包含基底，源极区及漏极区设置于基底内，且被隔离结构隔开，第一金属层设置于基底上，包含第一金属层主体部与源极区及漏极区各自电连接，以及多个第一金属阻挡块，设置在隔离结构的正上方，第二金属层在第一金属层上，包含第二金...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

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