源费米滤波器场效应晶体管制造技术

讨论了在源极和源极触点之间具有费米滤波器的费米滤波器场效应晶体管、结合这样的晶体管的系统以及用于形成它们的方法。这样的晶体管可以包括两者均具有第一极性的源极和漏极之间的沟道以及源极和源极触点之间的费米滤波器，使得费米滤波器具有与第一极性互补的第二极性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】源费米滤波器场效应晶体管
本专利技术的实施例通常涉及低泄漏和低功率场效应半导体晶体管并且更具体地涉及源费米滤波器场效应晶体管和关联设备。
技术介绍
在集成电路的上下文中，可能期望实现具有低泄漏电流的低功率晶体管。然而，当前的晶体管设计和实现可具有相当多的限制。例如，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）具有带有的理论极限的亚阈值斜率（例如，使得k是玻尔兹曼常数，T是温度并且q是元电荷）。在室温下，例如针对MOSFET，亚阈值斜率（SS）的理论极限可以是60mv/dec（毫伏/每十）。特别地，针对可以确定集成电路的备用功率要求的泄漏电流目标，MOSFET可以仅以的最大速率（例如室温下的60mv/dec）从泄漏电流目标增加到MOSFET的导通电流。此外，对于低有功功率，可要求集成电路以更低的电源电压进行操作。然而，由于从泄漏电流到导通电流的电流的增加的有限（例如）速率，当在低电源电压下操作MOSFET时，导通电流（以及因此性能）被显著减少，因为它可能正在接近它的阈值电压进行操作。在其它实现中，可以实现隧穿场效应晶体管（TFET）。这样的TFET可以实现更急剧的导通行为（例如比MOS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管，包括：布置在源极和漏极之间的沟道，其中所述源极和所述漏极包括第一极性；邻近所述沟道的栅极；以及布置在所述源极和源极触点之间的费米滤波器，其中所述费米滤波器包括与所述第一极性互补的第二极性，并且其中所述费米滤波器和所述源极包括在它们之间的、具有距所述栅极的横向距离的隧道结。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶体管，包括：布置在源极和漏极之间的沟道，其中所述源极和所述漏极包括第一极性；邻近所述沟道的栅极；以及布置在所述源极和源极触点之间的费米滤波器，其中所述费米滤波器包括与所述第一极性互补的第二极性，并且其中所述费米滤波器和所述源极包括在它们之间的、具有距所述栅极的横向距离的隧道结。2.如权利要求1所述的晶体管，其中所述隧道结包括异质结。3.如权利要求2所述的晶体管，其中所述源极包括N+掺杂硅并且所述费米滤波器包括锗或锡化锗中的至少一个。4.如权利要求2所述的晶体管，其中所述源极包括P+掺杂硅并且所述费米滤波器包括砷化铟或锑化铟中的至少一个。5.如权利要求2所述的晶体管，其中所述源极包括N+掺杂砷化铟镓或N+掺杂砷化铟中的至少一个，并且所述费米滤波器包括硅或锑化镓中的至少一个。6.如权利要求2所述的晶体管，其中所述源极包括P+掺杂锑化镓并且所述费米滤波器包括砷化铟或砷化铟镓中的至少一个。7.如权利要求1所述的晶体管，其中所述隧道结包括同质结。8.如权利要求7所述的晶体管，其中所述沟道、所述源极和所述漏极包括硅。9.如权利要求8所述的晶体管，其中所述源极和所述费米滤波器包括具有不小于1018cm-3的掺杂剂浓度的重掺杂硅。10.如权利要求1所述的晶体管，其中从所述栅极到所述隧道结的所述横向距离包括不小于5纳米并且不大于20纳米的距离。11.如权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管包括平面晶体管结构、双栅晶体管结构、鳍式FET晶体管结构或纳米线晶体管结构中的至少一个。12.如权利要求1所述的晶体管，其中所述源极、所述沟道和所述漏极包括硅，其中所述隧道结包括异质结，并且其中所述费米滤波器包括锗、锡化锗、砷化铟或锑化铟中的至少一个。13.一种晶体管，包括：布置在源极和漏极之间的沟道，其中所述源极和所述漏极包括第一极性，并且其中所述沟道、所述源极和所述漏极包括硅；布置在所述沟道之上的栅极；以及布置在所述源极和源极触点之间的费米滤波器，其中所述费米滤波器包括与所述第一极性互补的第二极性，并且其中所述费米滤波器和所述源极包括在它们之间的、具有距所述栅极的横向距离的隧道异质结。14.如权利要求13所述的晶体管，其中所述源极包括N+掺杂硅并且所述费米滤波器包括锗或锡化锗中的至少一个。15.如权利要求13所述的晶体管，其中所述源极包括P+掺杂硅并且所述费米滤波器包括砷化铟或锑化铟中的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：UE阿夫西，IA扬，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US