具有有凹口的台面的场效应晶体管结构制造技术

一种场效应晶体管结构包括：半绝缘衬底；半导体台面结构，布置在所述衬底上并且在所述台面结构的外侧壁中具有凹口；源电极，布置在相对侧壁内，与所述台面结构的源极区域欧姆接触；漏电极，布置在所述相对侧壁内，与所述台面结构的漏极区域欧姆接触；栅电极，具有布置在所述源电极和所述漏电极之间且在所述源电极和所述漏电极侧向并且与所述台面结构肖特基接触的朝向所述凹口纵向延伸的内部部分，并具有延伸超过所述台面结构并在衬底的位于台面结构外的部分上方的外部部分。在一个实施例中，台面结构包括朝向彼此向内突伸的凹口对，并且栅极的内部部分在所述凹口对之间纵向延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有有凹口的台面的场效应晶体管结构
本公开内容总体上涉及场效应晶体管(FET)结构，具体而言，涉及具有减小的栅极寄生效应(parasitics)的FET结构。
技术介绍
如本领域中已知的，随着FET(场效应晶体管)操作的频率超过90GHz朝向THz范围前进，根据近期出版物，FET的栅极和沟道长度都朝向20nm减小到低于80nm的范围。在这些小的几何结构中，FET的寄生电阻、电感和电容显著地影响FET器件的RF性能，例如功率、增益和效率。大多数提高FET工作频率的尝试都集中在使用较小的栅极长度和宽度以及窄沟道。具体而言，根据现有技术的FET示于图1A-1C中。此处，诸如SiC之类的半绝缘、高电阻的衬底已经在其上表面上形成台面形半导体结构，此处例如是III-V族结构，此处例如是GaN结构。具体而言，基于III-V的结构(例如，基于GaN的晶体管)使用在两种不同带隙材料(例如，AlGaN和GaN)之间形成的电子。如图所示，与台面上表面的源极和漏极区域形成欧姆接触的是源电极和漏电极。在源电极和漏电极之间布置的是与被布置在源极和漏极区域之间的台面(栅极区域)的上表面肖特基接触的栅电极。栅电极用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管结构，包括：半绝缘衬底；半导体台面结构，所述半导体台面结构布置在所述衬底上并且在所述台面结构的外侧壁中具有凹口；源电极，所述源电极布置在所述相对侧壁内，与所述台面结构的源极区域欧姆接触；漏电极，所述漏电极布置在所述相对侧壁内，与所述台面结构的漏极区域欧姆接触；栅电极，所述栅电极具有布置在所述源电极与所述漏电极之间且在所述源电极和所述漏电极侧向并且与所述台面结构肖特基接触的朝向所述凹口纵向延伸的内部部分，并且具有延伸超过所述台面结构并在所述衬底的位于所述台面结构外的部分上方的外部部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.08 US 14/707,4351.一种场效应晶体管结构，包括：半绝缘衬底；半导体台面结构，所述半导体台面结构布置在所述衬底上并且在所述台面结构的外侧壁中具有凹口；源电极，所述源电极布置在所述相对侧壁内，与所述台面结构的源极区域欧姆接触；漏电极，所述漏电极布置在所述相对侧壁内，与所述台面结构的漏极区域欧姆接触；栅电极，所述栅电极具有布置在所述源电极与所述漏电极之间且在所述源电极和所述漏电极侧向并且与所述台面结构肖特基接触的朝向所述凹口纵向延伸的内部部分，并且具有延伸超过所述台面结构并在所述衬底的位于所述台面结构外的部分上方的外部部分。2.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中，所述台面结构包括朝向彼此向内突伸的凹口对，并且其中，所述栅极的所述内部部分在所述凹口对之间纵向延伸。3.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：所述源电极在间隔开长度Lms的相对的外边缘内，所述长度Lms是沿着所述台面的顶表面测量的；所述漏电极在间隔开长度Lmd的相对的外边缘内，所述长度Lmd是沿着所述台面的顶表面测量的；所述栅极的所述内部部分在所述凹口以及具有长度Lmg的间隔的相对的边缘内，所述长度Lmg是沿着所述台面的顶表面测量的；其中，Lmg小于Lmd或Lms中的任何一个。4.根据权利要求2所述的场效应晶体管结构，其中：所述源电极在间隔开长度Lms的相对的外边缘内；所述漏电极在间隔开长度Lmd的相对的外边缘内；所述栅极的所述内部部分在具有长度Lmg的间隔的所述凹口对内；其中，Lmg小于Lmd或Lms中的任何一个。5.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中，所述栅电极的所述外部部分终止于栅极焊盘中，并且其中，所述栅极焊盘的部分布置在所述凹口的部分内。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·黄，
申请(专利权)人：雷声公司，
类型：发明
国别省市：美国,US