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一种场效应晶体管结构包括：半绝缘衬底；半导体台面结构，布置在所述衬底上并且在所述台面结构的外侧壁中具有凹口；源电极，布置在相对侧壁内，与所述台面结构的源极区域欧姆接触；漏电极，布置在所述相对侧壁内，与所述台面结构的漏极区域欧姆接触；栅电极，...
该专利属于雷声公司所有，仅供学习研究参考，未经过雷声公司授权不得商用。

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