半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体装置。在n

Semiconductor device

The present invention relates to a semiconductor device. In n

【技术实现步骤摘要】
半导体装置本申请是基于申请日2013.6.12(进入国家阶段日2015.12.11)的中国国家申请号201380077391.0(PCT/JP2013/066228)申请(半导体装置)的分案申请，以下引用其内容。
本专利技术涉及一种在高耐压功率模块(≥600V)中使用的二极管等半导体装置。
技术介绍
在20世纪50年代的半导体初期以后，针对Si基p-i-n二极管中的高频振荡现象(例如参照非专利文献1)和击穿现象(例如参照非专利文献2)进行了各种研究。近年来，在高速动作化得到发展的功率器件中，会导致周边电路的误动作和器件自身的浪涌击穿，这些现象再次受到了关注(例如参照非专利文献3)。已知在快速恢复二极管中，这些现象在高Vcc、高配线电感(Ls)、低动作温度、以及低电流密度(JA)等硬恢复条件下变得显著(例如参照非专利文献5、11)。在快速恢复二极管中，通过采用厚的n－型漂移层或厚的n型缓冲层、以及应用寿命控制技术等(例如参照非专利文献5～7)所谓的“软恢复化”，解决了上述课题。但是，在这些方法中，存在EMI(ElectromagneticCompatibility)噪声、击穿耐量、以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：n型漂移层；p型基极层，其设置在所述n型漂移层的顶面；n型发射极层，其局部地设置于所述p型基极层上；沟槽栅极，其以贯穿所述n型发射极层以及所述p型基极层的方式设置；p型集电极层，其设置于所述n型漂移层的底面；以及n型缓冲层，其设置在所述n型漂移层与所述p型集电极层之间，所述n型缓冲层的峰值浓度高于所述n型漂移层，低于所述p型集电极层，所述n型缓冲层的载流子浓度从所述n型漂移层侧朝向所述p型集电极层侧以深度的指数函数增加，所述n型漂移层与所述n型缓冲层的连接部分处的所述n型缓冲层的所述载流子浓度的梯度为20～2000cm

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：n型漂移层；p型基极层，其设置在所述n型漂移层的顶面；n型发射极层，其局部地设置于所述p型基极层上；沟槽栅极，其以贯穿所述n型发射极层以及所述p型基极层的方式设置；p型集电极层，其设置于所述n型漂移层的底面；以及n型缓冲层，其设置在所述n型漂移层与所述p型集电极层之间，所述n型缓冲层的峰值浓度高于所述n型漂移层，低于所述p型集电极层，所述n型缓冲层的载流子浓度从所述n型漂移层侧朝向所述p型集电极层侧以深度的指数函数增...

【专利技术属性】
技术研发人员：增冈史仁，中村胜光，西井昭人，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP