包括超级结结构的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及包括超级结结构的半导体器件。实施例的半导体器件包括半导体主体（101）的晶体管单元区域（103）中的晶体管单元（102）。半导体主体（101）中的超级结结构（104）包括分别为相对的第一和第二导电类型且沿着横向方向（x）交替布置的多个漂移子区（105）和补偿子区（106）。在晶体管单元区域（103）外部在半导体主体（101）的边缘和晶体管单元区域（103）之间的终端区域（108）包括分别为第一导电类型的第一和第三终端子区（111、113）。第二导电类型的第二终端子区（112）沿着与半导体主体（101）的第一表面（115）正交的垂直方向（z）被夹在第一和第三终端子区（111、113）之间。

【技术实现步骤摘要】
包括超级结结构的半导体器件
本专利技术涉及包括超级结结构的半导体器件。
技术介绍
被称为电荷补偿或超级结（SJ）半导体器件例如SJ绝缘栅场效应晶体管（SJIGFET）的半导体器件基于半导体衬底或主体中的n掺杂区和p掺杂区的互相空间电荷补偿，从而允许特定区域导通状态电阻RonxA和负载端子（诸如源极和漏极）之间的击穿电压Vbr之间的改进的权衡。SJ半导体器件的电荷补偿的性能取决于何时通过n掺杂区和p掺杂区设置横向或水平电荷平衡以及何时降低晶体管单元区域外部的区域中的电场强度的精确度。期望关于性能改进超级结半导体器件并且提供相关超级结半导体器件。
技术实现思路
通过独立权利要求的教导来实现目标。在从属权利要求中限定另外的实施例。本公开涉及一种半导体器件，其包括半导体主体的晶体管单元区域中的晶体管单元。该半导体器件进一步包括半导体主体中的超级结结构。该超级结结构包括分别为相对的第一和第二导电类型且沿着横向方向交替布置的多个漂移子区和补偿子区。该半导体器件进一步包括在晶体管单元区域外部在半导体主体的边缘和晶体管单元区域之间的终端区域。该终端区域包括分别为第一导电类型的第一和第三终端子区，以及沿着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体主体（101）的晶体管单元区域（103）中的晶体管单元（102）；半导体主体（101）中的超级结结构（104），该超级结结构（104）包括分别为相对的第一和第二导电类型且沿着横向方向（x）交替布置的多个漂移子区（105）和补偿子区（106），其中漂移子区（105）中的每一个都包括被第二导电类型的第二掺杂剂部分地补偿的第一导电类型的第一掺杂剂，并且第一和第二掺杂剂中的每一个在漂移子区（105）和补偿子区（106）之间的界面处的浓度分布沿着横向方向从漂移子区（105）到补偿子区（106）减小；在晶体管单元区域（103）外部在半导体主体（101）的边缘和晶体管单元区域（1...

【技术特征摘要】
2016.08.25 DE 102016115758.91.一种半导体器件，包括：半导体主体（101）的晶体管单元区域（103）中的晶体管单元（102）；半导体主体（101）中的超级结结构（104），该超级结结构（104）包括分别为相对的第一和第二导电类型且沿着横向方向（x）交替布置的多个漂移子区（105）和补偿子区（106），其中漂移子区（105）中的每一个都包括被第二导电类型的第二掺杂剂部分地补偿的第一导电类型的第一掺杂剂，并且第一和第二掺杂剂中的每一个在漂移子区（105）和补偿子区（106）之间的界面处的浓度分布沿着横向方向从漂移子区（105）到补偿子区（106）减小；在晶体管单元区域（103）外部在半导体主体（101）的边缘和晶体管单元区域（103）之间的终端区域（108），其中该终端区域（108）包括：分别为第一导电类型的第一和第三终端子区（111、113），以及沿着与半导体主体（101）的第一表面（115）正交的垂直方向（z）夹在第一和第三终端子区（111、113）之间的第二导电类型的第二终端子区（112）。2.权利要求1所述的半导体器件，其中该第二终端子区（112）沿着垂直方向（z）的延伸（d2）的范围在补偿子区（106）的底侧和第一表面（115）之间的垂直距离（dv）的20%和80%之间。3.前述权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中该第二终端子区（112）是电气浮置的。4.权利要求3所述的半导体器件，其中该第一和第三终端子区（111、113）融合并完全包围第二终端子区（112）。5.前述权利要求中的任一项所述的半导体器件，其中该第二终端子区（112）具有第二导电类型，并且包括被第一导电类型的掺杂剂部分地补偿的第二导电类型的掺杂剂。6.权利要求5所述的半导体器件，其中该第一和第三终端子区（111、113）中的每一个都具有第一导...

【专利技术属性】
技术研发人员：F希尔勒，H韦伯，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT