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本发明涉及包括超级结结构的半导体器件。实施例的半导体器件包括半导体主体（101）的晶体管单元区域（103）中的晶体管单元（102）。半导体主体（101）中的超级结结构（104）包括分别为相对的第一和第二导电类型且沿着横向方向（x）交替布置的...
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