半导体元件制造技术

提供一种半导体元件。一沟道层设置于一半导体衬底上方。一源极电极和一漏极电极设置于该沟道层上方。一阻挡层设置于该沟道层上方并形成在该源极电极和该漏极电极之间。一介电层设置于该阻挡层上方并位于该源极电极和该漏极电极之间。一栅极电极设置在该介电层中。多个浮接电极设置在该介电层中并位于该栅极电极以及该漏极电极之间。一场板设置在该介电层中并位于该栅极电极与多个浮接电极上方。该场板是电连接于该栅极电极或该源极电极。多个浮接电极是设置在同一电平。每一该浮接电极与该场板之间具有不同的距离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例是有关于半导体元件，且特别是有关于具有场板(field plate)的半导体元件。

技术介绍

1、在半导体工业中，常以iii-v族化合物(例如氮化镓(gan))形成各种集成电路装置，例如：高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)装置。iii-v族化合物所形成的元件因具有低导通电阻、高速切换频率、高击穿电压及高温操作等优越性能，常应用于高功率元件/模块产业中。

2、因iii-v族化合物元件进行开关操作时容易受到不同偏压和脉冲条件的影响，使得外延或元件内部的缺陷抓住或释放电子，导致元件的导通电阻会随着偏压条件或操作频率而变化，产生电流坍塌(current collapse)的现象，造成元件的动态特性劣化。为了有效改善元件的动态特性，可使用场板(field plate)等设计来改善电流坍塌的现象。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体衬底、一沟道层、一源极电极和一漏极电极、一阻挡层、一介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述浮接电极以及所述栅极电极在所述源极电极和所述漏极电极之间形成迭接的多个接面场效晶体管与一晶体管，其中所述晶体管的栅极端是由所述栅极电极所形成。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，每一所述接面场效晶体管的栅极端是由所对应的所述浮接电极与所述场板所形成的一电容所组成，其中所述场板是电连接于所述栅极电极，以及每一所述电容的电容值是由所对应的所述浮接电极与所述场板之间的距离所决定。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，每一所述接面场效晶体管的栅极端是...

【技术特征摘要】

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述浮接电极以及所述栅极电极在所述源极电极和所述漏极电极之间形成迭接的多个接面场效晶体管与一晶体管，其中所述晶体管的栅极端是由所述栅极电极所形成。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，每一所述接面场效晶体管的栅极端是由所对应的所述浮接电极与所述场板所形成的一电容所组成，其中所述场板是电连接于所述栅极电极，以及每一所述电容的电容值是由所对应的所述浮接电极与所述场板之间的距离所决定。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，每一所述接面场效晶体管的栅极端是由所对应的所述浮接电极与所述场板所形成的一电容所组成，其中所述场板是电连接于所述源极电极，以及每一所述电容的电容值是由所对应的所述浮接电极与所述场板之间的距离所决定。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述浮接电极在所述介电层中具有相同的间距。...

【专利技术属性】
技术研发人员：温文莹，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：