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文档序号:41322246
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提供一种半导体元件。一沟道层设置于一半导体衬底上方。一源极电极和一漏极电极设置于该沟道层上方。一阻挡层设置于该沟道层上方并形成在该源极电极和该漏极电极之间。一介电层设置于该阻挡层上方并位于该源极电极和该漏极电极之间。一栅极电极设置在该介电层...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。
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