光电半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种光电半导体装置及其制造方法。光电半导体装置的制造方法包括以下步骤：微尺寸光电半导体元件提供步骤、矩阵基板提供步骤、电极对位压合步骤、电极接合步骤、照光剥离步骤以及移除步骤。其中，电极接合步骤是提供第一光线聚光照射至少部分的这些第一电极与这些第三电极的接合处或至少部分的这些第二电极与这些第四电极的接合处。照光剥离步骤是提供第二光线聚光照射至少部分的这些微尺寸光电半导体元件与外延基材的界面，使经过第二光线照射的这些微尺寸光电半导体元件与外延基材剥离。

【技术实现步骤摘要】
光电半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置，特别涉及一种光电半导体装置及其制造方法。
技术介绍
由微发光二极管(MicroLED，μLED)所组成的微发光二极管阵列(MicroLEDArray)显示器，相比于传统液晶显示器而言，其因无需额外的背光光源更有助于达成轻量化及薄型化等目的。传统发光二极管(边长大于100微米)在制造光电装置(例如显示器)的过程中，在外延(Epitaxy)工艺制作发光二极管之后，经半切(电性绝缘)、点测及全切后得到一个一个的发光二极管后转置于承载基材上，再使用选取头(pick-uphead)从承载基材上一次捉取一个或多个发光二极管而转置到例如矩阵电路基板上，再进行后续的其他工艺。但是对于微发光二极管而言，由于其边长尺寸相对较小(小于100微米，例如只有25微米或更小)，如果以上述相同的制作方式来制作光电装置的话，设备的精度与成本也相对较高而且工艺也比较繁琐，使得光电装置的制作时间与成本也相对较高。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型态的光电半导体装置及其制造方法。相比于传统发光二极管的光电半导体装置及其制造方法而言，本专利技术的光电半导体装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：微尺寸光电半导体元件提供步骤：在外延基材上间隔设置多个微尺寸光电半导体元件，其中每个所述微尺寸光电半导体元件分别包含第一电极与第二电极；矩阵基板提供步骤：在基材上设置矩阵电路，其中所述矩阵电路包含多个第三电极与多个第四电极；电极对位压合步骤：将所述外延基材与所述基材相对压合，并使至少部分的所述第一电极分别接触所述第三电极或使至少部分的所述第二电极分别接触所述第四电极；电极接合步骤：提供第一光线聚光照射至少部分的所述第一电极与所述第三电极的接合处或聚光照射至少部分的所述第二电极与所述第四电极的接合处；照光剥离步骤：提供第二光线聚光照射至少部...

【技术特征摘要】
2016.09.07 TW 1051289931.一种光电半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：微尺寸光电半导体元件提供步骤：在外延基材上间隔设置多个微尺寸光电半导体元件，其中每个所述微尺寸光电半导体元件分别包含第一电极与第二电极；矩阵基板提供步骤：在基材上设置矩阵电路，其中所述矩阵电路包含多个第三电极与多个第四电极；电极对位压合步骤：将所述外延基材与所述基材相对压合，并使至少部分的所述第一电极分别接触所述第三电极或使至少部分的所述第二电极分别接触所述第四电极；电极接合步骤：提供第一光线聚光照射至少部分的所述第一电极与所述第三电极的接合处或聚光照射至少部分的所述第二电极与所述第四电极的接合处；照光剥离步骤：提供第二光线聚光照射至少部分的所述微尺寸光电半导体元件与所述外延基材的界面，使经过所述第二光线照射的所述微尺寸光电半导体元件与所述外延基材剥离；以及移除步骤：移除所述外延基材。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中所述电极接合步骤在所述照光剥离步骤之前实施、或所述电极接合步骤在所述照光剥离步骤之后实施或所述电极接合步骤与所述照光剥离步骤同时实施。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，其中在所述微尺寸光电半导体元件提供步骤中，每个所述微尺寸光电半导体元件的边长分别大于1微米且小于100微米。4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：梶山佳敬，
申请(专利权)人：优显科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71