电子装置制造方法及图纸

本申请公开一种电子装置，包括基板、多个微半导体结构、多个导电件以及非导电部。基板具有相对的第一面与第二面。这些微半导体结构布设于基板的第一面。这些导电件电连接这些微导体结构至基板；各导电件由这些微半导体结构的其中电极、与基板的对应的导电垫片所构成。非导电部布设于基板的第一面；非导电部包括一个或多个非导电件，其中一个或多个非导电件附着对应的其中一些微半导体结构中的一些多个导电件。导电件。导电件。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本专利技术涉及一种电子装置，特别涉及一种微半导体结构的电子装置。

技术介绍

[0002]传统上在目标电路基板上建立导电结构的方式可为锡膏印刷(Solder Paste Printing)或球格数组(Ball Grid Array,BGA)等表面黏着技术(Surface Mounting Technology,SMT)；然而，这些表面黏着技术在精度上无法匹配于尺寸低于100微米的微电子器件。
[0003]或者，传统上也有在目标电路基板上涂覆异方性导电膏(Anisotropic Conductive Paste,ACP)以建立导电结构；然而，为了适配目标电路基板上的导电垫片与导电垫片之间的不同距离，或者为了适配具有不同尺度(scale)导电垫片的目标电路基板，通常采用较高粒子填充率的异方性导电膏或导电胶，导电粒子在涂覆膏(热固膏或热塑膏)内部呈三维分布，以对导电垫片最高机率地起到导电作用。因此，仅存在有少部分的导电粒子能在目标电路基板上对导电垫片起到导电作用，其余占多数的导电粒子则随涂覆膏的固化而被一并封存于目标电路基板，而使成本更高的导电粒子因此被浪费。然而，对微发光二极管而言，因为尺寸相当小(例如50微米或以下)，因此无法以传统的打线接合或共晶接合的设备进行电极的电连接。
[0004]由此可见，对微米或微米以下尺寸的微微半导体结构或微半导体结构进行电连接，业界亟需有对应的方式。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种电子装置，可将微米级或微米级以下的微半导体结构电连接至基板上。
[0006]在本文中，本专利技术提出一种电子装置，其包括基板、多个微半导体结构、多个导电件、与非导电部。基板具有相对的第一面与第二面；这些微半导体结构布设于基板的第一面；这些导电件电连接这些微导体结构至基板；各个导电件由微半导体结构的电极或其中电极、与基板上与之对应的导电垫片所构成；非导电部布设于基板的第一面；非导电部包括一个或多个非导电件，其中一个或多个非导电件附着对应的其中一些微半导体结构的一些多个导电件。
[0007]一些实施例中，各个导电件为铜、镍、锡、银、镓、金、与铟元素之一的金属材、或至少包含前述任一元素、或至少包含前述元素的任何组合所形成的合金材或共金材。
[0008]一些实施例中，非导电部为具有硅氧烷链(
‑
Si
‑
O
‑
Si
‑
)的聚合物。
[0009]一些实施例中，非导电部为具有环氧基(
‑
CH
‑
O
‑
CH
‑
)的聚合物。
[0010]一些实施例中，非导电部的环氧值小于0.25。
[0011]一些实施例中，非导电部为光阻。
[0012]一些实施例中，其中非导电件完全包覆所对应的导电件。
[0013]一些实施例中，其中非导电件至少包覆所对应的微半导体结构的一部分。
[0014]一些实施例中，这些非导电件彼此分离且独立。
[0015]一些实施例中，这些非导电件彼此连接。
[0016]一些实施例中，其中各导电件定义有电极与导电垫片的接合界面；各非导电件的高度大于所对应的该导电件的接合界面。
[0017]一些实施例中，各个微半导体结构对应连接其中的两个导电件。
[0018]一些实施例中，导电件的高度大于或等于2μm、小于或等于6μm。
[0019]一些实施例中，导电件的宽度小于或等于20μm。
[0020]一些实施例中，位于其中微半导体结构的两个导电件之间的距离小于或等于30μm。
[0021]一些实施例中，各个微半导体结构为具水平式、垂直式或覆晶式电极的微米级或微米级以下的光电晶粒。
[0022]在本文中，本专利技术提出一种电子装置的制造方法，包括下列步骤：
[0023]置备基板结构；基板结构包括基板、多个微半导体结构和多个导电件；各导电件电连接基板所对应的微半导体结构；
[0024]依预涂图样涂覆非导电材料于基板结构上，非导电材料为流体，非导电材料沿基板附着导电件；以及
[0025]非导电材料于该基板依绝缘图样形成非导电部；其中，非导电部包括一个或多个非导电件，其中非导电件附着其中多个导电件；绝缘图样与预涂图样呈部分重合。
[0026]一些实施例中，在置备基板结构的步骤中，包括：电连接微半导体结构与基板；其中，基板具有多个导电垫片，各微半导体结构朝基板的一面具有至少一个电极，各导电件由其中的导电垫片与各微半导体结构的电极或其中的电极所构成。
[0027]一些实施例中，在置备基板结构的步骤中，包括：热压合或雷射焊接其中的导电垫片与各微半导体结构对应的电极或其中的电极，形成其中的导电件。
[0028]一些实施例中，在置备基板结构的步骤中，各导电件为铜、镍、锡、银、镓、金、与铟元素之一的金属材、或至少包含前述任一元素、或至少包含前述元素的任何组合所形成的合金材或共金材。
[0029]一些实施例中，在涂覆非导电材料的步骤中，在相邻的一些微半导体结构之间涂覆一个非导电材料。
[0030]一些实施例中，在涂覆非导电材料的步骤中，同时或依序涂覆这些非导电材料。
[0031]在形成非导电部的步骤前，包括：在室温静置已涂覆非导电材料的基板结构1～24小时。
[0032]在形成非导电部的步骤前，包括：在40～80摄氏度静置已涂覆非导电材料的基板结构0.1～4小时。
[0033]一些实施例中，在涂覆非导电材料的步骤中，非导电材料的黏滞性为小于或等于3Pa
·
s。
[0034]一些实施例中，在涂覆非导电材料的步骤中，非导电材料所形成的非导电部包括多个非导电件；各个非导电件附着对应的其中一些微半导体结构的导电件。
[0035]一些实施例中，在涂覆非导电材料的步骤中，非导电件彼此分离且独立。
[0036]一些实施例中，在形成非导电部的步骤后，移除基板结构上各个微半导体结构的残留物。
附图说明
[0037]图1、图1A至图1E、图2分别为本专利技术电子装置不同实施例的示意图；
[0038]图3、图3A至图3C分别为不同本专利技术电子装置的制造方法的不同实施例的流程图；
[0039]图4A至图4D分别为图3的工艺示意图；
[0040]图5、图6分别表示电子装置上的预涂图样与绝缘图样；以及
[0041]图7A至图7C分别为对应图3A的工艺示意图。
具体实施方式
[0042]本文用语如下面解释的：本文用语「微」半导体结构、「微」半导体器件是同义使用且泛指微米或微米以下的尺度。本文用语「半导体结构」、「半导体器件」同义使用且广泛地指半导体材料、晶粒、结构、器件、器件的组件、或半成品。本文用语「半导体结构」包含高质量单晶半导体及多晶半导体、经由高温处理而制造的半导体材料、掺杂半导体材料、有机及无本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：基板，具有相对的第一面与第二面；多个微半导体结构，布设于所述基板的所述第一面；多个导电件，电连接所述微导体结构至所述基板；各所述导电件由所述微半导体结构的其中电极、与所述基板对应的导电垫片所构成；以及非导电部，布设于所述基板的所述第一面；所述非导电部包括一个或多个非导电件，其中所述一个或多个非导电件附着对应的其中一些所述微半导体结构中的一些所述多个导电件。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，各所述导电件为铜、镍、锡、银、镓、金、与铟元素之一的金属材、或至少包含前述任一元素、或至少包含前述元素的任何组合所形成的合金材或共金材。3.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述非导电部为具有硅氧烷链(
‑
Si
‑
O
‑
Si
‑
)的聚合物。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述非导电部为具有环氧基(
‑
C...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈显德，
申请(专利权)人：优显科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：