半导体系统技术方案

一种半导体系统可以包括：外部通道，包括CA(命令/地址)通道以及第一数据通道和第二数据通道；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，共同耦合到CA通道，耦合到第一数据通道和第二数据通道中的相应的不同数据通道，以及其中的每个半导体芯片包括耦合信息焊盘。第一值可以输入给第一半导体芯片和第二半导体芯片中的耦合到第一数据通道的一个半导体芯片的耦合信息焊盘，而第二值可以输入给耦合到第二数据通道的另一个半导体芯片的耦合信息焊盘。第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片使用施加给CA通道的CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值来选择性地储存设置信息。

【技术实现步骤摘要】
半导体系统相关申请的交叉引用本申请要求2016年8月31日提交的申请号为10-2016-0111757的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
示例性实施例涉及一种半导体系统。
技术介绍
半导体系统或半导体封装体通常可以包括两个或更多个半导体芯片。包括在单个半导体系统中的两个或更多个半导体芯片可以共享命令及地址(CA)信息和芯片选择(CS)信号，但是这两个或更多个半导体芯片之间的特性可以彼此不同。图1是图示半导体系统100的示图。参见图1，半导体系统100可以包括第一半导体芯片110和第二半导体芯片120。第一半导体芯片110和第二半导体芯片120可以分别包括CA焊盘组CAG1和CAG2、下数据焊盘组DDG1和DDG2以及上数据焊盘组DUG1和DUG2。每个焊盘组可以耦合到外部，且包括为信号输入和输出的路径的多个焊盘。第一半导体芯片110和第二半导体芯片120通过经由对应的CA焊盘组CAG1和CAG2而输入的CA信息CA和芯片选择信号CS来控制。CA信息CA和芯片选择信号CS可以包括多个命令信号和多个地址信号。由于第一半导体芯片110和第二半导体芯片120共享施加给其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体系统，包括：外部通道，包括命令/地址CA通道以及第一数据通道和第二数据通道；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，共同耦合到CA通道，耦合到第一数据通道和第二数据通道中的相应的不同数据通道，以及包括被输入彼此不同的值的相应的耦合信息焊盘，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片基于施加给CA通道的CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值而选择性地储存设置信息。

【技术特征摘要】
2016.08.31 KR 10-2016-01117571.一种半导体系统，包括：外部通道，包括命令/地址CA通道以及第一数据通道和第二数据通道；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，共同耦合到CA通道，耦合到第一数据通道和第二数据通道中的相应的不同数据通道，以及包括被输入彼此不同的值的相应的耦合信息焊盘，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片基于施加给CA通道的CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值而选择性地储存设置信息。2.如权利要求1所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的一个半导体芯片基于CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值而禁止其片上终端功能，而另一个半导体芯片基于CA信息和输入给对应的耦合信息焊盘的值而使能其片上终端功能。3.如权利要求1所述的半导体系统，其中，第一值被输入给第一半导体芯片和第二半导体芯片中的耦合到第一数据通道的一个半导体芯片的耦合信息焊盘，而第二值被输入给耦合到第二数据通道的另一个半导体芯片的耦合信息焊盘。4.如权利要求3所述的半导体系统，其中，当第一储存模式被设置时，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的经由对应的耦合信息焊盘来接收第一值的一个半导体芯片被使能，而接收第二值的另一个半导体芯片被禁止，其中，当第二储存模式被设置时，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的经由对应的耦合信息焊盘来接收第二值的一个半导体芯片被使能，而接收第一值的另一个半导体芯片被禁止，以及其中，经由CA通道施加给第一半导体芯片和第二半导体芯片的设置信息被储存在仅第一半导体芯片和第二半导体芯片中被使能的一个半导体芯片中。5.如权利要求1所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片包括：多个第一CA焊盘，耦合到CA通道；以及多个第一CA缓冲器，每个第一CA缓冲器被配置成使用第一CA参考电压来缓冲输入给所述多个第一CA焊盘中的对应的一个第一CA焊盘的信号，以及其中，第二半导体芯片包括：多个第二CA焊盘，耦合到CA通道；以及多个第二CA缓冲器，每个第二CA缓冲器被配置成使用第二CA参考电压来缓冲输入给所述多个第二CA焊盘中的对应的一个第二CA焊盘的信号。6.如权利要求5所述的半导体系统，其中，第一CA训练操作为用于检测第一CA参考电压和第二CA参考电压的最优电平的操作，在第一CA参考电压和第二CA参考电压的最优电平处，CA信息的有效数据窗口被最大化，以及其中，在第一CA训练操作期间，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片重复地执行这样的操作：经由CA通道来接收设置信息，设置第一CA参考电压和第二CA参考电压中的对应的一个CA参考电压的电平，以及进入测试模式，以及接收和储存CA信息，将储存的CA信息输出给第一数据通道和第二数据通道中的与对应的半导体芯片耦合的一个数据通道，以及退出测试模式。7.如权利要求6所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片基于CA信息和输入给相应的耦合信息焊盘的值而被选择性地使能，以及分别储存与第一CA参考电压的最优电平相对应的第一设置信息和与第二CA参考电压的最优电平相对应的第二设置信息。8.如权利要求5所述的半导体系统，其中，第二CA训练操作为用于检测第一CA参考电压和第二CA参考电压的最优电平的操作，在第一CA参考电压和第二CA参考电压的最优电平处，CA信息的有效数据窗口被最大化，以及其中，在第二CA训练操作期间，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片在进入测试模式之后重复地执行这样的操作：经由第一数据通道和第二数据通道中的与对应的半导体芯片耦合的一个数据通道来接收设置信息，以及设置第一CA参考电压和第二CA参考电压中的对应的一个CA参考电压的电平，以及接收和储存CA信息，以及将储存的CA信息输出给第一数据通道和第二数据通道中的与对应的半导体芯片耦合的一个数据通道，以及然后退出测试模式。9.如权利要求8所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片基于CA信息和输入给相应的耦合信息焊盘的值而被选择性地使能，以及分别储存与第一CA参考电压的最优电平相对应的第一设置信息和与第二CA参考电压的最优电平相对应的第二设置信息。10.如权利要求5所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片包括：多个第一下数据焊盘和多个第一上数据焊盘；以及多个第一数据缓冲器，每个第一数据缓冲器被配置成使用第一数据参考电压来缓冲输入给所述多个第一下数据焊盘和所述多个第一上数据焊盘中的对应的一个数据焊盘的信号，以及其中，第二半导体芯片包括：多个第二下数据焊盘和多个第二上数据焊盘；以及多个第二数据缓冲器，每个第二数据缓冲器被配置成使用第二数据参考电压来缓冲输入给所述多个第二下数据焊盘和所述多个第二上数据焊盘中的对应的一个数据焊盘的信号，以及其中，所述多个第一下数据焊盘耦合到第一数据通道，而所述多个第二上数据焊盘耦合到第二数据通道，或者所述多个第一下数据焊盘耦合到第二数据通道，而所述多个第二上数据焊盘耦合到第一数据通道。11.如权利要求10所述的半导体系统，其中，写入训练操作是用于检测第一数据参考电压和第二数据参考电压的最优电平的操作，在第一数据参考电压和第二数据参考电压的最优电平处，要经由第一数据通道和第二数据通道输出给第一半导体芯片和第二半导体芯片的数据的有效窗口被最大化，以及其中，在写入训练操作期间，第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每个半导体芯片重复地执行这样的操作：经由CA通道来接收设置信息以及设置第一数据参考电压和第二数据参考电压中的对应的一个数据参考电压的电平，以及接收和储存数据，将储存的数据输出给第一数据通道和第二数据通道中的与对应的半导体芯片耦合的一个数据通道，以及改变数据的输入时间或数据选通的输入时间。12.如权利要求11所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片基于CA信息和输入给相应的耦合信息焊盘的值而被选择性地使能，以及分别储存与第一数据参考电压的最优电平相对应的第一设置信息和与第二数据参考电压的最优电平相对应的第二设置信息。13.如权利要求10所述的半导体系统，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片分别储存第一反相信息和第二反相信息，响应于第一反相信息而将要输出给所述多个第一数据焊盘和所述多个第二数据焊盘的数据选择性地反相，以及响应于第二反相信息而将要输出给所述多个第一数据焊盘和所述多个第二数据焊盘的数据选择性地反相。14.如权利要求13所述的半导体系统，其中，当所述多个第一下数据焊盘耦合到第一数据通道而所述多个第二上数据焊盘耦合到第二数据通道时，第一半导体芯片和第二半导体芯片将与第一设置命令一起输入的反相信息储存作为第一反相信息，以及将与第二设置命令一起输入的反相信息储存作为第二反相信息，以及其中，当所述多个第一下数据焊盘耦合到第二数据通道而所述多个第二上数据焊盘耦合到第一数据通道时，第一半导体芯片和第二半导体芯片将与第一设置命令一起输入的反相信息储存作为第二反相信息，以及将与第二设置命令一起输入的反相信息储存作为第二反相信息。15.一种半导体系统，包括：外部通道，包括命令/地址CA通道以及第一数据通道和第二数据通道；以及第一半导体芯片和第二半导体芯片，共同耦合到CA通道，耦合到第一数据通道和第二数据通道中的相应的不同数据通道，以及包括被输入彼此不同的值的相应的耦合信息焊盘，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片中...

【专利技术属性】
技术研发人员：玄相娥，姜泰珍，金显承，张南圭，崔源锡，郑元敬，李承熏，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR