功率放大电路制造技术

本发明专利技术提供一种能对放大器的输出特性进行调整的功率放大电路。功率放大电路包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大，并输出放大信号；第1偏置电路，该第1偏置电路向放大器提供第1偏置电流或电压；第2偏置电路，该第2偏置电路向放大器提供第2偏置电流或电压；第1控制电路，该第1控制电路对第1偏置电流或电压进行控制；以及第2控制电路，该第2控制电路对第2偏置电流或电压进行控制，第1偏置电路的电流提供能力与第2偏置电路的电流提供能力不同。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路
本专利技术涉及功率放大电路。
技术介绍
在移动电话等移动体通信设备中，为了放大向基站发送的无线频率(RF：RadioFrequency)信号的功率而使用功率放大电路。功率放大电路中，使用用于向放大器提供偏置电压或偏置电流的偏置电路。例如，非专利文献1中，公开有使用了异质结双极型晶体管的发射极跟随的偏置电路。现有技术文献非专利文献非专利文献1：“EvolutionofPowerAmplifierformobileapplications”SatoshiTanaka,InternationalMeetingforFutureofElectronDevices，Kansai(IMFEDK),2013IEEE，pp112-113
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在功率放大电路中，随着输入功率的增大，偏置电流有可能增加、放大器的输出电流有可能增加。这种放大器的输出特性根据偏置电路的特性(例如，偏置电路的输出阻抗等)而变化。关于这点，在非专利文献1所公开的结构中，由于偏置电路的特性固定，因此放大器的输出特性也固定。因此，非专利文献1所公开的结构中，无法自由地对放大器的输出特性进行调整。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种能对放大器的输出特性进行调整的功率放大电路。用于解决技术问题的技术手段本专利技术一个方面所涉及的功率放大电路，其包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大，并输出放大信号；第1偏置电路，该第1偏置电路向放大器提供第1偏置电流或电压；第2偏置电路，该第2偏置电路向放大器提供第2偏置电流或电压；第1控制电路，该第1控制电路对第1偏置电流或电压进行控制；以及第2控制电路，该第2控制电路对第2偏置电流或电压进行控制，第1偏置电路的电流提供能力与第2偏置电路的电流提供能力不同。专利技术效果根据本专利技术，可以提供一种能对放大器的输出特性进行调整的功率放大电路。附图说明图1是示出本专利技术实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构的图。图2是示出本专利技术实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100A)的图。图3是示出本专利技术实施方式1所涉及的功率放大电路100中的放大器的输出特性的曲线。图4是示出本专利技术实施方式1的变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100B)的图。图5是示出本专利技术实施方式2所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100C)的图。图6是示出本专利技术实施方式2的变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100D)的图。图7是示出本专利技术实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100E)的图。图8是示出本专利技术实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100F)的图。图9是示出本专利技术实施方式2的其他变形例所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100G)的图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的一个实施方式进行说明。图1是示出本专利技术实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构的图。功率放大电路100例如在移动电话等移动体通信设备中，对输入的无线频率(RF：RadioFrequency)信号进行放大，并输出放大信号。RF信号的频率例如为数GHz左右。如图1所示，功率放大电路100包括晶体管110，控制电路120、122，偏置电路130、132，电感器140，以及匹配电路150、152。晶体管110(放大器)对输入信号RFin进行放大并输出放大信号RFamp。晶体管例如可以使用异质结双极型晶体管(HBT：HeterojunctionBipolarTransistor)等双极型晶体管来构成。另外，也可以使用场效应晶体管(MOSFET：Metal-oxide-semiconductorFieldEffectTransistor)来代替HBT。通过电感器140向晶体管110的集电极提供电源电压Vcc0，通过匹配电路150向晶体管110的基极提供输入信号RFin，晶体管110的发射极接地。此外，从偏置电路130、132向晶体管110的基极提供偏置电流Ibias1(第1偏置电流)、Ibias2(第2偏置电流)。由此，从晶体管110的集电极输出根据偏置电流Ibias1、Ibias2对输入信号RFin进行放大后的放大信号RFamp。另外，放大器的级数不限于1级，也可以是2级以上。控制电路120(第1控制电路)、122(第2控制电路)例如生成基准电流Iref1(第1电流)、Iref2(第2电流)，并将其提供至偏置电路130、132。控制电路120、122分别对基准电流Iref1、Iref2的电流量进行控制，从而对偏置电流Ibias1、Ibias2的电流量进行调整。偏置电路130(第1偏置电路)、132(第2偏置电路)分别根据从控制电路120、122提供的基准电流Iref1、Iref2，向晶体管110的基极提供偏置电流Ibias1、Ibias2。在本实施方式中，偏置电路130的电流提供能力及输出阻抗不同于偏置电路132的电流提供能力及输出阻抗。另外，在本说明书中，偏置电路的电流提供能力是指偏置电路所能输出的电流量的最大值。由此，例如，对从偏置电路130、132提供的偏置电流Ibias1、Ibias2的比率进行调整，从而能使提供至晶体管110的基极的偏置电流(即，偏置电流Ibias1、Ibias2的合计量)的电流量发生各种变化。偏置电路130、132的结构的详情将在后文阐述。电感器140设置在电源电压端子与晶体管110之间，抑制向RF信号的电源电路的耦合。匹配电路(MN：MatchingNetwork)150、151分别设置在晶体管110的前后，使前级的电路与晶体管110的阻抗匹配，或使晶体管110与后级的电路的阻抗匹配。匹配电路150、152例如使用电容器或电感器来构成。图2是示出本专利技术实施方式1所涉及的功率放大电路100的结构例(功率放大电路100A)的图。功率放大电路100A中，示出了控制电路120、122以及偏置电路130、132的具体的结构例(控制电路120A、122A以及偏置电路130A、132A)。控制电路120A、122A例如分别具备可变电流源Ja、Jb。例如，可变电流源Ja、Jb可以分别根据从外部提供的控制信号使电流量变化。由此，控制电路120A、122A例如生成与具有RF信号的输出功率相对应的电流量的基准电流Iref1、Iref2并进行输出。偏置电路130A例如包括晶体管Tr1a、Tr2a、Tr3a(第1晶体管)、以及电阻元件R1a(第1电阻元件)。同样地，偏置电路132A例如包括晶体管Tr1b、Tr2b、Tr3b(第2晶体管或第2双极型晶体管)、以及电阻元件R1b(第2电阻元件)。偏置电路130A、132A分别生成与从控制电路120A、122A输出的基准电流Iref1、Iref2的电流量相对应的偏置电流Ibias1、Ibias2，并将其提供至晶体管110的基极。另外，在本实施方式中偏置电路132A的结构与偏置电路130A相同，因此省略详细说明。晶体管Tr1a的集电极与基极相连接(之后称为二极管连接)，集电极被提供有基准电流Iref1，基极与晶体管Tr3a的基极相连接，发射本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率放大电路，其特征在于，包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大并输出放大信号；第1偏置电路，该第1偏置电路向所述放大器提供第1偏置电流或电压；第2偏置电路，该第2偏置电路向所述放大器提供第2偏置电流或电压；第1控制电路，该第1控制电路对所述第1偏置电流或电压进行控制；以及第2控制电路，该第2控制电路对所述第2偏置电流或电压进行控制，所述第1偏置电路的电流提供能力与所述第2偏置电路的电流提供能力不同。

【技术特征摘要】
2016.08.25 JP 2016-1645961.一种功率放大电路，其特征在于，包括：放大器，该放大器对输入信号进行放大并输出放大信号；第1偏置电路，该第1偏置电路向所述放大器提供第1偏置电流或电压；第2偏置电路，该第2偏置电路向所述放大器提供第2偏置电流或电压；第1控制电路，该第1控制电路对所述第1偏置电流或电压进行控制；以及第2控制电路，该第2控制电路对所述第2偏置电流或电压进行控制，所述第1偏置电路的电流提供能力与所述第2偏置电路的电流提供能力不同。2.如权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述第1控制电路输出用于对所述第1偏置电流或电压进行控制的第1电流，所述第2控制电路输出用于对所述第2偏置电流或电压进行控制的第2电流，所述第1偏置电路具备根据所述第1电流对所述第1偏置电流或电压进行输出的第1晶体管，所述第2偏置电路具备根据所述第2电流对所述第2偏置电流或电压进行输出的第2晶体管，所述第1晶体管的元件尺寸与所述第2晶体管的元件尺寸不同。3.如权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述第1偏置电路还具备串联连接在所述第1晶体管的发射极或源极、与所述放大器之间的第1电阻元件，所述第2偏置电路还具备串联连接在所述第2晶体管的发射极或源极、与所述放大器之间的第2电阻元件，所述第1电阻元件的电阻值与所述第2电阻元件的电阻值不同。4.如权利要求2或3所述的功率放大电路，其特征在于，所述第1偏置电路还具备第3晶体管，所述第3晶体管的集电极与所述第1晶体管的基极或栅极相连接，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中聪，安达徹朗，渡边一雄，沼波雅仁，山本靖久，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本,JP