一种LED外延生长的方法技术
【技术实现步骤摘要】
一种LED外延生长的方法
本专利技术涉及LED芯片领域，更具体地，涉及一种LED外延生长的方法。
技术介绍
随着半导体、计算机、太阳能等产业的发展,透明导电氧化物(transparentconductingoxide,TCO)薄膜随之产生并发展起来。TCO薄膜具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率低等光电特性,在半导体光电器件领域、太阳能电池、平面显示、特殊功能窗口涂层等方面具有广阔的应用前景。其中，制备技术最成熟、应用最广泛的当属ITO(In2O3∶Sn)薄膜。但是,ITO薄膜中In2O3价格昂贵，生产成本高，而且，In材料具有毒性,在制备和应用ITO薄膜的过程，容易对工作人员产生危害，另外，Sn和In的原子质量较大,制备ITO薄膜的过程中容易渗入到衬底内部,污染衬底材料,尤其在液晶显示器领域中，ITO薄膜污染衬底的现象最严重。另一方面，Zn源储量丰富、价格便宜、没有毒性并且Zn的原子质量较小，ZnO∶Al(简称AZO)透明导电薄膜在氢等离子体中的稳定性也高于ITO薄膜,同时其具有可与ITO薄膜相比拟的光电特性，具有广阔的发展前景,近年来，产业上逐渐采用AZO...
【技术保护点】
一种LED外延生长的方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u‑GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构，降温冷却；其中：所述生长InxGa1‑xN:Si/AlyGa1‑yN:Si超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃‑1050℃，调节生长压力为100Torr‑500Torr，生长厚度为1nm‑5nm的InxGa1‑xN:Si，其中：Si掺杂浓度为10
【技术特征摘要】
1.一种LED外延生长的方法，其特征在于，包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温GaN缓冲层、生长非掺杂u-GaN层、生长N型GaN层、生长量子阱层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层和生长InxGa1-xN:Si/AlyGa1-yN:Si超晶格结构，降温冷却；其中：所述生长InxGa1-xN:Si/AlyGa1-yN:Si超晶格结构，进一步为：调节生长温度为750℃-1050℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1nm-5nm的InxGa1-xN:Si，其中：Si掺杂浓度为1019atoms/cm-3-1022atoms/cm-3，x＝0.03-0.3；调节生长温度为750℃-1050℃，调节生长压力为100Torr-500Torr，生长厚度为1nm-5nm的AlyGa1-yN:Si，其中：Si掺杂浓度为1019atoms/cm-3-1022atoms/cm-3,y＝0.02-0.3；交替生长所述InxGa1-xN:Si和所述AlyGa1-yN:Si，周期数为1-10，其中：生长所述InxGa1-xN:Si和所述AlyGa1-yN:Si时，采用TEGa、TMIn和TMAl为MO源，采用SiH4为Si源，采用NH3为N源。2.根据权利要求1所述的LED外延生长的方法，其特征在于，所述处理衬底，进一步为：以蓝宝石作为衬底，清洁所述衬底表面，调节温度为1050℃-1150℃，在氢气气氛里进行退火。3.根据权利要求2所述的LED外延生长的方法，其特征在于，所述生长低温GaN成核层，进一步为：调节生长温度为500℃-620℃，调节生长压力为400Torr-650Torr，通入NH3和TMGa，在所述衬底上生长厚度为20nm-40nm的低温GaN成核层。4.根据权利要求3所述的LED外延生长的方法，其特征在于，所述生长高温GaN缓冲层，进一步为：停止通入TMGa，调节温度至1000℃-1100℃，进行原位退火，退火时间为5min-10min，所述原位退火后，调节温度至900℃-1050℃，通入TMGa，调节生长压力为400Torr-650Torr，生长厚度为0.2μm-1um的高温GaN缓冲层。5.根据权利要求1所述的LED外延生长的方法，其特征在于，所述生长非掺杂u-GaN层，进一步为：通入NH3和TMGa，调节生长温度为1050℃-1200℃，调节生长压力为100Torr-500Torr...
【专利技术属性】
技术研发人员：林传强，徐平，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43
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