量子点膜层及其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统技术方案

本发明专利技术提供了一种量子点膜层、其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统。该制作方法包括：步骤S1，在基材上设置量子点膜；以及步骤S2，在量子点膜上生长阻隔层。采用在量子点膜上直接生长阻隔层的方式制作量子点膜层，从而避免了现有技术的贴合工艺，进而避免该工艺导致的量子点膜层良率较低的问题。而且通过上述方法得到的量子点膜层不仅厚度较小而且其性能和现有技术相当。

Quantum dot film and its fabrication method and system for on-line continuous fabrication of quantum dot film

The invention provides a quantum dot film layer, a manufacturing method and a system for continuous production of a quantum dot film layer on line. The fabrication method comprises a step S1, a quantum dot film on the base material, and a step S2 to grow a barrier layer on the quantum dot film. The quantum dot film is made by directly growing barrier layer on the quantum dot film, thereby avoiding the bonding technology of the existing technology, thereby avoiding the low yield of the quantum dot film caused by the process. And the quantum dot film obtained by the above method is not only smaller and its performance is equivalent to the existing technology.

【技术实现步骤摘要】
量子点膜层及其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统
本专利技术涉及量子点膜制备领域，具体而言，涉及一种量子点膜层及其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统。
技术介绍
量子点由于具有优异的光学性能，因此被广泛应用于显示面板或LED光源等器件中。在应用时量子点需要与水汽和氧气隔绝，因此一般采用阻隔膜对量子点进行保护。目前常将量子点分散于聚合物中形成量子点树脂，然后将量子点树脂置于载体上形成量子点膜，然后在量子点膜的裸露表面设置阻隔膜对量子点进行保护。现有的量子点膜技术为分散式的，即在PET或者其他透明柔性基材上形成量子点膜，在其他基材上形成阻隔膜，然后将两种膜贴合在一起。这种方法需要后期的贴合成本，也会由于增加贴合的工艺而影响产品良率。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种量子点膜层、其制作方法及在线连续制作量子点膜层的系统，以解决现有技术中的采用贴合方式导致的量子点膜层良率降低的问题。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种量子点膜层的制作方法，包括：步骤S1，在基材上设置量子点膜；以及步骤S2，在量子点膜上生长阻隔层。进一步地，上述步骤S2包括：在真空条件下采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点膜层的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，在基材(10)上设置量子点膜(20)；以及步骤S2，在所述量子点膜(20)上生长阻隔层(30)。

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜层的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1，在基材(10)上设置量子点膜(20)；以及步骤S2，在所述量子点膜(20)上生长阻隔层(30)。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S2包括：在真空条件下采用PECVD、PVD和/或ALD制备氧化铝层、氧化硅层或氮化硅层作为所述阻隔层(30)，优选采用电感耦合式等离子体增强化学气相沉积法形成Al2O3层作为所述阻隔层(30)，更优选所述电感耦合式等离子体增强化学气相沉积法的O2流量为100～200sccm，三甲基铝流量为30～50sccm，压力为5～7E-3Torr，射频功率为1～3KW；进一步优选所述电感耦合式等离子体增强化学气相沉积过程分次进行，每次持续5～15s，重复5～15次。3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步骤S1和所述步骤S2之间或者在所述步骤S2之后还包括在所述基材(10)的远离所述量子点膜(20)的表面上生长基体阻隔层(12)，优选所述基体阻隔层(12)的生长方法和所述步骤S2中所述阻隔层(30)的生长方法相同。4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S1包括：在氮气气氛下，在所述基材(10)上打印或涂布量子点树脂，优选所述量子点树脂为含有量子点的UV固化树脂；将所述量子点树脂进行固化，形成所述量子点膜(20)，优选所述固化采用UV照射固化，更优选所述基材(10)为玻璃时，所述步骤S1在打印或涂布所述量子点树脂之前还包括对所述玻璃进行清洁处理的过程；更优选所述基材(10)包括树脂基体(11)和设置在所述树脂基体(11)上的基体阻隔层(12)时，所述步骤S1在打印或涂布所述量子点树脂之前还包括在所述树脂基体(11)的表面上生长基体阻隔层(12)的过程，所述量子点膜(20)设置在所述基体阻隔层(12)上，优选所述生长基体阻隔层(12)的方法与所述步骤S2中生长阻隔层(30)的方法相同。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法在所述步骤S2之后还包括在所述阻隔层(30)上生长保护层(40)的步骤，优选所述生长保护层(40)的步骤包括：在真空环境下或氮气气氛中打印或喷涂树脂，优选所述树脂为UV树脂；将所述树脂固化形成所述保护层(40)，优选所述固化采用UV照射固化。6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法实施过程中所述基材(10)固定在载台上，所述载台采用非接触式磁力进行驱动。7.一种在线连续制作量子点膜层的系统，其特征在于，所述系统包括依次设置的量子点膜形成装置和阻隔层生长装置。8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述阻隔层生长装置包括成膜站(5)，优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：李守军，崔国东，李硕，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32