主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种主链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩的D‑A型聚合物及其制备方法与应用。本发明专利技术采用吸电性的S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元和供电性单元进行共聚，形成D‑A结构分子，得到所述主链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩的D‑A型聚合物。本发明专利技术中，S,S‑二氧‑二苯并噻吩单元的2,8‑位碳原子与供电性的含氮芳杂环单元通过C‑N键连接，D‑A单元扭转角较大，有利于降低聚合物分子的共轭程度，实现HOMO和LUMO电子云有效分离，减小单线态‑三线态能级差，促进分子内反向系间窜越过程，提高单线态激子生成比例，有利于器件效率的提高。此类主链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩的D‑A型聚合物具有良好的溶解性，可用于制备聚合物发光二极管的发光层。

The main chain containing S, S two oxygen two benzothiophene D A type polymer and preparation method and application thereof

【技术实现步骤摘要】
主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物及其制备方法与应用
本专利技术属于有机光电
，具体涉及一种主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物及其制备方法与应用。
技术介绍
1990年，英国剑桥大学卡文迪许实验室发表了利用共轭高分子PPV制备的聚合物薄膜电致发光器件，从而正式拉开了聚合物发光二极管(PLED)研究的序幕。与小分子发光二极管相比，聚合物发光二极管具有以下优势：(1)可通过印刷、喷墨打印等方法制备大面积薄膜；(2)共轭聚合物电子云结构、发光颜色可通过化学结构的改变和修饰进行调节；(3)共轭聚合物通过修饰可以避免结晶，提高器件稳定性。PLED器件由阴极、阳极和中间的有机层构成，有机层一般包括电子传输层、发光层和空穴传输层，首先电子和空穴分别从阴阳两极注入，并分别在功能层中进行迁移，然后电子和空穴在合适的位置形成激子，激子在一定范围内进行迁移，最后激子发光。主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物发光材料是PLED研究领域的明星材料。杨伟和MartinR.Bryce课题组合成了一系列基于S,S-二氧-二苯并噻吩的高效率电致发光聚合物[Chem.Mater.2008本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主链含S,S‑二氧‑二苯并噻吩的D‑A型聚合物，其特征在于，其化学结构式如式(1)所示：

【技术特征摘要】
1.一种主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物，其特征在于，其化学结构式如式(1)所示：式中，x单元组分的摩尔分数，满足：0<x≤0.5；n为重复单元，n＝10～1000；R1为氢原子、碳原子数1～30的烷基或碳原子数1～30的环烷基；Ar1为含氮芳香族杂环基，Ar2为碳原子数6～60的芳香族烃基或碳原子数3～60的芳香族杂环基。2.根据权利要求1所述的主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物，其特征在于，所述含氮芳香族杂环基Ar1选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种以上：其中，*表示与S,S-二氧-二苯并噻吩相连，**表示与Ar2相连；R2为氢原子、碳原子数1～30的烷基或碳原子数1～30的环烷基；R3为碳原子数1～30的烷基或环烷基、碳原子数6～30的烷基或烷氧基取代苯基。3.根据权利要求1所述的主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物，其特征在于，所述Ar2选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种以上：其中，*表示与S,S-二氧-二苯并噻吩相连，R4为碳原子数1～30的烷基或环烷基、碳原子数6～30的烷基或烷氧基取代苯基。4.权利要求1至3任一项所述的主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的D-A型聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将2,8-位取代的S,S-二氧-二苯并噻吩与含氮芳香族杂环基Ar1通过铜催化或者钯催化进行C-N偶联，...

【专利技术属性】
技术研发人员：应磊，彭沣，胡黎文，黄飞，曹镛，
申请(专利权)人：华南协同创新研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44