侧链含空穴传输单元的聚（芴‑co‑S,S‑二氧‑二苯并噻吩）衍生物及其制法与应用制造技术

本发明专利技术公开了侧链含空穴传输单元的聚（芴‑co‑

【技术实现步骤摘要】
侧链含空穴传输单元的聚(芴-co-S,S-二氧-二苯并噻吩)衍生物及其制法与应用
本专利技术属于有机光电
，具体涉及可用于单层聚合物发光二极管的聚合物发光材料及其制备方法与应用。
技术介绍
1990年，英国剑桥大学卡文迪许实验室发表了第一个利用共轭高分子PPV制备的聚合物薄膜电致发光器件，从而正式拉开了聚合物发光二极管(PLED)研究的序幕。与小分子发光二极管相比，聚合物发光二极管具有以下优势：(1)可通过溶液旋涂、卷对卷等方法制备大面积薄膜；(2)共轭聚合物电子结构、发光颜色很容易通过化学结构的改变和修饰进行调节；(3)共轭聚合物通过修饰可以避免结晶，进而提高器件稳定性。PLED器件由阴极、阳极和中间的有机层构成，有机层一般包括电子传输层、发光层和空穴传输层，首先电子和空穴分别从阴阳两极注入，并分别在功能层中进行迁移，然后电子和空穴在合适的位置形成激子，激子在一定范围内进行迁移，最后激子发光。主链含S,S-二氧-二苯并噻吩的聚合物发光材料是PLED研究领域的明星材料。杨伟和MartinR.Bryce课题组合成了一系列基于S,S-二氧-二苯并噻吩的高效率电致发光聚合物[Chem本文档来自技高网...

【技术保护点】
侧链含空穴传输单元的聚(芴‑co‑S,S‑二氧‑二苯并噻吩)衍生物，其特征在于，化学结构式如下：

【技术特征摘要】
1.侧链含空穴传输单元的聚(芴-co-S,S-二氧-二苯并噻吩)衍生物，其特征在于，化学结构式如下：式中，x1、x2、x3为单元组分的摩尔分数，满足：0<x1<0.5，0≤x2<0.5，0≤x3<0.5，x1+x2+x3≤0.5；n为重复单元，n＝10～1000；R1为碳原子数6～30的烷基或环烷基、碳原子数6～30的烷基或烷氧基取代苯基；Ar1和Ar2为空穴传输单元；Ar3为原子数6～60的芳香族烃基或碳原子数3～60的芳香族杂环基。2.根据权利要求1所述的侧链含空穴传输单元的聚(芴-co-S,S-二氧-二苯并噻吩)衍生物，其特征在于，所述空穴传输单元Ar1和Ar2均独立选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种以上：R1’为碳原子数6～30的烷基或环烷基、碳原子数6～30的烷基或烷氧基取代苯基。3.根据权利要求1所述的侧链含空穴传输单元的聚(芴-co-S,S-二氧-二苯并噻吩)衍生物，其特征在于，所述Ar3选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种以上：其中，R2为碳原子数6～30的烷基或...

【专利技术属性】
技术研发人员：应磊，彭沣，郭婷，杨伟，彭俊彪，曹镛，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东,44