一类含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其在场效应晶体管中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构如式I所示。该类聚合物具有较宽的紫外‑可见‑近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备较空气稳定的双极性场效应晶体管。该化合物的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性。以本发明专利技术含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，式(I)的迁移率最高为0.53cm

【技术实现步骤摘要】
一类含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其在场效应晶体管中的应用
本专利技术属于有机半导体材料
，具体涉及一类含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其在场效应晶体管中的应用。
技术介绍
有机场效应晶体管是一种通过电场来控制材料导电能力的有源器件。以π-共轭的聚合物为载流子传输层的场效应晶体管亦称之为聚合物场效应晶体管(Polymerfield-effecttransistors,简称PFETs)，近年来相关研究取得了飞速的发展。相比传统的无机半导体材料，有机半导体材料，特别是聚合物半导体材料具有众多独特优势，诸如材料种类繁多，可以通过分子设计来调控材料的各种化学、物理特性，从而调控半导体器件的性能；具有良好的柔韧性和弹性，与轻质塑料衬底具有良好的兼容性，可以低温制备柔性有机光电子器件；可以采用溶液旋涂、打印或者印刷加工技术，大面积制备低成本的有机光电子器件与电路，有望成为下一代柔性显示中电路的关键元器件，在电子商标、智能卡、存储器、电子纸、传感器和有源矩阵显示器等方面，具有广阔的应用前景和巨大的经济价值。相比p-型和n-型聚合物材料，尽管双极性聚合物半导体材料的研究工作也取得了较大进本文档来自技高网...

【技术保护点】
式I所示共轭聚合物，

【技术特征摘要】
1.式I所示共轭聚合物，所述式I中，R为C1-C100的直链或支链烷烃基；X、Y和Z均选自氢原子、氟原子、氯原子和三氟甲基中的任意一种；n＝10-200。2.根据权利要求1所述的共轭聚合物，其特征在于：所述式I中，n为10-50或11-12；R为C1-C30的直链或支链烷烃基或2-癸基十四烷基。3.一种制备权利要求1或2所述共轭聚合物的方法，包括如下步骤：将式IV所示化合物、式V所示化合物、催化剂和配体进行Stille聚合反应，反应完毕后得到所述式I所示共轭聚合物；所述式IV和式V中，R、X、Y和Z的定义与权利要求1相同。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述催化剂为钯催化剂；所述钯催化剂具体为三(二亚苄基丙酮)二钯或四(三苯基膦)钯；所述配体为三(邻甲苯基)膦或三苯基膦。5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于：所述式IV所示化合物、式V所示化合物、催化剂和配体的摩尔比为1：0.95～1.05：0.01～0.10：0.02～0.60，具体可为1：1：0.03：0.25；所述Stille聚合反应步骤中，温...

【专利技术属性】
技术研发人员：于贵，林祖樟，张卫锋，刘晓彤，王丽萍，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京,11