一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器制造技术

本发明专利技术涉及一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器，其特征在于，包括两级延迟单元，所述振荡器包括两个首尾相接的延迟单元，通过调节延迟单元的延迟时间调整工作频率；延迟单元包括PMOS晶体管M1、M2、M3、M4，NMOS管M5、M6、M7、M8，及负载电容CL。本发明专利技术两级环形压控振荡器，采用衬底前馈偏置结构，降低晶体管阈值电压，降低电源电压，减小功耗，同时具有较大的调谐范围，特别适合于低电源电压工作的系统。

A type of ultra low voltage two stage ring voltage controlled oscillator for chip circuits

The invention relates to a method for chip circuit ultra low voltage two level voltage controlled ring oscillator, which is characterized in that the grade two delay unit of the oscillator includes a delay unit two is connected, by adjusting the delay time to adjust the working frequency of the unit; delay unit including PMOS M1, M2, M3, transistor M4. NMOS, M6, M7, M5 M8, and the load capacitance CL. The two stage ring voltage controlled oscillator adopts a substrate feed forward bias structure, which reduces transistor threshold voltage, reduces power supply voltage and reduces power consumption, and has large tuning range, which is especially suitable for low power supply system.

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器
本专利技术涉及振荡器
，更具体地说，涉及一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器。
技术介绍
压控振荡器是模拟电路和数字电路的重要组成模块。压控振荡器有很多种不同的实现方式，环形振荡器与传统的LC振荡器相比，占用更小的芯片面积并且具有更大的调节范围。如果环形振荡器由两级延迟构成，那么它能够在高频下工作，并且提供正交输出。现代CMOS工艺中，技术特征尺寸和电源电压需要成比例缩小以维持器件的稳定性。对于环形振荡器来说，由于晶体管的高阈值电压，它很难在0.5V的电源电压下正常工作。MOS晶体管的衬底连接正向偏置是降低晶体管阈值电压的有效方法。在设计中，衬底正向偏置技术被应用于带有局部正反馈的延迟单元中。因此，现有技术亟待有很大的进步。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于，针对现有技术的上述的缺陷，提供一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器，包括：包括两个首尾相接的延迟单元，所述振荡器通过调节延迟单元的延迟时间调整工作频率；延迟单元包括PMOS晶体管M1、M2、M3、M4，NMOS管M5、M6、M7、M8，及负载电容CL。在本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器，其特征在于，包括两个首尾相接的延迟单元，所述振荡器通过调节延迟单元的延迟时间调整工作频率；延迟单元包括PMOS晶体管M1、M2、M3、M4，NMOS管M5、M6、M7、M8，及负载电容CL。

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器，其特征在于，包括两个首尾相接的延迟单元，所述振荡器通过调节延迟单元的延迟时间调整工作频率；延迟单元包括PMOS晶体管M1、M2、M3、M4，NMOS管M5、M6、M7、M8，及负载电容CL。2.根据权利要求1所述的超低压两级环形压控振荡器，其特征在于，PMOS晶体管M2、M4的衬底接地，PMOS晶体管M1、M3的衬底连接控制电压Vc，PMOS晶体管M1、M3的栅极接地，PMOS晶体管M1、M3源极接VDD，PMOS晶体管M1...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡水河，
申请(专利权)人：常州欣盛微结构电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32