用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器制造技术

本发明专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器由两第一晶体管、两第二晶体管以及一偏压控制电路所构成，两所述第一晶体管具有一表示电压位准的临界电压值，而两所述第一晶体管的闸极用以接收一输入电压信号，所述输入电压信号的电压位准则介于一低电压值与一高电压值之间，而所述第一晶体管的汲极同时电性连接于其中一个所述第二晶体管的闸极与另一个所述第二晶体管的汲极以形成一输出接点。本发明专利技术的特点在于仅由偏压控制电路、两第一晶体管以及两第二晶体管所构成，进而让偏压控制电路调降第一晶体管的临界电压值，进而让输入电压信号的低电压值或高电压值能进行调整。

【技术实现步骤摘要】
用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器
本专利技术有关于一种用于集成电路的电压位准移位器，特别是一种安装有偏压控制器的电压位准移位器，使得本专利技术电压位准移位器能经由偏压控制器能调整晶体管的临界电压值，进而能进一步间接调整输入电压信号的低电压或是输入电压信号的高电压的操作范围。
技术介绍
随着科技日新月异，薄膜晶体管液晶显示器(Thin－FilmTransistorLiquidCrystalDisplay；TFTLCD)已经十分普遍应用于个人计算机显示器、电视、移动电话以及数字相机等电子产品中，而薄膜晶体管运作时会透过频率信号来控制扫描该薄膜晶体管数组以依序显示像素，由于频率信号所需要较高的电压准位，因此，频率信号必须先经过电压位准移位器转换电压位准之后，再将已转换电压位准的高电压频率信号供应至该薄膜晶体管，并且，受益于半导体技术的蓬勃发展，电压位准移位器是以集成电路的形式来实现。请参阅图1所示，为目前用于薄膜晶体管液晶显示器的习知电压位准移位器1，如图所示，习知电压位准移位器1具有一第一电压位准移位单元10以及一第二电压位准移位单元11，第一电压位准移位单元10具有两个第一PMOS晶体管101以及两个第一NMOS晶体管102，而第二电压位准移位单元11具有两个第二PMOS晶体管111以及两个第二NMOS晶体管112。如图所示，每一个第一PMOS晶体管101的源极都电性连接于一工作电压(VDD)，并且，每一个第一PMOS晶体管101的源极与基底相互电性连接，则每一个第一PMOS晶体管101的汲极分别同时电性连接于其中一个第一NMOS晶体管102的汲极与另一个第一NMOS晶体管102的闸极以形成一第一接点12与一第二接点13，并且，每一个第一NMOS晶体管102的源极与基底相互电性连接，其中，每一个第一NMOS晶体管102的源极都电性连接于反向电荷帮浦(VGL)。此外，每一个第二POMS晶体管的源极与基底相互电性连接，而每一个第二POMS晶体管的源极都电性连接于升压电荷帮浦(VGH)，其中，每一个第二NMOS晶体管112的源极与基底相互电性连接，而每一个第二NMOS晶体管112的源极电性连接于反向电荷帮浦(VGL)，则每一个第二NMOS晶体管112的汲极同时电性连接于其中一个第二PMOS晶体管111的汲极与另一个第二PMOS晶体管111的闸极，并且，其中一个第二NMOS晶体管112的闸极电性连接于第一接点12，而另一个第二NMOS晶体管112的闸极电性连接于第二接点13。于具体应用时，为了将已转换电压位准的高电压频率信号供应至该薄膜晶体管，习知电压位准移位器1所使用的晶体管都必须要能承受高电压(大于30伏特)，进而习知电压位准移位器1所使用的晶体管的临界电压值会大于一般常见晶体管的临界电压值，并且，两个第一PMOS晶体管101必须经过特殊设计才能调降第一PMOS晶体管101的临界电压值(Vth)，因此，当两个第一PMOS晶体管101的闸极接收一电压位准介于GND～VDD之间的输入电压信号时，第一电压位准移位单元10将输入电压信号的电压位准进行降压，进而调降电压位准的低电压值，使得所述输入电压信号的电压位准的低电压值由GND转变为VGL，进而使所述输入电压信号的电压位准由GND～VDD转换为VGL～VDD。随后，当电压位准介于VGL～VDD之间的输入电压信号经由第一接点12与第二接点13传递至第二电压位准移位单元11的两第二NMOS晶体管112时，第二电压位准移位单元11将所述输入电压信号的电压位准进行升压，使得电压位准的高电压值由VDD转变为VGH，进而使电压位准由VGL～VDD转换为VGL～VGH，其中，GND为电压参考点，而VDD为工作电压，则VGL为反向电荷帮浦，另外VGH为升压电荷帮浦。由前述说明可知，习知电压位准移位器1对输入电压信号的电压位准进行降压或是升压时，习知电压位准移位器1需要使用经过特殊设计的两个第一PMOS晶体管101才能对输入电压信号进行降压或是升压，进而习知电压位准移位器1会因为使用特殊设计的两个第一PMOS晶体管101而增加材料成本。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于不需要使用特殊设计的晶体管来调整工作电压的高低电压值，则是使用偏压控制电路与一般常见的晶体管来调整晶体管的临界值，进而能进一步调整工作电压的高低电压值，致使不但能调整工作电压的高低电压值，还因为没有使用特殊设计的晶体管而降低材料成本。为实现前述目的，本专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器由两第一晶体管、两第二晶体管以及一偏压控制电路所构成，两所述第一晶体管具有一表示电压位准的临界电压值，而两所述第一晶体管的闸极用以接收一输入电压信号，所述输入电压信号的电压位准则介于一低电压值与一高电压值之间，而所述第一晶体管的汲极同时电性连接于其中一个所述第二晶体管的闸极与另一个所述第二晶体管的汲极以形成一输出接点。两所述第二晶体管的源极与源极与基底都电性连接于一低电位输入电压与一高电位输入电压的其中一者，而所述两第一晶体管的源极则电性连接于所述低电位输入电压与高电位输入电压的另一者，其中，所述偏压控制电路同时电性连接于所述两第一晶体管的基底，并提供一偏压电压给所述两第一晶体管，使所述第一晶体管的临界电压值降低以调整所述低电压值与高电压值其中之一，进而使所述输入电压信号转换为一传递至所述输出接点的输出电压信号，而所述输出电压信号电压位准的低电压值或高电压值不同于所述输入电压信号。于一较佳实施例中，所述第一晶体管设为PMOS晶体管，而所述第二晶体管设为NMOS晶体管，使所述输入电压信号的高电压值经由所述偏压电压而能够降低。于另一较佳实施例，所述第一晶体管设为NMOS晶体管，而所述第二晶体管设为PMOS晶体管，使所述输入电压信号的低电压值经由所述偏压电压而能够提升。于前述两实施例中，所述高电位电压设为工作电压(VDD)或是升压电荷帮浦(VGH)，而所述低电位电压设为反向电荷帮浦(VGL)，其中，所述反向电荷帮浦(VGL)的电压值介于-15～-5伏特，而所述升压电荷帮浦(VGH)电压值介于10～50伏特，此外，所述偏压控制电路是由二极管迭加法迭接、带差参考电压电路或二极管迭加电阻的其中一种方式产生偏压。本专利技术的特点在于仅由偏压控制电路、两第一晶体管以及两第二晶体管所构成，进而让偏压控制电路调降第一晶体管的临界电压值，进而让输入电压信号的低电压值或高电压值能进行调整，因此，本专利技术使用四个晶体管以及一个偏压控制电路让偏压控制电路调降晶体管的临界电压值，进而调整输出输入电压信号的高低电压值，致使还能因为减不使用特殊设计的晶体管而能降低材料成本。附图说明图1为已知用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器的示意图；图2为本专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器于第一较佳实施例的示意图；图3为本专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器于第一较佳实施例具体应用的示意图；图4为本专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器于第二较佳实施例的示意图；图5为本专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器于第二较佳实施例具体应用的示意图；以及图6为本专利技术用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，由两第一晶体管、两第二晶体管以及一偏压控制电路所构成，其特征在于，两所述第一晶体管具有一表示电压位准的临界电压值，而两所述第一晶体管的闸极用以接收一输入电压信号，所述输入电压信号的电压位准则介于一低电压值与一高电压值之间，而所述第一晶体管的汲极同时电性连接于其中一个所述第二晶体管的闸极与另一个所述第二晶体管的汲极以形成一输出接点；两所述第二晶体管的源极与基底都电性连接于一低电位输入电压与一高电位输入电压的其中一者，而两所述第一晶体管的源极则电性连接于所述低电位输入电压与高电位输入电压的另一者；所述偏压控制电路同时电性连接于两所述第一晶体管的基底，并提供一偏压电压给两所述第一晶体管，使所述第一晶体管的临界电压值降低以调整所述低电压值与高电压值其中之一，进而使所述输入电压信号转换为一传递至所述输出接点的输出电压信号，而所述输出电压信号电压位准的低电压值或高电压值不同于所述输入电压信号的低电压值或高电压值。

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路可调整临界电压值的电压位准移位器，由两第一晶体管、两第二晶体管以及一偏压控制电路所构成，其特征在于，两所述第一晶体管具有一表示电压位准的临界电压值，而两所述第一晶体管的闸极用以接收一输入电压信号，所述输入电压信号的电压位准则介于一低电压值与一高电压值之间，而所述第一晶体管的汲极同时电性连接于其中一个所述第二晶体管的闸极与另一个所述第二晶体管的汲极以形成一输出接点；两所述第二晶体管的源极与基底都电性连接于一低电位输入电压与一高电位输入电压的其中一者，而两所述第一晶体管的源极则电性连接于所述低电位输入电压与高电位输入电压的另一者；所述偏压控制电路同时电性连接于两所述第一晶体管的基底，并提供一偏压电压给两所述第一晶体管，使所述第一晶体管的临界电压值降低以调整所述低电压值与高电压值其中之一，进而使所述输入电压信号转换为一传递至所述输出接点的输出电压信号，而所述输出电压信号电压位准的低电压值或高电压值不同于所述输入电压信号的低电压值或高电压值。2.如权利要求1项...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡水河，
申请(专利权)人：常州欣盛微结构电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32