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本发明涉及一种用于芯片电路的超低压两级环形压控振荡器，其特征在于，包括两级延迟单元，所述振荡器包括两个首尾相接的延迟单元，通过调节延迟单元的延迟时间调整工作频率；延迟单元包括PMOS晶体管M1、M2、M3、M4，NMOS管M5、M6、M7、...
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