锆钛酸钡薄膜压控变容管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种锆钛酸钡薄膜压控变容管的制备方法，先按BaZr0.2Ti0.8O3的化学计量比，称取原料BaCO3、ZrO2和TiO2，于1200℃烧制BaZr0.2Ti0.8O3即BZT靶材；再将Pt‑Si衬底放入脉冲激光沉积制品台上，将脉冲激光沉积系统的本底真空抽至P＜4.0×10

Preparation of barium titanate thin film pressure controlled varactor

The invention discloses a method for preparing a zirconium barium titanate thin film pressure controlled varactor, according to the stoichiometric ratio of BaZr0.2Ti0.8O3, BaCO3, ZrO2 and weighing the raw materials of TiO2, BaZr0.2Ti0.8O3 or BZT at 1200 DEG C firing target; then Pt Si substrate by pulsed laser deposition in the products table, the pulsed laser deposition the vacuum system to P < 4 * 10

【技术实现步骤摘要】
锆钛酸钡薄膜压控变容管的制备方法
本专利技术是关于于电子信息材料与元器件的，具体涉及锆钛酸钡薄膜压控变容管及其制备方法。
技术介绍
近年来，随着电子信息技术迅速发展，雷达面临着隐身飞行器、高速反辐射导弹、综合电子干扰和超低空突防等威胁。因此，对雷达性能的要求越来越高。相控阵雷达是采用多种高科技技术的产物，具有波束捷变的特点，可以满足对高性能雷达系统日益增长的需求。在相控阵雷达中，移相器是馈电系统重要的基本原件，其基本功能是改变微波信号的相位，紧连天线的辐射源与T/R组件，通过波控器控制移相器改变各阵元间的相对馈电相位，从而改变天线阵面上电磁波的相位分布。目前，移相器普遍采用铁氧体压控材料实现，这种材料的介电损耗很高，要求电路提供很高的控制电压，不利于系统小型化、低功耗和低成本的发展要求。利用微波介质压控材料的调谐特性，可实现对相控阵雷达系统的电子控制，介质移相器更适合在现代相控阵雷达系统中使用。锆钛酸钡(BaZrxTi1-xO3，BZT)为Zr4+部分取代BaTiO3中的Ti4+，而形成的BaTiO3(BT)基钙钛矿氧化物，具有良好的压控调谐性能，此外Zr4+比Ti4+化学稳定性更好本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锆钛酸钡薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：(1)采用固相烧结法制备BZT靶材按BaZr0.2Ti0.8O3的化学计量比，称取原料BaCO3、ZrO2和TiO2，充分混合后压制成型为坯体，坯体置于电炉中于1200℃烧制BaZr0.2Ti0.8O3即BZT靶材；(2)将清洁干燥的Pt‑Si衬底放入脉冲激光沉积制品台上，靶基距为4～10cm；(3)将脉冲激光沉积系统的本底真空抽至P＜4.0×10

【技术特征摘要】
1.一种锆钛酸钡薄膜压控变容管的制备方法，具体步骤如下：(1)采用固相烧结法制备BZT靶材按BaZr0.2Ti0.8O3的化学计量比，称取原料BaCO3、ZrO2和TiO2，充分混合后压制成型为坯体，坯体置于电炉中于1200℃烧制BaZr0.2Ti0.8O3即BZT靶材；(2)将清洁干燥的Pt-Si衬底放入脉冲激光沉积制品台上，靶基距为4～10cm；(3)将脉冲激光沉积系统的本底真空抽至P＜4.0×10-4Pa，然后加热衬底至350～750℃；(4)打开进气阀，向步骤(3)系统中通入氧气，氧气压强为0.8～60Pa，在Pt-Si衬底上沉积得到厚度为150-300nm的BaZr0.2Ti0.8O3薄膜；(5)步骤(4)停止后，待衬底温度降至100℃以下时，取出制品；(6)在BaZr0.2Ti0.8O3薄膜上面利用掩膜版制备金属电极，制得锆钛...

【专利技术属性】
技术研发人员：李玲霞，郑浩然，于仕辉，陈思亮，孙正，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12