发光装置及包括该发光装置的发光装置封装体制造方法及图纸

根据本发明专利技术实施例的发光装置包括：基底；设置在基底上的发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的有源层；设置在发光结构上的第一电极；设置在第一电极上的第一连接电极；设置在发光结构上的第二电极；设置在第二电极上的第二连接电极；以及围绕第一电极、第一连接电极、第二电极以及第二连接电极设置的支撑层。支撑层包括具有第一热膨胀系数的第一支撑层以及设置在第一支撑层上并具有第二热膨胀系数的第二支撑层。

A light emitting device and a light emitting device package including the light emitting device

Light emitting device according to an embodiment of the present invention includes: a substrate; light-emitting structure on the substrate, the light emitting structure includes a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer and disposed between the first conductive type semiconductor layer and a second conductive type semiconductor layer has a first electrode layer in the light source; structural settings; the first electrode is connected to the first electrode set; second electrode in luminous structure setting; second electrode arranged on the second connecting electrode; and around the first electrode and the first electrode, the second electrode connection and second connecting support layer electrode set. The support layer includes a first support layer with a first thermal expansion coefficient and a second support layer set on the first support layer and having a second thermal expansion coefficient.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置及包括该发光装置的发光装置封装体
本专利技术涉及发光装置及包括该发光装置的发光装置封装体。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种通过利用化合物半导体的特性将电流转换为光来发送或接收信号或者用作光源的半导体装置。这样的发光装置被广泛用作显示装置、电子显示屏以及照明装置等各种电子装置的光源。随着发光装置技术的进步，发光装置封装体已经发展为变得更小、更薄、更高效。发光装置封装体包括结合到引线框架上的发光装置。发光装置包括发光结构和电极，并且还包括覆盖电极的支撑构件。在这种情况下，由于发光结构、支撑构件以及引线框架的不同的热膨胀系数，可能发生界面脱附(deadhesion)，从而使发光装置对于热冲击的可靠性降低。
技术实现思路
技术问题本专利技术涉及一种对于热冲击具有提高的可靠性的发光装置和包括该发光装置的发光装置封装体。技术方案本专利技术的一个方面提供一种发光装置，包括：基底；设置在所述基底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层(activelayer)；设置在所述发光结构上的第一电极；设置在所述第一电极上的第一连接电极；设置在所述发光结构上的第二电极；设置在所述第二电极上的第二连接电极；以及围绕所述第一电极、所述第一连接电极、所述第二电极以及所述第二连接电极设置的支撑层。所述支撑层包括：具有第一热膨胀系数的第一支撑层；以及设置在所述第一支撑层上并具有第二热膨胀系数的第二支撑层。所述第二热膨胀系数可以大于所述第一热膨胀系数。所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数之差可以为0.1至10ppm/℃。所述基底的热膨胀系数与所述第一热膨胀系数之差可以为0.1至5ppm/℃。所述第二热膨胀系数与和所述第一连接电极以及所述第二连接电极结合的引线框架的热膨胀系数之差可以为0.1至5ppm/℃。所述第一支撑层可以围绕所述第一电极和所述第一连接电极之间的界面以及所述第二电极和所述第二连接电极之间的界面中的至少一个界面设置。所述第一支撑层的厚度可以大于所述第二支撑层的厚度。所述第一连接电极的侧表面和所述第二连接电极的侧表面的至少一些部分可以露出。所述第二支撑层可以仅设置在所述第一连接电极和所述第二连接电极之间的区域中。所述第二支撑层可以与所述第一连接电极的所述侧表面和所述第二连接电极的所述侧表面隔开。所述支撑层可还包括设置在所述第二支撑层上并具有第三热膨胀系数的第三支撑层。热膨胀系数可以按照从所述第一热膨胀系数到所述第二热膨胀系数再到所述第三热膨胀系数的顺序增加。所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数之差可以为0.1至10ppm/℃，并且所述第二热膨胀系数与所述第三热膨胀系数之差可以为0.1至10ppm/℃。支撑层厚度可以按照从所述第一支撑层到所述第二支撑层再到所述第三支撑层的顺序减小。本专利技术的另一方面提供了一种发光装置封装体，包括引线框架、安装在所述引线框架上的发光装置以及围绕所述发光装置的成型构件(moldinmember)。所述发光装置包括：基底；设置在所述基底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间的有源层；设置在所述发光结构上的第一电极；设置在所述第一电极上的第一连接电极；设置在所述发光结构上的第二电极；设置在所述第二电极上的第二连接电极；以及围绕所述第一电极、所述第一连接电极、所述第二电极以及所述第二连接电极设置的支撑层。所述支撑层可包括：具有第一热膨胀系数的第一支撑层；以及设置在所述第一支撑层上并具有第二热膨胀系数的第二支撑层。有益效果即使当发光结构和引线框架的热膨胀系数之差较大时，根据本专利技术的实施例的发光装置封装体也能够防止由热冲击引起的结合失败。因此，能够提高发光装置封装体对于热冲击的可靠性。此外，根据本专利技术的实施例，能够增大发光装置与引线框架之间的结合区域以提高结合特性和散热特性。附图说明图1是根据本专利技术实施例的发光装置的剖视图；图2是根据本专利技术的实施例的结合到引线框架上的发光装置的剖视图；图3是根据本专利技术的另一实施例的发光装置的剖视图；图4是根据本专利技术的另一实施例的结合到引线框架上的发光装置的剖视图；图5是根据本专利技术的另一实施例的发光装置的剖视图；图6是根据本专利技术的另一实施例的结合到引线框架上的发光装置的剖视图；图7是根据本专利技术的另一实施例的发光装置的剖视图；图8是根据本专利技术的另一实施例的结合到引线框架上的发光装置的剖视图；图9是示出将根据发光结构和支撑层的热膨胀系数之差而产生的翘曲进行比较的实验的结果的曲线图；图10是示出根据发光结构、支撑层和引线框架之间的热膨胀系数之差而产生的翘曲的曲线图；图11是具有根据本专利技术实施例的发光装置的发光装置封装体的剖视图；图12示出具有根据本专利技术实施例的发光装置封装体的照明装置；图13示出具有根据本专利技术实施例的发光装置封装体的背光单元。具体实施方式在本专利技术中可以进行各种变型，并且本专利技术可以以各种实施例实现。因此，将在附图中示出并在此描述实施例。然而，本专利技术不限于此，而应该理解为涵盖落入本专利技术的构思和范围内的所有的变型、等同物和替代物。应该理解的是，在此可以使用术语第一、第二等来描述各种部件，但是这些部件不应该被这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一个部件。例如，在不背离本专利技术的范围的情况下，第一部件可以称为第二部件，类似地，第二部件可以被称为第一部件。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的所列举的术语的任何和所有组合。应该理解的是，当部件被描述为“连接”或“耦合”到另一部件时，其可以直接连接或耦合到另一部件，或者可以存在中间部件。相反，当部件被描述为“直接连接”或“直接耦合”到另一部件时，不存在中间部件。在此使用的术语仅用于描述特定实施例，而不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一”，“一个”和“该”旨在也包括复数形式。进一步理解的是，诸如“包括”或“包含”的术语当在此使用时，指定存在所述的特征、整体、步骤、操作、部件和/或元件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、部件，元件和/或其组合。除非另外定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解相同的含义。应该进一步理解的是，通常使用的字典中定义的那些术语应该被理解为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的意义，除非在此明确如此定义。在下文中，将参考附图详细描述实施例，在附图中，相同或相应的部件由相同的附图标记表示，而不管附图标号如何，在此不再赘述。图1是根据本专利技术实施例的发光装置的剖视图。图2是根据本专利技术实施例的结合到引线框架上的发光装置的剖视图。参照图1和图2，发光装置100包括基底111、第一半导体层113、第一导电型半导体层115、有源层117、第二导电型半导体层119、反射电极层131、绝缘层133、第一电极135、第二电极137、第一连接电极141、第二连接电极143以及支撑构件151。在此，基底111可以是半透明的、绝缘的或导电的基底，并且可以包括例如Al2O本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：基底；发光结构，所述发光结构设置在所述基底上，其中，所述发光结构包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；以及有源层，所述有源层设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间，所述发光装置还包括：第一电极，所述第一电极设置在所述发光结构上；第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一电极上；第二电极，所述第二电极设置在所述发光结构上；第二连接电极，所述第二连接电极设置在所述第二电极上；以及支撑层，所述支撑层围绕所述第一电极、所述第一连接电极、所述第二电极以及所述第二连接电极设置，其中，所述支撑层包括：第一支撑层，所述第一支撑层具有第一热膨胀系数；以及第二支撑层，所述第二支撑层设置在所述第一支撑层上并具有第二热膨胀系数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.30 KR 10-2015-00933221.一种发光装置，包括：基底；发光结构，所述发光结构设置在所述基底上，其中，所述发光结构包括：第一导电型半导体层；第二导电型半导体层；以及有源层，所述有源层设置在所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层之间，所述发光装置还包括：第一电极，所述第一电极设置在所述发光结构上；第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述第一电极上；第二电极，所述第二电极设置在所述发光结构上；第二连接电极，所述第二连接电极设置在所述第二电极上；以及支撑层，所述支撑层围绕所述第一电极、所述第一连接电极、所述第二电极以及所述第二连接电极设置，其中，所述支撑层包括：第一支撑层，所述第一支撑层具有第一热膨胀系数；以及第二支撑层，所述第二支撑层设置在所述第一支撑层上并具有第二热膨胀系数。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第二热膨胀系数大于所述第一热膨胀系数。3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一热膨胀系数与所述第二热膨胀系数之差为0.1至10ppm/℃。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述基底的热膨胀系数与所述第一热膨胀系数之差为0.1至5ppm/℃。5.根据权利要求4所述的发光装置，其中，所述第二热膨胀系数与引线框架的热膨胀系数之差为0.1至5ppm/℃，所述引线框架与所述第一连接电极和所述第二连接电极结合。6.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一支撑层围绕所述第一电极和所述第一连接电极之间的界面以及所述第二电极和所述第二连接电极之间的界面中的至少一个界面设置。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一支撑层的厚度大于所述第二支撑层的厚度。8.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述第一连接电极的侧表面和所述第二连接电极的侧表面的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩伶妵，具珍娥，任贤九，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR