In order to inhibit the occurrence of pollution or damage to the lens. In this technique, for example, the manufacturing device is allowed to be attached to the substrate more thicker than the lens resin portion from the height of the substrate. In addition, for example, in this technique, the manufacturing device through the inner mold is composed of two layers of mold model used in the through hole is formed on the substrate in the resin lens, and after the molding of the resin lens, attached on the substrate in a mold next, the manufacturing device of the substrate from the another mold. For example, the technology can be applied to the substrate with lens, laminated lens structure, camera module, manufacturing device, manufacturing method, electronic equipment, computer, program, storage medium, system and so on.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透镜基板的制造方法
本专利技术涉及一种带透镜的基板、层叠透镜结构、相机模块以及制造装置和制造方法,更具体地,涉及可以用于制造诸如半导体装置或平板显示装置等电子设备的其中形成有透镜的带透镜的基板、层叠透镜结构、相机模块以及制造装置和制造方法。相关申请的交叉引用本申请要求于2015年7月31日提交的日本在先专利申请JP2015-152918的权益,其全部内容通过引用的方式并入本文。
技术介绍
在多个透镜沿晶片基板的平面方向排列的晶片级透镜工艺中,形成透镜时的形状精度和位置精度的要求很严格。特别地,通过使晶片基板层叠来制造层叠透镜结构的工艺的难度非常高,并且尚未实现三层以上的层叠的批量生产。对于晶片级透镜工艺,至今为止,已经设计和提出了各种技术。例如,在现有技术中,已经提出了在玻璃基板上形成的混合型晶片透镜、仅由树脂材料形成的单片型晶片透镜等。另外,专利文献1公开了一种在基板的通孔中形成透镜的方法。[引用文献列表][专利文献]专利文献1:JP2011-180292A
技术实现思路
[技术问题]然而,在专利文献1所公开的方法的情况下,存在以下可能性:根据透镜的形状,透镜从基板 ...
【技术保护点】
一种透镜基板的制造方法,所述方法包括:提供包括其中形成有透镜部的通孔的基板,其中所述透镜部从所述基板突出;以及将间隔件附接到所述基板,其中所述间隔件的厚度大于所述透镜部从所述基板突出的高度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.31 JP 2015-1529181.一种透镜基板的制造方法,所述方法包括:提供包括其中形成有透镜部的通孔的基板,其中所述透镜部从所述基板突出;以及将间隔件附接到所述基板,其中所述间隔件的厚度大于所述透镜部从所述基板突出的高度。2.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:在所述基板的所述通孔中形成所述透镜部。3.根据权利要求2所述的制造方法,还包括:在所述通孔中形成所述透镜部之前,将所述间隔件附接到所述基板。4.根据权利要求2所述的制造方法,还包括:在所述通孔中形成所述透镜部之后,将所述间隔件附接到所述基板。5.根据权利要求1所述的制造方法,其中所述间隔件包括配置在与所述基板的所述通孔对应的位置处的通孔。6.根据权利要求1所述的制造方法,其中所述间隔件包括配置在与所述基板的所述通孔对应的位置处的凹部。7.根据权利要求1所述的制造方法,其中使用等离子体接合将所述间隔件附接到所述基板。8.根据权利要求1所述的制造方法,其中粘合剂将所述间隔件附接到所述基板。9.根据权利要求1所述的制造方法,其中将所述基板安装在所述间隔件上。10.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:从所述基板去除所述间隔件。11.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:对多个透镜基板进行层叠和接合,其中所述多个透镜基板中的各个透镜基板都包括其中形成有透镜部的通孔。12.一...
【专利技术属性】
技术研发人员:田泽洋志,黑部利博,斋藤聪哲,松谷弘康,伊藤启之,斋藤卓,大岛启示,藤井宣年,白岩利章,石田実,
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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