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【技术实现步骤摘要】
一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及纳米LED领域,特别是一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法。
技术介绍
目前,发光二极管(LED)具有体积小、发光效率高、节能、环保等优点,目前已经在照明和显示领域占据主导地位,它已经成为21世纪照明和显示领域的发展趋势。随着社会和科技的发展进步,人们对LED的要求越来越高,特别是大功率、高光效的LED受到了人们的青睐。为了实现大功率、高光效的纳米发光二极管,需要在散热和出光效率方面对纳米发光二极管进行优化改进。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术的目的在于提供一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法,能够优化纳米发光二极管的出光效率和散热性能。本专利技术解决其问题所采用的技术方案是:一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:制作长条阵列式纳米发光二极管所需要的掩膜板;S2:在衬底上设置LED外延片;S3:进行光刻处理,从而获得长条阵列式纳米发光二极管的图案;S4:进行刻蚀处理,从而初步获得长条阵列式纳米发光二极管原型;S5:在长条阵列式纳米发光二极管原型的表面镀制SiO2膜层;S6:在SiO2膜层表面镀制Ag金属材料,然后进行退火处理,促使上述Ag金属材料在SiO2膜层表面生成由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层;S7:设置电极位置并进行套刻处理,除去电极位置的SiO2膜层和Ag金属膜层;S8:制备电极;S9:进行激光裂片处理。进一步地,所述步骤S1中掩膜板预留了便于进行分割的激光轨道,所述的激光轨道的形状为环形或者同心矩形。进一步地,所述步骤S6中退火处理时 ...
【技术保护点】
一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:制作长条阵列式纳米发光二极管所需要的掩膜板;S2:在衬底上设置LED外延片;S3:进行光刻处理,从而获得长条阵列式纳米发光二极管的图案;S4:进行刻蚀处理,从而初步获得长条阵列式纳米发光二极管原型;S5:在长条阵列式纳米发光二极管原型的表面镀制SiO2膜层;S6:在SiO2膜层表面镀制Ag金属材料,然后进行退火处理,促使上述Ag金属材料在SiO2膜层表面生成由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层;S7:设置电极位置并进行套刻处理,除去电极位置的SiO2膜层和Ag金属膜层;S8:制备电极;S9:进行激光裂片处理。
【技术特征摘要】
1.一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:制作长条阵列式纳米发光二极管所需要的掩膜板;S2:在衬底上设置LED外延片;S3:进行光刻处理,从而获得长条阵列式纳米发光二极管的图案;S4:进行刻蚀处理,从而初步获得长条阵列式纳米发光二极管原型;S5:在长条阵列式纳米发光二极管原型的表面镀制SiO2膜层;S6:在SiO2膜层表面镀制Ag金属材料,然后进行退火处理,促使上述Ag金属材料在SiO2膜层表面生成由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层;S7:设置电极位置并进行套刻处理,除去电极位置的SiO2膜层和Ag金属膜层;S8:制备电极;S9:进行激光裂片处理。2.根据权利要求1所述的一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法,其特征在于:所述步骤S1中掩膜板预留了便于进行分割的激光轨道,所述的激光轨道的形状为环形或者同心矩形。3.根据权利要求1所述的一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法,其特征在于:所述步骤S6中退火处理时的温度为750-950℃,退火时间为0.5-5分钟。4.一种纳米发光二极管,其特征在于:包括衬底、纳米LED单体、SiO2膜层和由Ag纳米粒子均匀分布形成的...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨为家,吴质朴,何畏,陈强,
申请(专利权)人:江门市奥伦德光电有限公司,五邑大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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