一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件技术

本发明专利技术实施例公开了一种OLED器件制作方法，包括步骤：在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上面制备TFT层；在所述TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。本发明专利技术还公开了相应的OLED器件。实施本发明专利技术实施例，可以提高OLED器件中PI层的阻水氧性能，提高OLED器件寿命。

A method of making OLED devices and corresponding OLED devices

The embodiment of the invention discloses a method for producing OLED device, which comprises the following steps: forming a substrate on the glass substrate coated with polyimide material, the substrate contains oxygen absorbent properties of materials; preparation of TFT layer on the substrate substrate; forming a OLED device layer on the TFT layer; thin film preparation the encapsulation layer in the OLED device layer, the thin film encapsulation layer is completely covered by the OLED device layer; the glass substrate from the substrate side and stripped away from the TFT layer on the substrate covered protection layer. The present invention also discloses the corresponding OLED devices. The implementation of this invention can improve the water resistance oxygen performance of the PI layer in the OLED device and improve the life of the OLED device.

【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器是一种极具发展前景的平板显示技术，它具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗及可实现柔性显示等特性。目前OLED显示器得到了各大显示器厂家的青睐，并成为继CRT（CathodeRayTube）显示器与液晶显示器（LiquidCrystalDisplay，LCD)之后的第三代显示器。但是，OLED对水氧极为敏感，目前常用的OLED常采用顶发光，因此对其表面的TFE阻水氧要求极高，目前也有很多专利提出如何完善上层TFE的阻水氧性能。但是对于OLED而言，水氧不仅会从顶部入侵，也会通过下层基板入侵进入OLED期间内部，因此，如何避免水氧从OLED基板底部入侵也是尤为重要的事。柔性OLED对基板性能要求较高，为了满足后期工艺制备及产品性能需求，OLED基板往往要求具有柔性，耐饶曲，耐高温等性能，目前OLED行业中，因为聚酰亚胺(Polyimide，PI)薄膜自身耐高温（可高达400℃），热膨胀系数小（<10）等优点，常常被选定为柔性OLED的基板衬底，但PI基板阻水氧性能较差，因此外界水汽容易透过PI基板进入OLED器件内部，从而缩短OLED的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种OLED器件制作方法及相应的OLED器件，可以提高OLED器件中衬底基板的阻水氧性能。为了解决上述技术问题，本专利技术的实施例的一方面提供一种OLED器件制作方法，包括如下步骤：在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上制备TFT层；在TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。其中，在所述衬底基板上制备TFT层的步骤进一步包括：在所述衬底基板上制作无机阻挡层；在所述无机阻挡层上制作TFT层。其中，在所述衬底基板上面制备TFT层的步骤进一步包括：在所述衬底基板上制作无机阻挡层；在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层，所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；在所述第二衬底基板层上制作TFT层。其中，在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5%;通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的材料的聚酰亚胺液涂布至所述玻璃基板上，然后进行高温烘焙，以及紫外线固化，获得所述衬底基板。其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一个。相应地，本专利技术的另一方面，还提供一种OLED器件，包括：衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；设置于所述衬底基板上侧的TFT层；设置于所述TFT层上的OLED器件层；设置于所述OLED器件层上的薄膜封装层，所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层。其中，在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆有保护层。其中，在所述衬底基板与所述TFT层之间，进一步设置有无机阻挡层。其中，所述衬底基板与所述TFT层之间进一步设置有：设置于所述衬底基板上的无机阻挡层；设置于所述无机阻挡层的第二衬底基板层，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；其中，所述TFT层设置于所述第二衬底基板层上。其中，所述吸水氧性能的材料包括CaO、BaO、NaOH、CaCl2、MgCl2中至少一种。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：本专利技术实施例中，利用吸水氧性能的材料（如金属氧化物CaO，BaO等）往往具有较好的水氧吸收性能，在聚酰亚胺液中掺杂适量的金属氧化物，通过聚酰亚胺液涂布技术，制备出含吸水性能极强的金属氧化物的衬底基板层，从而提升衬底基板层的阻水氧性能；在本专利技术中，通过选择调整掺杂到聚酰亚胺液中的阻水氧性能材料种类和掺杂比例，可使传统的衬底基板的阻水氧性能得到极大提升，且不会改变衬底基板的其他性能，也不会影响后段基于衬底基板的其他的工艺制程条件，故通过该方法制备衬底基板简单可行，不会增加额外工艺制程，可行性极高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1是本专利技术提供的一种OLED器件制作方法的一个实施例的主流程示意图；图2是图1中涉及的制作过程中的一种OLED器件的结构示意图；图3是本专利技术提供的一种OLED器件结构的一个实施例的结构示意图；图4是本专利技术提供的一种OLED器件结构的另一个实施例的结构示意图；图5是本专利技术提供的一种OLED器件结构的再一个实施例的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本专利技术，在附图中仅仅示出了与根据本专利技术的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本专利技术关系不大的其他细节。如图1所示，是本专利技术提供的一种OLED器件制作方法的一个实施例的主流程示意图；在该实施例中，该方法包括如下步骤：步骤S10，在玻璃基板之上涂布聚酰亚胺材料（PI液）形成衬底基板（PI层），所述PI层包含有吸水氧性能的材料，其中，所述吸水氧性能的材料可以为金属氧化物（如CaO或BaO），也可以为NaOH、CaCl2、MgCl2等；在一些实施例中，所述吸水氧性能的材料占PI液的重量比不高于5%，这样不会影响到PI液的工艺。步骤S11，在PI层上面制备TFT层，在上面形成阵列排布的TFT器件；步骤S12，在TFT层上制作OLED器件层，例如在一个实施例中，可以通过真空蒸镀的方式制作OLED器件层；步骤S13，在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；经过该步骤所获得的OLED器件结构如图2所示，其中，在一些实施例中，可以通过CVD（化学气相淀积）/ALD（原子层淀积）/IJP（喷墨打印）等方式来制备薄膜封装层；步骤S14，将最所述玻璃基板从PI层上剥离，并在PI层远离TFT层的一侧贴覆保护层，从而可以获得柔性OLED器件（可参见图3所示）。可以理解的是，在本专利技术的另一个实施例中，所述步骤S11具体包括：在PI层制作一层无机阻挡层，所述无机阻挡层可以采用是SiN、SiO2、SiON等无机膜层，进一步提高阻水氧性能；在所述无机阻挡层上制作所述TFT层。可以理解的是，在本专利技术的再一个实施例中，可以出现两层或两层以上PI层。具体地，在一个例子中，所述步骤S11具体包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种OLED器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上制备TFT层；在所述TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板，所述衬底基板包含有吸水氧性能的材料；在所述衬底基板上制备TFT层；在所述TFT层上制作OLED器件层；在所述OLED器件层上制备薄膜封装层，使所述薄膜封装层完全覆盖所述OLED器件层；将所述玻璃基板从所述衬底基板上剥离，并在所述衬底基板远离TFT层的一侧贴覆保护层。2.如权利要求1所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上制备TFT层的步骤进一步包括：在所述衬底基板上制作无机阻挡层；在所述无机阻挡层上制作TFT层。3.如权利要求1所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上面制备TFT层的步骤进一步包括：在所述衬底基板上制作无机阻挡层；在所述无机阻挡层上涂布聚酰亚胺材料形成第二衬底基板层，所述第二衬底基板层包含有吸水氧性能的材料；在所述第二衬底基板层上制作TFT层。4.如权利要求1至3任一项所述的一种OLED器件制作方法，其特征在于，在玻璃基板上涂布聚酰亚胺材料形成衬底基板步骤具体为：向用于制作所述衬底基板的聚酰亚胺液中掺杂具有吸水氧性能的材料，所述吸水氧性能的材料占所述聚酰亚胺液的重量比不高于5%;通过涂布机将所述掺杂有吸水氧性能的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭天福，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42