含有分离地址/数据转换器的三维一次电编程存储器制造技术

本发明专利技术提出一种分离的三维一次电编程存储器（3D‑OTP）50，它含有至少一三维阵列芯片30和至少一地址/数据转换器芯片40。三维阵列芯片30含有多个相互堆叠的3D‑OTP存储元。至少一地址/数据转换器位于地址/数据转换器芯片40内，而非三维阵列芯片30内。三维阵列芯片30和地址/数据转换器芯片40具有不同的后端（BEOL）结构。

Three dimensional one electrical programming memory containing separate address / data converter

The invention provides a method for separating a three-dimensional electrically programmable memory (3D OTP) 50, which contains at least one dimensional array chip 30 and at least one address / data converter 40. 30 dimensional array chip containing a plurality of stacked 3D OTP storage element. At least one address / data converter is located in the address / data converter chip 40, and not in the 3D array chip 30. The three dimensional array chip 30 and the address / data converter chip 40 have a different backend (BEOL) structure.

【技术实现步骤摘要】
含有分离地址/数据转换器的三维一次电编程存储器
本专利技术涉及集成电路存储器领域，更确切地说，涉及三维一次电编程存储器(3D-OTP)。
技术介绍
三维存储器(3D-M)是一种单体(monolithic)半导体存储器，它含有多个相互堆叠的存储元。3D-M包括三维只读存储器(3D-ROM)和三维随机读取存储器(3D-RAM)。3D-ROM可以进一步划分为三维掩膜编程只读存储器(3D-MPROM)和三维电编程只读存储器(3D-EPROM)。基于它能电编程的次数，3D-EPROM可以进一步分为三维一次电编程存储器(3D-OTP)和三维多次电编程存储器(3D-MTP)。3D-OTP可以是3D-memristor、三维阻变存储器(3D-RRAM或3D-ReRAM)、三维相变存储器(3D-PCM)、3D-PMM(programmablemetallizationmemory)、或3D-CBRAM(conductive-bridgingrandom-accessmemory)等。美国专利5,835,396(专利技术人：张国飙；授权日：1998年11月3日)披露了一种3D-ROM，尤其是3D-OTP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分离的三维一次电编程存储器（3D‑OTP）(50)，其特征在于包括：一含有至少一3D‑OTP阵列(36)的三维阵列芯片(30)，该3D‑OTP阵列(36)含有多个相互堆叠的3D‑OTP存储元；一地址/数据转换器芯片(40)，该地址/数据转换器芯片(40)含有该3D‑OPT阵列(36)的至少一地址/数据转换器，该三维阵列芯片(30)不含该地址/数据转换器；将该三维阵列芯片(30)和该地址/数据转换器芯片(40)耦合的手段；所述三维阵列芯片(30)的后端薄膜层数是所述地址/数据转换器芯片(40)的互连线层数的至少两倍；所述三维阵列芯片(30)和所述地址/数据转换器芯片(40)为两个不同的芯片。

【技术特征摘要】
1.一种分离的三维一次电编程存储器（3D-OTP）(50)，其特征在于包括：一含有至少一3D-OTP阵列(36)的三维阵列芯片(30)，该3D-OTP阵列(36)含有多个相互堆叠的3D-OTP存储元；一地址/数据转换器芯片(40)，该地址/数据转换器芯片(40)含有该3D-OPT阵列(36)的至少一地址/数据转换器，该三维阵列芯片(30)不含该地址/数据转换器；将该三维阵列芯片(30)和该地址/数据转换器芯片(40)耦合的手段；所述三维阵列芯片(30)的后端薄膜层数是所述地址/数据转换器芯片(40)的互连线层数的至少两倍；所述三维阵列芯片(30)和所述地址/数据转换器芯片(40)为两个不同的芯片。2.一种分离的三维一次电编程存储器（3D-OTP）(50)，其特征在于包括：一含有至少一3D-OTP阵列(36)的三维阵列芯片(30)，该3D-OTP阵列(36)含有多个相互堆叠的3D-OTP存储元；一地址/数据转换器芯片(40)，该地址/数据转换器芯片(40)含有该3D-OPT阵列(36)的至少一地址/数据转换器，该三维阵列芯片(30)不含该地址/数据转换器；将该三维阵列芯片(30)和该地址/数据转换器芯片(40)耦合的手段；所述三维阵列芯片(30)的后端薄膜层数大于所述地址/数据转换器芯片(40)的互连线层数；所述地址/数据转换器芯片(40)的互连线层数大于所述三维阵列芯片(30)的互连线层数；所述三维阵列芯片(30)和所述地址/数据转换器芯片(40)为两个不同的芯片。3.一种分离的三维一次电编程存储器（3D-OTP...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国飙，
申请(专利权)人：厦门海存艾匹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35